芯片行業(yè)周刊：廣東加碼布局人工智能，加速實現(xiàn)核心技術(shù)自主可控

【重點政策】廣東印發(fā)了《廣東省推動人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展若干政策措施》

3月10日，廣東印發(fā)了《廣東省推動人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展若干政策措施》（以下簡稱《措施》），提出著力構(gòu)筑高技術(shù)、高成長、大體量的產(chǎn)業(yè)新支柱，打造全球人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。

支持關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)

關(guān)鍵核心技術(shù)是國之重器，如何提高人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新能力，牢牢把握科技發(fā)展主動權(quán)？《措施》強調(diào)，廣東將支持關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。支持企業(yè)、高校、科研院所等各類創(chuàng)新主體開展聯(lián)合攻關(guān)，圍繞人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)鏈上下游組建產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟，加快構(gòu)建全過程創(chuàng)新鏈。組織實施省重點領(lǐng)域研發(fā)計劃“新一代人工智能”“智能機器人”等旗艦項目、重大專項，在人工智能與機器人領(lǐng)域部署一批攻關(guān)任務。對國家科技重大專項符合省級配套條件的人工智能與機器人領(lǐng)域重點項目，廣東省財政按規(guī)定給予配套獎勵，單個項目省級配套金額超1億元（含）的，按“一事一議”方式研究給予支持。創(chuàng)建人工智能與機器人領(lǐng)域制造業(yè)創(chuàng)新中心，對符合條件的國家級、省級制造業(yè)創(chuàng)新中心，廣東省財政按規(guī)定分別給予最高5000萬元、1000萬元的資金支持。

制造業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)聚焦實業(yè)、做精主業(yè)，創(chuàng)新能力強、質(zhì)量效益高、產(chǎn)業(yè)帶動作用大，在加快推進新型工業(yè)化、高質(zhì)量建設制造強省中發(fā)揮領(lǐng)頭雁、排頭兵作用?！洞胧分赋觯瑥V東要培育優(yōu)質(zhì)企業(yè)。支持企業(yè)整合人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈資源，推動集聚發(fā)展，整體提升產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新能力。構(gòu)建以單項冠軍企業(yè)、專精特新中小企業(yè)為骨干的人工智能與機器人領(lǐng)域企業(yè)梯次培育體系。對該領(lǐng)域獲評國家級單項冠軍企業(yè)、專精特新“小巨人”企業(yè)，在落實省級支持政策的基礎上，強化省市聯(lián)動，鼓勵地市給予獎勵，省財政進一步按照地市獎勵資金1∶1予以激勵，調(diào)動地市積極性，對國家級單項冠軍企業(yè)獎勵總額度最高300萬元，對國家級專精特新“小巨人”企業(yè)獎勵總額度最高200萬元。

當前，人工智能與機器人應用場景“多點開花”。圍繞打造應用場景，廣東將建立省級跨部門協(xié)調(diào)機制，壓實“管行業(yè)管人工智能應用”責任，實施“人工智能+”行動，在教育、醫(yī)療、交通、民政、金融、安全等領(lǐng)域廣泛拓展應用。組織開展“機器人+”行動，圍繞工業(yè)、農(nóng)業(yè)、城市管理、醫(yī)療、養(yǎng)老服務、特種作業(yè)等領(lǐng)域，深入挖掘開放應用場景。鼓勵各地市挖掘開放各類應用場景，招引企業(yè)打造一批典型案例。

推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展

“聚鏈成群、集群成勢?！薄洞胧窂娬{(diào)，推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展。依托重點產(chǎn)業(yè)集群開展人工智能賦能新型工業(yè)化試點，對研發(fā)工業(yè)領(lǐng)域大模型和應用解決案例給予支持，每年擇優(yōu)支持不超過10個標桿案例，每個給予最高800萬元獎勵，推動制造業(yè)企業(yè)智能化轉(zhuǎn)型。發(fā)揮各類人工智能與機器人創(chuàng)新聯(lián)盟、協(xié)會等行業(yè)組織作用，促進產(chǎn)業(yè)鏈快速整合。發(fā)揮高校、科研院所優(yōu)勢，推動創(chuàng)新成果產(chǎn)業(yè)化。

重大項目是經(jīng)濟穩(wěn)定運行的“壓艙石”。廣東將支持重點項目建設。統(tǒng)籌省市資源對全省人工智能與機器人重點項目開通“綠色通道”，依法依規(guī)加快項目用地、環(huán)評、節(jié)能、用林等審批，省市聯(lián)動保障固定資產(chǎn)投資額5000萬元以上的先進制造業(yè)項目。

