摘要：2026年全球磷化銦襯底（折合二英寸）預(yù)計(jì)銷量為128.19萬片，2019-2026年復(fù)合增長率為14.40%；2026年全球磷化銦襯底市場規(guī)模為2.02億美元，2019-2026年復(fù)合增長率為12.42%。2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量約為2,000萬片，預(yù)計(jì)到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量將超過3500萬片；2019年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模約為2億美元，預(yù)計(jì)到2025年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將達(dá)到3.48億美元，2019-2025年復(fù)合增長率9.67%。

一、定義及分類

半導(dǎo)體是指在常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等，以硅、鍺應(yīng)用最廣?；衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和寬禁帶半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體有Ⅲ-Ⅴ族主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP），具有電子遷移率高、光電性能好等特點(diǎn)，是當(dāng)前僅次于硅之外最成熟的半導(dǎo)體材料，在5G通信、數(shù)據(jù)中心、光纖通信、新一代顯示、人工智能、無人駕駛、可穿戴設(shè)備、航天方面有廣闊的應(yīng)用前景。寬禁帶半導(dǎo)體，以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表，具有高禁帶寬度、耐高壓和大功率等特點(diǎn)，在通信、新能源汽車等領(lǐng)域前景廣闊，但目前成本較高。（注：本文主要討論的化合物半導(dǎo)體為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體）

半導(dǎo)體材料的對比情況

二、行業(yè)政策

近年來，國家不斷提升半導(dǎo)體行業(yè)的戰(zhàn)略地位，通過各種政策持續(xù)大力扶持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2021年，全國兩會發(fā)布《中華人民共和國國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展第十四個(gè)五年規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要》，提出加強(qiáng)在人工智能、量子計(jì)算、集成電路前沿領(lǐng)域的前瞻性布局；2022年《“十四五”國家信息化規(guī)劃》提出加快集成電路；2023年《關(guān)于鞏固回升向好趨勢加力振作工業(yè)經(jīng)濟(jì)的通知》提出加強(qiáng)半導(dǎo)體材料提升工作等。綜合來看，國家持續(xù)對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)推出各項(xiàng)鼓勵(lì)政策，站在國家戰(zhàn)略高度對產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提出頂層規(guī)劃，自上而下地進(jìn)行多角度、全方位的扶持，加速產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具體措施包括財(cái)稅政策、研發(fā)項(xiàng)目支持、產(chǎn)業(yè)投資、人才補(bǔ)貼等。

三、行業(yè)壁壘

1、技術(shù)壁壘

化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)過程涉及微電子、半導(dǎo)體物理、材料學(xué)、電子線路、機(jī)械力學(xué)、熱力學(xué)等諸多學(xué)科，需多種學(xué)科的交叉融合，行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要綜合掌握外延、微細(xì)加工、封裝測試等多領(lǐng)域技術(shù)或工藝，并加以整合集成。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，技術(shù)門檻較高。下游產(chǎn)品呈現(xiàn)多功能化、低能耗、體積輕薄等發(fā)展趨勢以及新技術(shù)、新應(yīng)用領(lǐng)域的大量涌現(xiàn)，對化合物半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)提出了非常高的技術(shù)要求。行業(yè)內(nèi)企業(yè)需要擁有豐厚的技術(shù)、工藝經(jīng)驗(yàn)儲備并持續(xù)技術(shù)革新和創(chuàng)新，而且能夠在短期內(nèi)成功開發(fā)出多品類、適宜量產(chǎn)的產(chǎn)品，才能在市場上站穩(wěn)腳步。新進(jìn)企業(yè)很難在短時(shí)間內(nèi)掌握先進(jìn)技術(shù)，亦難以持續(xù)保持技術(shù)的先進(jìn)性，這些均構(gòu)成了較高的技術(shù)壁壘。

