2017年第四季集成電路銷售額為1140億美元，季增5.7%、年增 22.5%。2017年全年集成電路銷售額為 4122億美元，創(chuàng)下空前新高，年增率為21.6%。2018年全年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)4688億美元，較2017增長13.73%。
2007-2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額情況
資料來源：美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、智研咨詢整理
作為最大存儲芯片供應(yīng)商，三星在2018年半導(dǎo)體市場的份額達(dá)到15.9%，連續(xù)兩年蟬聯(lián)全球第一的寶座，自1992年以來，英特爾一直占據(jù)第一名寶座，2017年三星市場份額升至第一位，替代英特爾。
2018年全球半導(dǎo)體廠商銷售額TOP10（單位：百萬美元）
2018年排名 | 廠商 | 2018年收入 | 市場產(chǎn)比:% | 2017年收入 | 市場產(chǎn)比 | 2016 年收入 | 市場占比：% | 2015年收入 |
1 | 三星電子（Sumsung Electronics） | 75854 | 15.9 | 61215 | 14.6 | 40104 | 11.70 | 37852 |
2 | 英特爾（Itel） | 65862 | 13.8 | 57712 | 13.8 | 54091 | 15.70 | 51690 |
3 | SK hynix | 36433 | 7.6 | 26309 | 6.3 | 14700 | 4.30 | 16374 |
4 | Micron Technology | 30641 | 6.4 | 23062 | 5.5 | 12950 | 3.80 | 13816 |
5 | Broadcom Ltd.（formerly Avago） | 16544 | 3.5 | 15490 | 3.7 | 13223 | 3.80 | 4543 |
6 | Qualcomm | 15380 | 3.2 | 17063 | 4.1 | 15415 | 4.50 | 16079 |
7 | Texas Instruments | 14767 | 3.1 | 13806 | 3.3 | 11901 | 3.50 | 11635 |
8 | Western digital | 9321 | 2.0 | 9181 | 2.2 | 4170 | 120.2 | - |
9 | ST Microelectronics | 9276 | 1.9 | 8031 | - | - | - | - |
10 | NXP Semiconductors | 9010 | 1.9 | 8750 | - | - | - | - |
資料來源：公司財報
2018年全球功率半導(dǎo)體（功率器件、功率模塊、功率 IC、其他）市場銷售額從2017年的695.8億美元增長了3.12%達(dá)到717.5億美元。
2011-2018年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模走勢
資料來源：美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、智研咨詢整理
2017年全球IGBT市場規(guī)模為52.55億美元，同比2016年增長16.5%，2018年全球IGBT市場規(guī)模在58.36億美元左右。
2010-2018年全球IGBT市場規(guī)模走勢
資料來源：Infineon、智研咨詢整理
全球IGBT行業(yè)市場集中度高，當(dāng)中2017年英飛凌三菱集團(tuán)（Infineon）占全球市場份額的27.1%；三菱（Mitsubishi）市場占有率為16.4%；日本富士電機(jī)（Fuji Electric）市場占有率為10.7%，2017年全球前五大生產(chǎn)商占據(jù)市場總量的67.5%。
2016-2017年全球IGBT市場格局
資料來源：英飛凌年報2018、智研咨詢整理
在下游市場需求的推動下，近年來我國國內(nèi)企業(yè)在IGBT產(chǎn)品領(lǐng)域的研發(fā)投入呈明顯上升趨勢，行業(yè)整體產(chǎn)量從2010年的190萬只增長至2018年的1115萬只，國內(nèi)市場消費(fèi)量從2010年的2252萬只增長至2018年的7898萬只。
2010-2018年我國IGBT產(chǎn)品產(chǎn)銷量統(tǒng)計圖
資料來源：智研咨詢整理
目前我國IGBT 優(yōu)秀企業(yè)不多，南車時代、比亞迪等均主要為自己的高鐵和新能源汽車做配套，華微電子屬于國內(nèi)在消費(fèi)類IGBT 市場的龍頭企業(yè)，此前主要產(chǎn)品是第四代產(chǎn)品，和國際龍頭差距較大，公司非常重視也極為看好戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的廣闊空間，因此公司進(jìn)一步加大新技術(shù)、新產(chǎn)品的研發(fā)投入，研發(fā)投入達(dá)到營業(yè)收入的6%以上，研發(fā)的重心以符合國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求的第四代、第六代IGBT產(chǎn)品、COOLMOS產(chǎn)品以及TRENCH SBD等為主，力求實現(xiàn)高端功率半導(dǎo)體核心技術(shù)快速突破。目前新技術(shù)產(chǎn)品已陸續(xù)應(yīng)用于市場，隨著公司新技術(shù)、新產(chǎn)品的系列化，將真正實現(xiàn)國內(nèi)自主技術(shù)在中高端市場的規(guī)?；瘧?yīng)用，有效加快公司的客戶、市場結(jié)構(gòu)調(diào)整步伐，進(jìn)而提升公司整體運(yùn)營質(zhì)量，實現(xiàn)公司經(jīng)營業(yè)績的提高。
