半導體行業(yè)深度報告(三)：新能源打開IGBT天花板 新產能蓄力國產企業(yè)新臺階

IGBT是功率器件中的復合型器件，被稱為電子電力行業(yè)的“CPU”和新能源“芯片”。

IGBT是雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應管（MOS）結合組成的，綜合BJT高電流密度和MOS高輸入阻抗的特點，具有驅動功率小而飽和壓降低的顯著性能優(yōu)勢，在電子元器件中發(fā)揮電源開關和電能轉換兩大功能，廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)控制、白色家電、新能源發(fā)電、軌道交通等領域，其中車規(guī)級IGBT的安全穩(wěn)定性要求高于消費級和工業(yè)級IGBT。自問世以來，IGBT不斷在技術迭代，主要向著降低開關損耗和創(chuàng)建更薄的結構方向改善和發(fā)展，其縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝方面不斷升級改進，共經歷了七次大型技術演變，各項指標在演變中不斷優(yōu)化。目前，IGBT芯片已經迭代至第七代精細溝槽棚場截止型IGBT，但考慮成本后，應用最廣泛的仍是IGBT第四代產品。

我們預計2026年中國IGBT市場規(guī)模將達到685.78億元，2022-2026年CAGR有望達21.48%。受益于新能源領域的快速發(fā)展，我國IGBT市場不斷擴張推向新高點，其中新能源汽車是最重要的驅動力。根據我們測算，國內新能源汽車IGBT市場規(guī)模將從2022年的130.98億元快速增長至2026年的407.84億元，年復合增速為32.84%；新能源發(fā)電是第二大IGBT增量市場，隨著光伏、風電新增裝機量的快速提升，我國新能源發(fā)電IGBT市場規(guī)模將在2026年達到44.19億元，CAGR為21.34%。下游應用領域中，新能源汽車市場占比最大，2022年從42%有望逐步提升至2026年的60%，其次為工控、變頻白電和新能源發(fā)電，預期2026年占比分別為18%、15%以及6%，軌道交通體量相對較小，預期2026年占比為1%。在節(jié)能減排政策的背景下，工業(yè)控制、變頻白色家電等節(jié)能效果明顯的產品近年來市場規(guī)模也實現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)定增長。

2021全球IGBT單管和模塊TOP3企業(yè)均為海外企業(yè)，市場份額分別為53%和56%，國內企業(yè)士蘭微在單管市場中份額為4%，斯達半導和中車時代在模塊市場中份額分別為3%和2%，隨著國產替代程度加深，國產化率在2023年有望升至32.90%。根據Omdia數據，2021年全球IGBT單管和模塊市場中，海外企業(yè)英飛凌、富士電機、三菱電機占據了一半以上的市場份額，CR3分別為53%和56%，其中英飛凌的市場份額分別為29%和33%，占據絕對龍頭地位，這些歐美日廠商資金實力雄厚、技術水平領先、產業(yè)經驗豐富，以IDM模式為主導憑借先發(fā)優(yōu)勢搶占了絕大部分市場份額。國內廠商所占市場份額較低，2021年全球IGBT單管市場中只有士蘭微進入前十大廠商，占比為4%，2021年全球IGBT模塊市場中只有斯達半導和中車時代進入前十大廠商，占比分別3%和2%。短期海外龍頭廠商交貨周期維持穩(wěn)定，同時下游需求仍保持活躍為國產廠商發(fā)展帶來了機遇，國內廠商多為Fabless模式，正逐步向IDM轉型突破產能受限問題，國產替代穩(wěn)步推進，根據中商產業(yè)研究院數據，IGBT國產化率將在2023達到32.90%。

建議關注車規(guī)級及新能源IGBT賽道優(yōu)質標的。IGBT市場在新能源領域推動和政策支撐下將迎來快速增長期，新能源汽車市場是最充足的驅動力，車規(guī)級IGBT的認證周期長、技術壁壘高、受到客戶認可難度大，國內廠商正進一步實現(xiàn)技術突破同時擴張產能布局提高核心競爭力，國產替代正駛入加速帶。建議關注：IGBT模塊龍頭企業(yè)斯達半導、IGBT行業(yè)領軍企業(yè)宏微科技、軌交和車規(guī)級IGBT龍頭企業(yè)時代電氣、半導體IDM龍頭企業(yè)士蘭微、IDM+Fabless模式相結合企業(yè)揚杰科技、ODM+功率半導體龍頭企業(yè)聞泰科技。

風險提示：1）新能源發(fā)展不及預期；2）技術迭代不及預期；3）產能建設不及預期。

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轉自東海證券股份有限公司 研究員：方霽