2、人才壁壘

化合物半導(dǎo)體行業(yè)是技術(shù)密集型行業(yè)，行業(yè)的高技術(shù)門檻同時(shí)也造就了該行業(yè)的高人才門檻，企業(yè)的高素質(zhì)的經(jīng)營管理團(tuán)隊(duì)和具備持續(xù)創(chuàng)新力的研發(fā)團(tuán)隊(duì)的實(shí)力決定了企業(yè)的核心競爭力。雖然國內(nèi)半導(dǎo)體的研究人員較多，但相當(dāng)一部分人員往往缺乏對半化合物半導(dǎo)體尤其是先進(jìn)產(chǎn)品的長期實(shí)踐和經(jīng)驗(yàn)積累，缺乏成功的實(shí)戰(zhàn)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，從理論研究到實(shí)踐操作仍有很大的跨度。而且，行業(yè)內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)品技術(shù)升級、新產(chǎn)品推出、產(chǎn)品的售后服務(wù)上，對生產(chǎn)技術(shù)工人、研發(fā)技術(shù)人才和專業(yè)的營銷人才有一定的依賴性，新進(jìn)入企業(yè)很難在短時(shí)間內(nèi)招募到足夠的上述人才，這會對公司的生產(chǎn)效率、產(chǎn)品成本、交貨期等產(chǎn)生重大不利影響。因此，化合物半導(dǎo)體行業(yè)需要既懂芯片設(shè)計(jì)同時(shí)又懂生產(chǎn)制造工藝、器件可靠性及應(yīng)用的高素質(zhì)人才，這在很大程度上也提高了該行業(yè)企業(yè)的準(zhǔn)入門檻。

3、資金壁壘

化合物半導(dǎo)體行業(yè)亦屬于資本密集型行業(yè)。從行業(yè)投入設(shè)備看，外延、光刻、蝕刻、離子注入、擴(kuò)散等工序所必須的高技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)加工和測試設(shè)備主要依靠向歐美、日韓等進(jìn)口，價(jià)格昂貴。從研發(fā)設(shè)計(jì)看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)從購買仿真軟件和版圖繪制軟件到光刻版制作、成品封裝測試、應(yīng)用評估、可靠性考核都需要大量資金支持。從日常運(yùn)營看，行業(yè)內(nèi)企業(yè)一方面需要龐大的流動資金來用于芯片代工及芯片封裝測試；另一方面，需要有非常齊全的產(chǎn)品品類來滿足下游各領(lǐng)域的需求，保持足夠的市場占有率和品牌影響力，這就要求企業(yè)保持較高的營運(yùn)資金水平。另外，行業(yè)技術(shù)更新?lián)Q代快，產(chǎn)品競爭激烈，對企業(yè)的研發(fā)投入和人才投入等也有較高的要求。綜上，如果行業(yè)內(nèi)新進(jìn)企業(yè)沒有持續(xù)性高水平的資金投入，將很難與化合物半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)進(jìn)行競爭。

4、質(zhì)量管控壁壘

化合物半導(dǎo)體作為內(nèi)嵌于電子整機(jī)產(chǎn)品中的關(guān)鍵零部件之一，在電流、電場、濕度以及溫度等外界應(yīng)力激活的影響下，存在潛在的失效風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而影響電子整機(jī)產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。如果電子整機(jī)產(chǎn)品質(zhì)量和性能未達(dá)到要求，將直接影響下游應(yīng)用領(lǐng)域中高價(jià)值產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，從而造成大量損失。因此，在化合物半導(dǎo)體大批量生產(chǎn)過程當(dāng)中，對產(chǎn)品良率、失效率及一致性水平等方面提出了較高要求。實(shí)現(xiàn)精益化生產(chǎn)、擁有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備、精細(xì)的現(xiàn)場管理以及長期的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)沉積是行業(yè)內(nèi)企業(yè)確保產(chǎn)品質(zhì)量、性能和可靠性的基本保障。行業(yè)新進(jìn)入者由于缺少長期的生產(chǎn)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)積累以及成熟的質(zhì)量管理體系，短期內(nèi)較難達(dá)到相關(guān)質(zhì)量控制要求。

5、客戶認(rèn)證壁壘

化合物半導(dǎo)體很大程度上影響下游產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，因此通過客戶嚴(yán)格的認(rèn)證是進(jìn)入本行業(yè)開展競爭的必要條件?；衔锇雽?dǎo)體作為電子信息產(chǎn)業(yè)中的一種基礎(chǔ)性元器件，最終應(yīng)用于規(guī)?；南掠螐S商，包括消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)電子等。為了保證產(chǎn)品品質(zhì)及性能的穩(wěn)定性，下游客戶通常對供應(yīng)商有較嚴(yán)格的認(rèn)證條件，要求供應(yīng)商除了具備行業(yè)內(nèi)較領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品、服務(wù)以及穩(wěn)定的量產(chǎn)能力外，還須通過行業(yè)內(nèi)質(zhì)量管理體系認(rèn)證或下游客戶嚴(yán)格的采購認(rèn)證程序，一旦通過則能與客戶建立起長期、穩(wěn)定的合作關(guān)系。行業(yè)新進(jìn)入者通過下游客戶的認(rèn)證需要一定的周期以及較高的條件，這對新進(jìn)入者形成了較高的壁壘。

