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半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)快報(bào):65NM ARF光刻機(jī)官宣 國產(chǎn)光刻機(jī)行則將至

事件點(diǎn)評


65nm ArF 光刻機(jī)官宣,參數(shù)對標(biāo)ASML1460K 及Nikon S322F。為促進(jìn)首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備創(chuàng)新發(fā)展和推廣應(yīng)用,加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)、財(cái)政、金融、科技等國家支持政策的協(xié)同,工業(yè)和信息化部印發(fā)《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024 年版)》。根據(jù)市場監(jiān)管總局等五部門聯(lián)合印發(fā)的《中國首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備檢測評定管理辦法(試行)》,該文件對中國首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備做出了明確定義:指在國內(nèi)實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)突破、擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),但尚未在市場上取得明顯業(yè)績的裝備產(chǎn)品,包括整機(jī)設(shè)備、核心系統(tǒng)和關(guān)鍵零部件等。


在《首臺(tái)(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024 年版)》電子專用裝備目錄下,集成電路設(shè)備方面披露氟化氬光刻機(jī)和氟化氪光刻機(jī),兩者均屬于DUV光刻機(jī),氟化氬(ArF)光刻機(jī)參數(shù)為分辨率≤65nm、套刻≤8nm;氟化氪(KrF)參數(shù)為分辨率≤ 110nm 、套刻≤ 25nm 。其中, 65nm ArF 光刻機(jī)指標(biāo)與ASML1460K/Nikon S322F 接近。根據(jù)華瑞博遠(yuǎn)統(tǒng)計(jì),ASML1460K ArF 光刻機(jī),波長為193nm,分辨率≤65nm、套刻精度為3.5/5.0nm,產(chǎn)量≥205wph;NikonS322F ArF 光刻機(jī),波長為193nm(134nm),分辨率≤65nm、套刻精度為2.0/5.0nm,產(chǎn)量≥230wph。根據(jù)光刻人筆記信息,65nm 工藝的主要特點(diǎn)包括足夠成熟、足夠先進(jìn)(相對于90nm)、良率高、產(chǎn)量大以及設(shè)計(jì)平臺(tái)的成熟可靠。與前一代90nm 制程相比,65nm 制程的標(biāo)準(zhǔn)元件密度增加兩倍,具備更高的整合性和更好的性能。此外,65nm 工藝還廣泛應(yīng)用于射頻器件(RF-SOI)的生產(chǎn)中,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。


套刻精度為前后圖案層對齊精度,工藝節(jié)點(diǎn)越小對套刻精度要求越高。套刻精度(overlay),指前一個(gè)圖案層與后一個(gè)圖案層之間的對齊精度。由于一個(gè)器件可能需要經(jīng)過多次光刻步驟來完成不同層,因此每一層圖案都需要與先前層精確對齊。細(xì)微的偏移可能會(huì)導(dǎo)致電路性能降低,良率下降,甚至芯片完全失效。


兩層之間圖案的實(shí)際相對位置與期望相對位置之間的偏差,叫套刻準(zhǔn)容差。套刻容差越大,實(shí)際生產(chǎn)中的套準(zhǔn)誤差越大,同一個(gè)器件,需要的面積也就越大,會(huì)產(chǎn)生許多問題。隨著特征尺寸的減小,允許的絕對套準(zhǔn)誤差變得更小。而隨著特征尺寸的降低,芯片的層數(shù)一般會(huì)持續(xù)增加,套準(zhǔn)誤差可能會(huì)在多個(gè)層級中累積。


這些誤差可以疊加起來,導(dǎo)致更大的綜合偏差。套刻精度分為OPO(產(chǎn)品本身的套刻精度)、DCO(同一臺(tái)設(shè)備自身套自身的精度),MMO(不同設(shè)備之間的套刻精度),如ASML 的NXT 1980Di,OPO≤3.5nm,DCO≤1.6nm,MMO≤2.5nm。根據(jù)電子工程世界披露,1980Di 是ASML 現(xiàn)有效率較低光刻機(jī),支持NA1.35 光學(xué)器件、分辨率<38nm,理論上可以支持7nm 工藝,大多數(shù)晶圓廠使用1980Di 光刻機(jī),主要生產(chǎn)14nm 及以上工藝芯片。


投資建議:光刻機(jī)技術(shù)是半導(dǎo)體工藝中的關(guān)鍵,決定了芯片晶體管尺寸大小,直接影響芯片性能和功耗。自美國對中國半導(dǎo)體制裁起,光刻機(jī)對國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈自主可控重要性日益凸顯。建議關(guān)注光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”環(huán)節(jié)中技術(shù)積累較深或直接/間接進(jìn)入ASML/上海微電子等供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)廠 商。如芯碁微裝(直寫光刻)、富創(chuàng)精密(零部件)、炬光科技(光學(xué)器件)、賽微電子(物鏡)、波長光電(光源)、奧普光電(整機(jī))、騰景科技(光學(xué)器件)、福晶科技(光源)、茂萊光學(xué)(光源)、電科數(shù)字(計(jì)算/控制模塊)、新萊應(yīng)材(零部件)、美??萍?藍(lán)英裝備(潔凈設(shè)備)、同飛股份/海立股份(溫控)、東方嘉盛(服務(wù))、上海微電子(整機(jī),未上市)、華卓精科(工件臺(tái),未上市)。


風(fēng)險(xiǎn)提示:技術(shù)研發(fā)風(fēng)險(xiǎn);宏觀經(jīng)濟(jì)和行業(yè)波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn);國際貿(mào)易摩擦風(fēng)險(xiǎn)。


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轉(zhuǎn)自華金證券股份有限公司 研究員:孫遠(yuǎn)峰/王海維

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2025-2031年中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢及投資決策建議報(bào)告
2025-2031年中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢及投資決策建議報(bào)告

《2025-2031年中國光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展態(tài)勢及投資決策建議報(bào)告》共十一章,包含光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展趨勢分析,2025-2031年中國光刻機(jī)的投資風(fēng)險(xiǎn)與投資建議,研究結(jié)論及發(fā)展建議等內(nèi)容。

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