集成電路行業(yè)快報：COWOS或迎量／價／需三振 L路線有望為主流

投資要點

據(jù)中國臺灣媒體《自由財經(jīng)》報道，自2025 年1 月起，臺積電將對其3nm、5nm及CoWoS 工藝的代工價格進行上調(diào)，預(yù)計漲幅將在5%到20%之間。

 CoWoS 或迎來量/價/需求齊升，CoWoS-S 轉(zhuǎn)向CoWoS-L 趨勢明顯。（1）量：

根據(jù)DIGITIMES Research 數(shù)據(jù)，受云端AI 加速器需求旺盛推動，2025 年全球?qū)oWoS 及類似封裝產(chǎn)能的需求或?qū)⒃鲩L113%。主要供應(yīng)商臺積電、日月光科技控股（包括矽品精密工業(yè)、SPIL）和安靠正在擴大產(chǎn)能。根據(jù)DIGITIMESResearch 報告，到2025 年第四季度末，臺積電的月產(chǎn)能預(yù)計將增至6.5 萬片以上12 英寸晶圓當(dāng)量，而安靠和日月光合用產(chǎn)能將增至1.7 萬片晶圓；英偉達是臺積電CoWoS 封裝工藝最大客戶，受惠于英偉達Blackwell 系列GPU 量產(chǎn)，臺積電將從2025 年第四季開始由CoWoS-S 轉(zhuǎn)為CoWoS-L 制程，使CoWoS-L成為臺積電CoWoS 技術(shù)的主要制程；英偉達對CoWoS-L 工藝需求可能會從2024 年的3.2 萬片晶圓大幅增加至2025 年的38 萬片晶圓，同比增長1018%。

根據(jù)DIGITIMES Research 預(yù)計，2025 年第四季CoWoS-L 將占臺積電CoWoS總產(chǎn)能的54.6%，CoWoS-S 為38.5%，CoWoS-R 則為6.9%。（2）價：根據(jù)半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng)數(shù)據(jù)，臺積電3nm 和5nm 制程技術(shù)的價格將上升5%到10%，CoWoS 工藝將漲價15%到20%（供不應(yīng)求），這一調(diào)整既源于AI 領(lǐng)域?qū)τ嬎隳芰Φ男枨蠹ぴ?，也顯示了制程技術(shù)成本的不斷上升。（3）需求：根據(jù)半導(dǎo)體縱橫數(shù)據(jù)，英偉達占CoWoS 整體供應(yīng)量比重超過50%，A100、H100 及BlackwellUltra 等產(chǎn)品均會采用CoWoS 封裝，2025 年英偉達將會推廣采用CoWoS-L 技術(shù)的B300 和GB300 系列。AMD 的MI300 采用臺積電SoIC（3D）和CoWoS（2.5D）兩種封裝技術(shù)。此外，博通、微軟、亞馬遜、谷歌對于CoWoS 也存有一定需求。

CoWoS-L 確保良好的系統(tǒng)性能同時避免大型硅中介層良率損失。CoWoS-L 中介層包括多個本地硅互連（LSI） 芯片和全域再分布層（RDL），形成一個重組中介層（RI），以取代CoWoS-S 中的單片硅中介層。LSI Chiplet 與CoWoS-S相比保留了亞微米級銅互連、硅通孔（TSV） 和嵌入式深溝電容器（eDTC），以確保良好系統(tǒng)性能，同時避免大型硅中介層良率損失問題。此外，在RI 中引入穿絕緣體通孔（TIV）作為垂直互連，以提供比TSV 更低的插入損耗路徑。

CoWoS-L 目前已成功實現(xiàn)采用3 倍掩模尺寸（約2500 平方毫米）的插接器，搭載多個SoC/芯片模組和8 個HBM 方案。LSI 制造有兩種路線，LSI-1 和LSI-2，主要區(qū)別在于互連金屬方案：1）在制造LSI-1 時，首先在300 毫米硅芯片上制造TSV 和一層單大馬士革銅金屬(M1)。然后，用未摻雜硅酸鹽玻璃（USG）作為介電層的雙大馬士革銅形成互連結(jié)構(gòu)。在LSI-1 金屬方案中，雙大馬士革銅工藝提供的最小金屬寬度/空間為0.8/0.8μm，厚度為2μm。2）LSI-2具有相同的TSV 結(jié)構(gòu)和M1 金屬方案。制造出M1 層后，通過半新增工藝（SAP），以聚酰亞胺（PI） 為介質(zhì)層的銅RDL 形成互連結(jié)構(gòu)。SAP 銅RDL的最小寬度/空間為2/2μm，厚度為2.3μm。

投資建議：ChatGPT 依賴大模型、大數(shù)據(jù)、大算力支撐，其出現(xiàn)標(biāo)志著通用人工智能的起點及強人工智能的拐點，未來算力將引領(lǐng)下一場數(shù)字革命，xPU 等高端芯片需求持續(xù)增長。先進封裝為延續(xù)摩爾定理提升芯片性能及集成度提供技術(shù)支持，隨著Chiplet 封裝概念持續(xù)推進，先進封裝各產(chǎn)業(yè)鏈（封測/設(shè)備/材料/IP等）將持續(xù)受益。建議關(guān)注：封測：通富微電、長電科技、華天科技、甬矽電子、偉測科技；設(shè)備：北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、華峰測控、長川科技、中科飛測、華海清科、華封科技（未上市）；材料：華海誠科、鼎龍股份、深南電路、興森科技、艾森股份、上海新陽、聯(lián)瑞新材、飛凱材料；EDA：華大九天、廣立微、概倫電子；IP：芯原股份。

風(fēng)險提示：下游需求復(fù)蘇低于預(yù)期；先進封裝技術(shù)研發(fā)不及預(yù)期；人工智能發(fā)展不及預(yù)期；系統(tǒng)性風(fēng)險。

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轉(zhuǎn)自華金證券股份有限公司 研究員：孫遠峰/王海維