四、產(chǎn)業(yè)鏈

化合物半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)難度高、投資規(guī)模大、產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)長、產(chǎn)品種類多、更新迭代快、下游應(yīng)用廣泛的特點(diǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)垂直分工格局。半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游中的重要組成部分，在集成電路、分立器件等半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)制造中起到關(guān)鍵性的作用，其對于我國產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級及國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展具有重要意義。半導(dǎo)體材料可細(xì)分為襯底、靶材、化學(xué)機(jī)械拋光材料、光刻膠、電子濕化學(xué)品、電子特種氣體、封裝材料等材料，其中襯底是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域最核心的材料。襯底由單元素半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體組成，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、磷化銦（lnP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成的半導(dǎo)體。化合物半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)鏈包含芯片設(shè)計(jì)、制造和封裝測試環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體設(shè)備屬于芯片制造、封測的支撐性產(chǎn)業(yè)。半導(dǎo)體產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子、軌道交通、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。

化合物半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈

半導(dǎo)體材料

隆基綠能科技股份有限公司

天津市環(huán)歐半導(dǎo)體材料技術(shù)有限公司

上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司

浙江中晶科技股份有限公司

上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司

浙江金瑞泓科技股份有限公司

上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司

TCL中環(huán)新能源科技股份有限公司

杭州立昂微電子股份有限公司

半導(dǎo)體設(shè)備

Samsung Electronics

Intel

Qualcomm

SK Hynix

Broadcom Limited

中芯國際集成電路制造有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司

江蘇長電科技股份有限公司

日月光投資控股股份有限公司

上游

日本住友電氣工業(yè)株式會社

德國費(fèi)里伯格化合物材料公司

云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司

廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司

中游

網(wǎng)絡(luò)通信

工業(yè)控制

消費(fèi)電子

汽車電子

軌道交通

電力系統(tǒng)

下游

五、行業(yè)現(xiàn)狀

磷化銦是磷和銦的化合物，磷化銦作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良特性。使用磷化銦襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備飽和電子漂移速度高、發(fā)光波長適宜光纖低損通信、抗輻射能力強(qiáng)、導(dǎo)熱性好、光電轉(zhuǎn)換效率高、禁帶寬度較高等特性，因此磷化銦襯底可被廣泛應(yīng)用于制造光模塊器件、傳感器件、高端射頻器件等。20世紀(jì)90年代以來，磷化銦技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為主流半導(dǎo)體材料之一。2026年全球磷化銦襯底（折合二英寸）預(yù)計(jì)銷量為128.19萬片，2019-2026年復(fù)合增長率為14.40%；2026年全球磷化銦襯底市場規(guī)模為2.02億美元，2019-2026年復(fù)合增長率為12.42%。

砷化鎵是砷與鎵的化合物，砷化鎵作為半導(dǎo)體材料具有優(yōu)良的特性。使用砷化鎵襯底制造的半導(dǎo)體器件，具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性，因此砷化鎵襯底被廣泛用于生產(chǎn)LED、射頻器件、激光器等器件產(chǎn)品。20世紀(jì)90年代以來，砷化鎵技術(shù)得以迅速發(fā)展，并逐漸成為最成熟的半導(dǎo)體材料之一。2019年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量約為2,000萬片，預(yù)計(jì)到2025年全球折合二英寸砷化鎵襯底市場銷量將超過3,500萬片；2019年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模約為2億美元，預(yù)計(jì)到2025年全球砷化鎵襯底市場規(guī)模將達(dá)到3.48億美元，2019-2025年復(fù)合增長率9.67%。

