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2020年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展的影響因素、發(fā)展機遇及市場銷售額預(yù)測[圖]

    一、半導(dǎo)體材料發(fā)展的影響因素

    半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ•cm~1GΩ•cm范圍內(nèi))、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。以下對半導(dǎo)體材料發(fā)展前景分析。

    從歷史數(shù)據(jù)可以看到,半導(dǎo)體材料市場與行業(yè)變化情況相關(guān)性強。半導(dǎo)體材料市場會根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)的變化而變化。目前,2015 年全球半導(dǎo)體材料市場產(chǎn)值已達(dá)到434 億美元,約占據(jù)半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)的13%,其規(guī)模巨大。

    近幾年,由于市場需求的不斷擴大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移等等原因,我國集成電路產(chǎn)業(yè)保持較高增長率。整個半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展,這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐??梢哉f,半導(dǎo)體整體市場發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來前所未有的發(fā)展機遇。

半導(dǎo)體材料發(fā)展的有利因素

1
資金扶持及政策驅(qū)動
近年,隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的頒布實施,集成電路、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國家戰(zhàn)略,各地發(fā)展集成電路的熱情高漲,上海、南京、安徽、福建、重慶和成都等地紛紛推出集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展助力并提供資金支持。2016年11月-12月,國務(wù)院相繼發(fā)布《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》及《“十三五”國家信息化規(guī)劃》、國家發(fā)改委聯(lián)合工信部發(fā)布《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》等一系列政策,旨在推動產(chǎn)業(yè)能力實現(xiàn)快速躍升,大力推進(jìn)集成電路創(chuàng)新突破,著力提升集成電路設(shè)計水平、建成技術(shù)先進(jìn)且安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系;2017年4月,科技部發(fā)布《國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》,不斷優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),推進(jìn)集成電路及專用裝備關(guān)鍵核心技術(shù)突破和應(yīng)用;“十三五”期間,科技部制定的《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》也在戰(zhàn)略性電子材料發(fā)展方向?qū)Φ谌雽?dǎo)體材料技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)布局,在新材料技術(shù)發(fā)展方面,重點發(fā)展戰(zhàn)略性電子材料、先進(jìn)結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料、新型功能與智能材料,滿足戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求。
2
部分關(guān)鍵技術(shù)突破加快
在大規(guī)模集成電路制造裝備、成套工藝專項以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的推動下,近年來我國半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)取得較快進(jìn)步,部分關(guān)鍵設(shè)備從無到有,實現(xiàn)了與國際先進(jìn)技術(shù)水平的同步發(fā)展。同時,部分國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入大生產(chǎn)線,在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程上取得突破。結(jié)合半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)水平、全球競爭力,以及國產(chǎn)化進(jìn)度等方面來看,我國在靶材、封裝基板、CMP拋光材料等方面,部分產(chǎn)品技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)達(dá)到了全球一流水平,本土產(chǎn)線已實現(xiàn)中大批量供貨;在硅片、電子氣體、化合物半導(dǎo)體、掩模版等方面,個別產(chǎn)品技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)達(dá)已經(jīng)到全球一流水平,本土產(chǎn)線也已實現(xiàn)小批量供貨。
3
)產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動半導(dǎo)體材料需求擴大
近年來我國在芯片制程技術(shù)和高端電子產(chǎn)品等方面不斷發(fā)展,半導(dǎo)體大硅片國產(chǎn)需求迫切。然而,中國芯片自給率并不高,國內(nèi)芯片發(fā)展同美國、日本、韓國等國家相比依然存在著較大的差距,中國半導(dǎo)體市場當(dāng)前已成為全球增長引擎,下游半導(dǎo)體行業(yè)未來3年全球產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的趨勢已然明確,本土的制造、封測、設(shè)計環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模全球占比也將迅速提升,帶動著上游材料需求的迅速擴大。同時,隨著近年一系列政策落地實施,半導(dǎo)體成為國家戰(zhàn)略,國產(chǎn)替代進(jìn)入黃金時代,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金開始運作,中國集成電路產(chǎn)業(yè)保持了高速增長,政府的政策支持在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中起到了決定性的作用。在政策與需求擴增的雙重推動作用下,本土半導(dǎo)體材料需求不斷擴大,市場發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來了前所未有的發(fā)展機遇。