數(shù)據(jù)作為新型生產(chǎn)要素，是數(shù)字化、網(wǎng)絡化、智能化的基礎。根據(jù)《措施》，廣東將豐富數(shù)據(jù)要素供給。例如，構(gòu)建高質(zhì)量人工智能數(shù)據(jù)集和語料庫，形成一批高質(zhì)量數(shù)據(jù)產(chǎn)品和服務；支持發(fā)展數(shù)據(jù)交易市場，推動廣州、深圳數(shù)據(jù)交易所打造國家級數(shù)據(jù)交易場所；支持開展“數(shù)據(jù)要素×”行動，深化數(shù)據(jù)要素應用賦能；支持加快培育數(shù)據(jù)企業(yè)，依托優(yōu)勢打造廣東數(shù)據(jù)要素集聚發(fā)展區(qū)。

為完善人工智能與機器人開源創(chuàng)新生態(tài)，廣東支持企業(yè)、高校、科研院所、行業(yè)協(xié)會通過技術(shù)協(xié)作，聯(lián)合共建面向人工智能與機器人領(lǐng)域的開源社區(qū)、開源生態(tài)中心和相關(guān)公共服務平臺，提供技術(shù)交流共享、生態(tài)推廣培育、算力調(diào)度、開放性行業(yè)大數(shù)據(jù)訓練庫、標準測試數(shù)據(jù)集、大模型評測開放服務、測試驗證等服務。每年擇優(yōu)支持不超過5個符合條件的開源社區(qū)和開源生態(tài)中心，按不超過其上一年度審定運營費用的30%，給予最高800萬元資助。

在引育高水平領(lǐng)軍人才方面，廣東將圍繞人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求和重點任務，支持企業(yè)引進培育一批具有突出技術(shù)創(chuàng)新能力、善于解決復雜工程技術(shù)問題的創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、青年拔尖人才。支持高校圍繞人工智能與機器人領(lǐng)域開展高水平學科建設，進一步加強人才自主培育力度，加快打造人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)人才大軍。鼓勵相關(guān)地市出臺人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)人才專項政策。

此外，《措施》還提出了加強產(chǎn)業(yè)投融資、推進標準體系建設、打造高端交流平臺和建立包容審慎監(jiān)管機制等措施，多維度支持人工智能與機器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。

【重點政策】深圳出臺具身智能機器人產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃

3月12日，從深圳市科技創(chuàng)新局了解到，該局日前印發(fā)《深圳市具身智能機器人技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2025—2027年）》（以下簡稱《行動計劃》），旨在搶抓全球人工智能與機器人技術(shù)融合發(fā)展的戰(zhàn)略機遇，加速構(gòu)建具身智能機器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài)，推動具身智能機器人產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量跨越式發(fā)展，加快建設國際國內(nèi)領(lǐng)先的具身智能機器人產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，加快打造具有全球重要影響力的產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新中心。

《行動計劃》明確了深圳到2027年的發(fā)展目標：在機器人關(guān)鍵核心零部件、AI芯片、人工智能與機器人融合技術(shù)、多模態(tài)感知技術(shù)、高精度運動控制技術(shù)、靈巧操作技術(shù)等方面取得突破；新增培育估值過百億企業(yè)10家以上、營收超十億企業(yè)20家以上，實現(xiàn)十億級應用場景落地50個以上，關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到1000億元以上，具身智能機器人產(chǎn)業(yè)集群相關(guān)企業(yè)超過1200家；打造公共服務平臺矩陣，吸引更多上下游企業(yè)、科研機構(gòu)、創(chuàng)新團隊等加入，形成更完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，具身智能機器人產(chǎn)業(yè)綜合實力達到國際領(lǐng)先水平。

《行動計劃》圍繞引領(lǐng)核心技術(shù)攻堅突破、打造公共服務平臺矩陣、營造最優(yōu)科技創(chuàng)新生態(tài)三大方面，細化18項重點任務。其中包括：開展核心零部件攻關(guān)、加大機器人AI芯片攻關(guān)、研制高性能仿生多指靈巧手、構(gòu)建具身智能基座及垂直領(lǐng)域大模型、高能級打造創(chuàng)新服務平臺、提升規(guī)模化制造能力等。

值得一提的是，《行動計劃》提出，構(gòu)建跨本體多樣性開源數(shù)據(jù)集。深圳將研究具身數(shù)據(jù)采集解耦、遙操作與人類示教等方法，開展具身數(shù)據(jù)采集關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)；面向典型垂直應用領(lǐng)域，搭建技術(shù)試驗場，基于視、觸、力、位等多模態(tài)數(shù)據(jù)要素，開發(fā)真機數(shù)據(jù)采集平臺和數(shù)據(jù)仿真平臺；利用設備共享平臺豐富數(shù)據(jù)來源，提升數(shù)據(jù)集的多樣性和適用性；鼓勵牽頭和參與制定具身數(shù)據(jù)采集領(lǐng)域的地方、國家、國際標準，生成并發(fā)布開源數(shù)據(jù)集。

相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，目前深圳已聚集機器人上市企業(yè)34家、獨角獸企業(yè)9家，有7家企業(yè)入選摩根士丹利全球人形機器人上市公司百強名單。深圳匯聚樂聚、眾擎、逐際動力、優(yōu)必選等整機企業(yè)，已形成一定產(chǎn)業(yè)集聚效應。