2019-2026年全球磷化銦和砷化鎵襯底預(yù)計(jì)銷量和市場規(guī)模

六、發(fā)展因素

1、機(jī)遇

（1）全球產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來重要機(jī)遇

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈歷史上曾經(jīng)歷過兩次地域上的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次為20世紀(jì)70年代從美國向日本轉(zhuǎn)移，第二次是20世紀(jì)80年代從日本向韓國和中國臺灣地區(qū)轉(zhuǎn)移。目前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于向中國大陸地區(qū)轉(zhuǎn)移的進(jìn)程之中。目前，半導(dǎo)體材料仍是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)較為薄弱的環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國大陸轉(zhuǎn)移的背景下，中國大陸作為全球最大的半導(dǎo)體終端應(yīng)用市場，將有望吸引更多國內(nèi)外半導(dǎo)體企業(yè)在中國大陸建廠，將進(jìn)一步提升國內(nèi)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的整體發(fā)展水平，預(yù)計(jì)未來中國大陸化合物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)鏈配套環(huán)境將顯著改善，市場份額占比也將持續(xù)擴(kuò)大。

（2）新應(yīng)用產(chǎn)生的新需求帶來的新機(jī)遇

化合物半導(dǎo)體襯底材料具有優(yōu)異的性能，但長期受限于下游應(yīng)用領(lǐng)域市場規(guī)模較小并且自身成本較高，因此其市場規(guī)模遠(yuǎn)低于硅襯底材料。然而，近年來，化合物半導(dǎo)體出現(xiàn)了多個(gè)新的應(yīng)用領(lǐng)域，為襯底企業(yè)帶來了增量市場，例如Mini LED、Micro LED、可穿戴設(shè)備傳感器、車載激光雷達(dá)、生物識別激光器等。該等需求均處于產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程之中，由于化合物襯底市場規(guī)?；鶖?shù)很低，上述每一個(gè)市場的放量均會對整個(gè)半導(dǎo)體襯底市場帶來顯著的拉動作用。此外，在化合物半導(dǎo)體的固有應(yīng)用領(lǐng)域：基站及數(shù)據(jù)中心的光模塊、智能手機(jī)及基站射頻器件等市場，5G通信、大數(shù)據(jù)及云計(jì)算的快速發(fā)展也帶來了5G基站建設(shè)、數(shù)據(jù)中心建設(shè)、5G智能手機(jī)更新?lián)Q代的機(jī)遇，體現(xiàn)在半導(dǎo)體襯底市場均是很大的增長點(diǎn)。

2、挑戰(zhàn)

（1）半導(dǎo)體行業(yè)投資過熱可能產(chǎn)生供需錯(cuò)配以及人才流失

在我國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的過程中，隨著大量資本涌入，出現(xiàn)了一定程度的投資過熱，部分企業(yè)的規(guī)模與其技術(shù)水平并不匹配，預(yù)計(jì)未來低端產(chǎn)品領(lǐng)域可能面臨惡性競爭，同時(shí)行業(yè)人才也可能會因競爭對手高薪聘請而流失。

（2）國家對于環(huán)保、安全生產(chǎn)的要求不斷提高

2015年，砷化鎵被國家安監(jiān)局列入了危險(xiǎn)化學(xué)品清單，行業(yè)監(jiān)管政策地不斷趨嚴(yán)要求砷化鎵襯底企業(yè)不斷加強(qiáng)對原材料、半成品及產(chǎn)成品運(yùn)輸、使用、生產(chǎn)等環(huán)節(jié)的管理，行業(yè)安全生產(chǎn)投入將不斷提高，以確保生產(chǎn)經(jīng)營的合法、合規(guī)性。化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)的生產(chǎn)工藝涉及化學(xué)合成工藝、高溫高壓合成工藝、物理切割拋光清洗工藝、提純工藝等，會產(chǎn)生一定的“三廢”排放。隨著國家對于環(huán)境治理標(biāo)準(zhǔn)的不斷提高，以及客戶對供應(yīng)商產(chǎn)品品質(zhì)的提高，化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)的環(huán)保治理成本也將不斷增長。

七、競爭格局

化合物半導(dǎo)體行業(yè)市場集中度較高，主要供應(yīng)商包括Sumitomo、北京通美、日本JX、Umicore等。磷化銦單晶批量生長的技術(shù)主要包括LEC法、VGF法和VB法。北京通美和Sumitomo分別使用VGF和VB技術(shù)可以生長出直徑6英寸磷化銦單晶，日本JX使用LEC技術(shù)可以生長出直徑4英寸的磷化銦單晶。砷化鎵晶體主流生長工藝包括LEC法、HB法、VB法以及VGF法等，其中Sumitomo砷化鎵單晶生產(chǎn)以VB法為主，F(xiàn)reiberger以VGF和LEC法為主，而北京通美則以VGF法為主。目前國內(nèi)涉及砷化鎵襯底業(yè)務(wù)的公司較少，除北京通美外，廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司等公司在生產(chǎn)LED的砷化鎵襯底方面已具備一定規(guī)模。