數(shù)據(jù)來源:公開資料整理

半導(dǎo)體材料發(fā)展的不利因素

1
行業(yè)起步晚,基礎(chǔ)不足
一方面,由于我國半導(dǎo)體行業(yè)起步較晚,而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入成本又相對高,受到資金及技術(shù)等多方面因素的約束限制,我國在半導(dǎo)體行業(yè)的早起投入不足,因此,較美國、韓國、日本等國家而言,中國的半導(dǎo)體行業(yè)基礎(chǔ)不足,相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平亦相對落后,與上述國家存在較大差距。另一方面,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高技術(shù)行業(yè),缺少高端集成電路人才,在晶圓長制造工藝方面,短缺嚴(yán)重的問題更加凸顯。中國半導(dǎo)體行業(yè)要想實現(xiàn)快速健康發(fā)展以期達(dá)到先進(jìn)國家的水平或超越世界領(lǐng)先水平,還需政府和企業(yè)持續(xù)發(fā)力,再者,半導(dǎo)體是一個集成性的行業(yè),單單一個芯片的產(chǎn)生就需要近乎萬人的工作量,同時也需要多年的經(jīng)驗積累和創(chuàng)新。
2
技術(shù)短板明顯,尚未掌握核心技術(shù)
半導(dǎo)體行業(yè)是典型的“金字塔”結(jié)構(gòu),越上游的企業(yè)反而越少,產(chǎn)值越大,技術(shù)難度也越高。由于起步晚、相關(guān)技術(shù)缺少,我國半導(dǎo)體發(fā)展受限,尤其是在許多核心技術(shù)方面,尚未掌握其關(guān)鍵。同時,受體制問題和西方國家的抵制,關(guān)鍵設(shè)備(如光刻設(shè)備(光刻機))禁止向中國出售最新設(shè)備,導(dǎo)致我國集成電路核心技術(shù)受制于人,核心產(chǎn)品和技術(shù)的市場占有率偏低,雖然有一定份額,但基本分布在中低端市場,企業(yè)實力較弱,整體創(chuàng)新水平很低,產(chǎn)品附加值、同質(zhì)化競爭等方面都與美、日、韓等國存在很大差距。中國擁有全球最大的半導(dǎo)體消費市場,但因核心技術(shù)缺少,到目前為止,關(guān)鍵芯片領(lǐng)域仍然依賴于外國進(jìn)口。“國產(chǎn)化”是未來發(fā)展的一大趨勢,要想推進(jìn)我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速穩(wěn)健發(fā)展,解決我國半導(dǎo)體核心技術(shù)顯得尤為迫切。
3
人才結(jié)構(gòu)性短缺
隨著全球集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步走向成熟期,半導(dǎo)體并購放緩,半導(dǎo)體集成電路人才的極度缺失浮出水面,中國亦不例外。雖然經(jīng)過多年的發(fā)展,我國培養(yǎng)出了一批人才隊伍,但是無論是從數(shù)量上還是從質(zhì)量上來說,都遠(yuǎn)不足以滿足我國當(dāng)前產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的迫切需要。具體來說,我國目前的人才結(jié)構(gòu)性短缺主要體現(xiàn)在以下兩個方面:一是缺乏高端領(lǐng)軍人才;二是缺乏集成電路領(lǐng)域的基礎(chǔ)性人才。雖然可以通過高薪挖角、海外引進(jìn)人才等方式可以在短時間彌補一定的國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高端領(lǐng)軍人才缺口,但要解決基礎(chǔ)性人才缺失,仍然需要依靠加強教育培養(yǎng)和企業(yè)培訓(xùn)。解決我國半導(dǎo)體人才短缺問題,要抱著改革的心態(tài),通過供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革的方式,改變當(dāng)前存在的機制體制問題,只有這樣才能建立起長效的發(fā)展機制。

