科研團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)新的超導(dǎo)形成機(jī)制

東京大學(xué)和東京工業(yè)大學(xué)在合作研究中發(fā)現(xiàn)，通過(guò)在碳化硅（SiC）晶體基板表面制作單一原子層的石墨烯，然后向其上面蒸鍍鈣（在真空中層積原子）并進(jìn)行加熱處理，制作出的樣品在冷卻后具備超導(dǎo)特性。相關(guān)論文發(fā)表在美國(guó)化學(xué)學(xué)會(huì)雜志《ACS Nano》上。

研究人員認(rèn)為，這一超導(dǎo)現(xiàn)象是由于鈣原子直接結(jié)合到SiC晶體表面，使原來(lái)單原子層的石墨烯變成雙原子層，而鈣原子穿入到兩層石墨烯的夾層之間，從而產(chǎn)生超導(dǎo)性。這也表明，除了正常金屬電子態(tài)之外，石墨烯狄拉克粒子電子態(tài)以及特異電子態(tài)“范霍夫奇點(diǎn)”也與超導(dǎo)特性的形成有關(guān)。該研究成果意味著，在作為功率元件而備受關(guān)注和研究的SiC基板上可制作出石墨烯二維超導(dǎo)體。

注：本文摘自國(guó)外相關(guān)研究報(bào)道，文章內(nèi)容不代表本網(wǎng)站觀點(diǎn)和立場(chǎng)，僅供參考。

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