八、發(fā)展趨勢

1、化合物半導(dǎo)體襯底尺寸不斷增大

與硅襯底類似，化合物半導(dǎo)體襯底也在不斷向更大尺寸演進(jìn)化合物半導(dǎo)體襯底的直徑越大，在單片襯底上可制造的芯片數(shù)量越多，制造單位芯片的成本也越低。同時(shí)，在圓形的襯底上制造矩形的芯片會使襯底邊緣處的一些區(qū)域無法被利用，而襯底的直徑越大，相對而言襯底邊緣的損失會越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。降低芯片制造成本對下游芯片和器件企業(yè)而言，也是擴(kuò)大在新興應(yīng)用領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化規(guī)模的關(guān)鍵因素之一。對化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)而言，下游客戶降低制造芯片成本的需求對擴(kuò)大化合物半導(dǎo)體襯底直徑提出了更高的要求。當(dāng)前，全球砷化鎵襯底以4-6英寸為主流直徑，隨著Mini LED以及MicroLED技術(shù)的逐漸成熟，其對LED芯片數(shù)量的需求將呈幾何級數(shù)增長，因此砷化鎵襯底也開始向8英寸發(fā)展，助力Mini LED以及MicroLED產(chǎn)業(yè)盡快降低芯片成本，推進(jìn)其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程；全球磷化銦襯底以2-4英寸為主流直徑，在光通信及傳感器需求迅速發(fā)展的背景下，目前正處于向6英寸襯底發(fā)展的過程之中。隨著5G通信、新一代顯示等下游應(yīng)用領(lǐng)域迎來新一輪投資周期，下游客戶的新建產(chǎn)線很可能向更大尺寸切換，擁有大尺寸化合物半導(dǎo)體襯底供應(yīng)能力的企業(yè)有望在新一輪產(chǎn)業(yè)周期中獲得市場先機(jī)。單晶體擴(kuò)徑技術(shù)需要綜合考慮熱場設(shè)計(jì)、擴(kuò)徑結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、晶體制備工藝設(shè)計(jì)等多方面的工藝控制；更大直徑的襯底也對平整度、位錯(cuò)密度、表面顆粒度提出了更高的要求，隨著襯底尺寸的擴(kuò)大，對化合物半導(dǎo)體單晶生長技術(shù)和襯底切磨拋洗技術(shù)的要求也不斷提高。

2、化合物半導(dǎo)體單晶體長度不斷提升

隨著單晶體直徑的擴(kuò)大，單晶體的體積和重量也不斷增加，對單晶生長設(shè)備、坩堝和工藝控制的要求越高。當(dāng)前，大直徑化合物單晶體的生長長度非常有限，切割后實(shí)際可使用的晶體長度更短，導(dǎo)致材料成本居高不下，影響產(chǎn)業(yè)鏈下游的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。因此，在化合物半導(dǎo)體襯底向大直徑發(fā)展的同時(shí)，大直徑單晶體的生長長度也需要不斷提升。

3、化合物半導(dǎo)體襯底的性能指標(biāo)持續(xù)提升

化合物半導(dǎo)體襯底的性能會直接影響下游芯片和器件產(chǎn)品的各項(xiàng)性能，尤其是在芯片和器件尺寸不斷縮小的趨勢下，化合物半導(dǎo)體襯底的位錯(cuò)密度、電阻率均勻性、平整度、表面顆粒度等核心性能指標(biāo)將直接影響到器件的良率和成本，影響到其在下游應(yīng)用領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。在化合物半導(dǎo)體襯底的生產(chǎn)過程中，對原輔料的品質(zhì)管控、多晶體合成工藝、單晶體生長過程中的工藝控制、切磨拋及清洗工藝、量測技術(shù)、密封包裝技術(shù)等都會影響到襯底的上述性能指標(biāo)。襯底廠商需要不斷研發(fā)新的技術(shù)和工藝，以持續(xù)提升產(chǎn)品的性能指標(biāo)，滿足下游外延、芯片和器件企業(yè)的需求。