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    工信部等部門聯(lián)合發(fā)布的《制造業(yè)人才發(fā)展規(guī)劃指南》也強調(diào)高素質(zhì)勞動人才的重要性,并且對人才發(fā)展機制做出了頂層設(shè)計。只有充分解決了半導(dǎo)體行業(yè)人才缺失問題,才能更好的發(fā)展中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),在今后超越發(fā)達(dá)國家,也是大有希望的。

    二、半導(dǎo)體市場有望回暖產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移造就歷史性機遇

    半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料,其中晶圓制造材料包括硅片(37%)、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、 CMP 拋光材料、以及靶材等;芯片封裝材料包括封裝基板(39%)、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。

    可以看出,和光伏鋰電不同,半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的環(huán)節(jié),且技術(shù)路徑相去甚遠(yuǎn),材料成本合計占比僅10%。

半導(dǎo)休制造材料市場構(gòu)成

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半導(dǎo)休封裝材料市場構(gòu)成

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    智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)市場前景規(guī)劃及銷售渠道分析報告》顯示:半導(dǎo)體材料行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),其中晶圓制造材料包括硅片、光掩模、光刻膠、光刻膠輔助材料、工藝化學(xué)品、電子特氣、靶材、CMP拋光材料(拋光液和拋光墊)及其他材料,封裝材料包括引線框架、封裝基板、陶瓷基板、鍵合絲、包封材料、芯片粘結(jié)材料及其他封裝材料,每一種大類材料又包括幾十種甚至上百種具體產(chǎn)品,細(xì)分子行業(yè)多達(dá)上百個。

2016-2019年全球晶圓制造材料市場規(guī)模及增長率(億美元、%)

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2016-2019年全球晶圓制造材料市場結(jié)構(gòu)(億美元)

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2018年全球晶圓制造材料市場細(xì)分產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

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    2019年,全球半導(dǎo)體行業(yè)實現(xiàn)銷售總收入4090億美元,同比下降12.8%。集成電路的細(xì)分項存儲器收入大幅下滑是拖累產(chǎn)業(yè)進(jìn)入低谷的首要因素。集成電路是半導(dǎo)體行業(yè)的最大組成部分,2019年收入3304億,占比達(dá)到80.8%,同比下降16.0%。集成電路的萎靡直接導(dǎo)致了半導(dǎo)體行業(yè)的景氣度下滑。集成電路又可細(xì)分為存儲器、邏輯電路、微處理器及模擬電路四個主要組成部分,2019年的收入分別為1059億/1046億/657億/542億,占比依次為32.1%/31.7%/19.9%/16.4%。在過去一年,集成電路各細(xì)分市場均出現(xiàn)了不同程度的下滑,其中首當(dāng)其沖是存儲器板塊,全年收入同比降低33.0%,成為拖累整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入低谷的首要因素。供給側(cè)來看,2018年,三星、SK以及Micron等全球存儲器芯片巨頭在創(chuàng)新技術(shù)上展開激烈競爭,在投資、建廠、擴產(chǎn)等方面紛紛布局,導(dǎo)致了產(chǎn)能過剩,2018-2019年上半年,DRAM和NANDFlash價格大幅下滑;需求側(cè)來看,全球智能手機、服務(wù)器等需求動能趨于疲軟。疊加中美貿(mào)易戰(zhàn)影響持久,2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了十年以來的最大降幅。

集成電路占半導(dǎo)體行業(yè)收入超過80%(美元)

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    動態(tài)來看,2019年下半年全球半導(dǎo)體市場開始復(fù)蘇,預(yù)計2020年市場將持續(xù)增長。經(jīng)過調(diào)整,目前半導(dǎo)體行業(yè)供應(yīng)鏈庫存情況已較大幅度改善,DRAM及NAND的價格呈現(xiàn)觸底回升趨勢。2019年下半年起,全球半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢。展望2020年,在5G、AI以及云計算等新興技術(shù)的應(yīng)用下,下游市場需求有望回暖并實現(xiàn)增長,推動全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重回上升周期。國際上多家市場調(diào)研機構(gòu)對2020年全球半導(dǎo)體市場做出了預(yù)測,除ObjectiveAnalysis認(rèn)為全球市場有可能出現(xiàn)下滑外,其余機構(gòu)普遍看好2020年的增長。在統(tǒng)計預(yù)測結(jié)果中,對2020年全球半導(dǎo)體市場增速預(yù)測的中位數(shù)為5.9%。