國內(nèi)主要IGBT生產(chǎn)企業(yè)產(chǎn)能配置
公司 | 業(yè)務(wù)類型 | 最新進(jìn)度 |
科達(dá)半導(dǎo)體 | 芯片制造 | 功率半導(dǎo)體封裝測試項目按計劃已于2011 年2月2 3日正式投產(chǎn)運(yùn)營， 設(shè)計年產(chǎn)能為3 .1億只， 年產(chǎn)值3億元以上。自主研發(fā)的1200V 的IGBT成功入選2010年國家重點新產(chǎn)品計劃。2011年重點開發(fā)場終止技術(shù)IGB T和溝槽IGBT、汽車節(jié)能及新能源汽車專用IGBT芯片。 |
華微電子 | 芯片制造 | 2010年IGBT產(chǎn)品研發(fā)成功， 公司已經(jīng)搭建起IGB T產(chǎn)品基礎(chǔ)工藝平臺， 并使產(chǎn)品進(jìn)一步實現(xiàn)系列化研發(fā)成為可能。開工建設(shè)新型電力電子器件基地項目，計劃首期建設(shè)一條年產(chǎn)426萬片擴(kuò)散片、420 萬片外延片的材料片生產(chǎn)線。 |
中環(huán)股份 | 芯片制造 | 研發(fā)出IGBT用區(qū)熔硅單晶拋光片填補(bǔ)了國內(nèi)空白， 已成功打入國際市場； 研制出國內(nèi)首類1200V溝槽型非穿通（NPT） IGBT系列產(chǎn)品， 可應(yīng)用于家電； 開發(fā)出3 300V平面型IG BT樣品，可應(yīng)用于機(jī)車與電網(wǎng)。 |
無錫鳳凰半導(dǎo)體 | 芯片制造 | 量產(chǎn)產(chǎn)品線已經(jīng)涵蓋600V、1200V、1700 V三種系列的多種型號。建設(shè)有國內(nèi)首條NPT-IGBT芯片薄片生產(chǎn)線， 可以測量IGBT全部靜態(tài)及動態(tài)參數(shù)。公司擁有芯片生產(chǎn)線及與生產(chǎn)配套的可靠性實驗室、器件測試實驗室、失效分析實驗室等。 |
比亞迪 | 芯片制造 | 順利組裝成IG BT模塊， 并成功在電動汽車臺架上進(jìn)行了測試； 可供貨1200V系列。電動汽車用大功率IGBT 模塊產(chǎn)業(yè)化項目列入國家新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項。 |
上海貝嶺 | 芯片制造 | 完成了1200V和600V IGBT的設(shè)計、試制和測試及評估工作。獲得2010年度發(fā)改委《1200V-1700V溝槽結(jié)構(gòu)NPT型IGBT開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化》項目800萬元資金支持。 |
長電先進(jìn)封裝公司 | IGBT 單管封裝 | 長電科技子公司、中外合資性質(zhì)。 |
西安愛帕克 | 模塊 | 合資公司， 外方提供IGBT芯片。2010年推出1700V 100A-300A 快恢復(fù)模塊， 用于滿足輕軌，風(fēng)電等需求。 |
威海星佳電子 | 模塊 | 公司IGBT 產(chǎn)品納入威海市十二五新型元器件發(fā)展規(guī)劃。 |
中國南車 | 芯片 | 年產(chǎn)12萬片IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件 |
嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體 | IGBT器件 | 年產(chǎn)能近300萬只 |
資料來源：智研咨詢整理
目前中國 IGBT 行業(yè)中高端技術(shù)已有突破，初步形成從芯片設(shè)計到芯片封裝的產(chǎn)業(yè)鏈，較強(qiáng)的成本優(yōu)勢將是中國本土企業(yè)與國外公司競爭的有力手段。伴隨著未來幾年 IGBT 市場的高速增長，國產(chǎn)化進(jìn)程的啟動將會使產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋的公司受惠。
我國IGBT行業(yè)發(fā)展至今，已取得較大進(jìn)展，雖然仍需大量進(jìn)口，但已有一部分企業(yè)具備規(guī)?；a(chǎn)能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產(chǎn)量為190萬只，2018年增長至1115萬只。
2010-2018年中國IGBT行業(yè)產(chǎn)量
資料來源：智研咨詢整理
智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國IGBT行業(yè)市場深度監(jiān)測及投資機(jī)會研究報告》內(nèi)容顯示，在新能源、節(jié)能環(huán)保“十二五”規(guī)劃等一系列國家政策措施的支持下，國內(nèi)IGBT的發(fā)展獲得巨大的推動力，市場持續(xù)快速增長。“十三五“期間，國內(nèi)IGBT國產(chǎn)化加速，IGBT需求迅猛發(fā)展，到2018年，國內(nèi)IGBT市場規(guī)模達(dá)161.9億元。近幾年我國IGBT市場規(guī)模情況如下圖所示：
2010-2018年我國IGBT市場規(guī)模情況
資料來源：智研咨詢整理
智研咨詢 - 精品報告
2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)市場動態(tài)分析及前景戰(zhàn)略研判報告
《2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)市場動態(tài)分析及前景戰(zhàn)略研判報告》共六章，包含通用集成電路行業(yè)企業(yè)分析,2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測分析,2025-2031年中國通用集成電路行業(yè)投融資戰(zhàn)略規(guī)劃分析等內(nèi)容。
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