DRAM及NAND價格觸底回升

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國外機構(gòu)對2020年增速預(yù)測中位數(shù)為5.9%

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    近年來,半導(dǎo)體市場穩(wěn)步發(fā)展,2018年全球半導(dǎo)體行業(yè)總銷售額達(dá)到4687.78億美元,同比增長13.72%。

全球半導(dǎo)體銷售額及增長率

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    細(xì)化來看,半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額為645.3億美元;半導(dǎo)體材料總銷售額為519.4億美元,約占半導(dǎo)體行業(yè)整體的11%。集成電路方面,IC設(shè)計行業(yè)總銷售額為1139億美元,IC制造與封測市場規(guī)模2794億美元。

2018年全球半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)銷售額和市場規(guī)模

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    二、濺射靶材市場前景可期

    (一)、芯片制備的關(guān)鍵一環(huán)

    濺射工藝是制備電子薄膜的主要技術(shù)之一,它利用離子源產(chǎn)生的離子,在高真空中經(jīng)過加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動能交換,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。主要應(yīng)用場景包括超大規(guī)模集成電路制造等。

    靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要分金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜、終端應(yīng)用四個環(huán)節(jié)。其中濺射鍍膜是整個產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)要求最高的環(huán)節(jié)。濺射薄膜的品質(zhì)對下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。市場長期被美國、日本跨國集團壟斷,主要設(shè)備提供商包括AMAT(美國)、ULVAC(日本)、ANELVA(日本)、Varian(美國)、ULVAC(日本)等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。

濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈

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    (二)、需求:預(yù)計市場規(guī)模將繼續(xù)提升

    在PVD兩大系列鍍膜產(chǎn)品中,濺射鍍膜已成為最主要的薄膜材料制備方法,濺射靶材也是目前市場應(yīng)用量最大的PVD鍍膜材料。隨著消費類電子產(chǎn)品等終端應(yīng)用市場的快速發(fā)展,濺射靶材市場規(guī)模也日益擴大。2016年全球高純?yōu)R射靶材市場規(guī)模約113.6億美元,其中平板顯示、記錄媒體、太陽能電池和半導(dǎo)體分別占34%、29%、21%、10%。到2019年全球濺射靶材市場規(guī)模將超過163億美元,增幅43%,年復(fù)合增長率13%。

    2017年我國靶材需求市場規(guī)模202.2億元,其中顯示市場占比接近一半,磁記錄、半導(dǎo)體和太陽能市場分別占比28%、9%、8%。這顯示出我國顯示市場需求明顯大于全球平均,而太陽能市場低于全球平均。預(yù)測2018-2020年國內(nèi)靶材市場需求增速預(yù)計達(dá)到20%以上,市場規(guī)模將繼續(xù)提升。

全球濺射靶材市場規(guī)模(億美元)

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    1、半導(dǎo)體:中國市場增速更加穩(wěn)定,國產(chǎn)替代前景可期

    半導(dǎo)體集成電路的每個單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成,其中介質(zhì)層、導(dǎo)體層、保護(hù)層均需用到濺射鍍膜工藝。而集成電路領(lǐng)域鍍膜用靶材主要則包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等,一般來說,110nm晶圓技術(shù)節(jié)點以上使用鋁導(dǎo)線,配合鈦材料做阻擋層,而110nm晶圓技術(shù)節(jié)點以下使用銅導(dǎo)線,配合鉭材料做阻擋層。此外,隨著技術(shù)進(jìn)步,14nm晶圓技術(shù)節(jié)點中還大量使用鈦材作為高介電常數(shù)的介質(zhì)金屬柵極技術(shù)的主要材料。

    近年來半導(dǎo)體市場穩(wěn)步發(fā)展,2018年全球半導(dǎo)體材料銷售額519億美元,其中晶圓制造材料銷售322億美元,封裝材料銷售197億美元,總銷售額同比增長10.65%,增速較2017年繼續(xù)增加。濺射靶材市場約占晶圓制造材料的2.6%,約占封裝材料的2.7%,因此可測算出2018年全球半導(dǎo)體用靶材市場規(guī)模約13.69億美元。

    目前,全球的靶材制造行業(yè),特別是高純度的靶材市場,呈現(xiàn)寡頭壟斷格局,主要由幾家美日大企業(yè)把持著,如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛發(fā)科,以及美國霍尼韋爾、普萊克斯等。

    據(jù)估算,日礦金屬是全球最大的靶材供應(yīng)商,靶材銷售額約占全球市場的30%,霍尼韋爾在并購Johnson Mattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后,占到全球市約20%的份額,此外,東曹和普萊克斯分別占20%和10%。

全球靶材市場被幾大美日制造商把持

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    2006-2018年中國半導(dǎo)體材料銷售額穩(wěn)步增長,銷售額從2006年的23.8億美元上升至2018年的84.4億美元,從增長率角度來看增速穩(wěn)定性也大于全球。截止2018年中國半導(dǎo)體用靶材市場規(guī)模約19.48億元,同比增長為11.64%,增速略高于全球均值。

    預(yù)期2019年全球半導(dǎo)體材料市場將增長2%,如采用該增速預(yù)測,則可測算出2019年全球半導(dǎo)體用靶材市場規(guī)模約在13.96億美元,中國半導(dǎo)體用靶材市場規(guī)模約在19.87億元。

半導(dǎo)體用靶材市場規(guī)模及增長率

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    2、平板顯示:維持平穩(wěn)增長態(tài)勢

    平板顯示器種類繁多,包括液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、有機發(fā)光二極管顯示器(OLED)以及在LCD基礎(chǔ)上發(fā)展起來的觸控(TP)顯示產(chǎn)品等。濺射靶材主要用于鍍膜,是平板顯示產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)環(huán)節(jié)主要材料。

    平板顯示用濺射靶材的主要品種包括鈮、硅、鉬、鋁、鋁合金、銅、銅合金和氧化銦錫(ITO)等,靶材純度需達(dá)99.999%(5N)以上,工藝難度僅次于半導(dǎo)體靶材。

全球液晶電視面板出貨量及同比增速

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全球移動PC面板出貨量及同比增速

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    全球液晶電視面板出貨量在2018年達(dá)到2.89億片,同比增長9.1%;2019年1-8月出貨量1.91億片,增速有所放緩,但仍維持1.81%的正增長。全球移動PC消費有所放緩,2018年面板出貨量2.84億片,同比增長4.49%;2019年1-8月出貨量為1.78億片,同比減少3.05%。

    3、太陽能電池:2019年有望迎來復(fù)蘇

    太陽能電池用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶等,純度一般要求在99.99%以上。從分類來看,鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜,鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜,ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。

    全球光伏市場有望在2019年迎來復(fù)蘇,達(dá)到129GW的光伏裝機量,同比增長25%,中國以外的市場如美國、歐洲等市場將貢獻(xiàn)增量。預(yù)計2019年全球太陽能電池用濺射靶材市場容量將達(dá)到40.2億美元。

全球太陽能光伏裝機容量

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    三、中國半導(dǎo)體材料市場銷售額預(yù)測

    2017年,中國(大陸地區(qū))半導(dǎo)體材料銷售額為76.2億美元。預(yù)計,2018年我國半導(dǎo)體材料市場銷售額將達(dá)到85億美元,未來五年(2018-2022)年均復(fù)合增長率約為8.87%,2022年將達(dá)到120億美元。

2018-2022年中國半導(dǎo)體材料市場銷售額預(yù)測

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2025-2031年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)市場現(xiàn)狀調(diào)查及投資前景研判報告
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《2025-2031年中國半導(dǎo)體材料行業(yè)市場現(xiàn)狀調(diào)查及投資前景研判報告 》共七章,包含中國半導(dǎo)體材料行業(yè)細(xì)分市場分析,中國半導(dǎo)體材料行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營分析,中國半導(dǎo)體材料行業(yè)市場及投資策略建議等內(nèi)容。

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