【重點政策】《人工智能生成合成內(nèi)容標識辦法》發(fā)布 規(guī)范制作傳播各環(huán)節(jié)標識行為

為促進人工智能健康發(fā)展，規(guī)范人工智能生成合成內(nèi)容標識，國家互聯(lián)網(wǎng)信息辦公室等四部門近日聯(lián)合發(fā)布《人工智能生成合成內(nèi)容標識辦法》。據(jù)悉，辦法聚焦人工智能“生成合成內(nèi)容標識”關(guān)鍵點，通過標識提醒用戶辨別虛假信息，明確相關(guān)服務主體的標識責任義務，規(guī)范內(nèi)容制作、傳播各環(huán)節(jié)標識行為，將于2025年9月1日起施行。

國家網(wǎng)信辦有關(guān)負責人表示，近年來，人工智能技術(shù)快速發(fā)展，為生成合成文字、圖片、音頻、視頻等信息提供了便利工具，海量信息得以快速生成合成并在網(wǎng)絡平臺傳播，在促進經(jīng)濟社會發(fā)展的同時，也產(chǎn)生了生成合成技術(shù)濫用、虛假信息傳播擴散加劇等問題，引發(fā)社會關(guān)注。國家網(wǎng)信辦聯(lián)合工業(yè)和信息化部、公安部、國家廣播電視總局制定了辦法，進一步規(guī)范人工智能生成合成內(nèi)容標識活動。

辦法提出，人工智能生成合成內(nèi)容是指利用人工智能技術(shù)生成、合成的文本、圖片、音頻、視頻、虛擬場景等信息。人工智能生成合成內(nèi)容標識包括顯式標識和隱式標識。

國家網(wǎng)信辦有關(guān)負責人介紹，辦法明確了服務提供者應當對文本、音頻、圖片、視頻、虛擬場景等生成合成內(nèi)容添加顯式標識，在提供生成合成內(nèi)容下載、復制、導出等功能時，應當確保文件中含有滿足要求的顯式標識；應當在生成合成內(nèi)容的文件元數(shù)據(jù)中添加隱式標識。

此外，任何組織和個人不得惡意刪除、篡改、偽造、隱匿辦法規(guī)定的生成合成內(nèi)容標識，不得為他人實施上述惡意行為提供工具或者服務，不得通過不正當標識手段損害他人合法權(quán)益。

【重點事件】RISC-V工委會：征集《RISC-V指令集架構(gòu)矩陣擴展（ME）指令集》等三項團體標準參編單位

3月11日電，從中國電子工業(yè)標準化技術(shù)協(xié)會RISC-V工委會獲悉，由阿里巴巴達摩院（杭州）科技發(fā)起制定的《RISC-V指令集架構(gòu)矩陣擴展（ME）指令集》、進迭時空（杭州）科技發(fā)起制定的《開放精簡指令集（RISC-V）配置文件》，以及由芯昇科技發(fā)起制定的《RISC-V指令集架構(gòu)無線矢量擴展（Zvw）指令集》三項團體標準已獲批立項。為更高質(zhì)量地完成標準編制工作，保障標準的廣泛性、科學性和實用性，現(xiàn)向全行業(yè)及RISC-V工委會成員征集上述三項團體標準參編單位，共同完成標準的制定工作。

【重點事件】江蘇組建首支高?？萍汲晒D(zhuǎn)化基金，聚焦第三代半導體等領(lǐng)域開展直接投資

科技日報報道，江蘇首支高校科技成果轉(zhuǎn)化基金——南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金近日完成工商注冊，標志著江蘇省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金（以下簡稱江蘇省戰(zhàn)新母基金）服務全國高校區(qū)域技術(shù)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化中心試點建設進入實操階段。

南京高?？萍汲晒D(zhuǎn)化天使基金總規(guī)模5億元，由江蘇省戰(zhàn)新母基金、南京市創(chuàng)新投資集團、江北新區(qū)高質(zhì)量發(fā)展基金及江北新區(qū)科投集團共同出資組建，聚焦未來網(wǎng)絡通信、第三代半導體、前沿新材料、未來能源等領(lǐng)域開展直接投資，同時依托“全國高校區(qū)域技術(shù)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化中心南京主承載區(qū)”，重點支持生物醫(yī)藥與信息通信領(lǐng)域項目，旨在破解高校科技成果轉(zhuǎn)化“最后一公里”難題。

報道指出，江蘇省戰(zhàn)新母基金自2024年6月啟動以來，先后和5個設區(qū)市組建設立了兩批共計8支、總規(guī)模60億元的未來產(chǎn)業(yè)天使基金，為早期科技企業(yè)提供創(chuàng)新資本支持。

【重點企業(yè)】英特爾18A制程取得突破，首批投產(chǎn)在即，英偉達、博通、AMD考慮采用

英特爾最新的Intel 18A制程工藝取得了重大進展。據(jù)英特爾工程經(jīng)理Pankaj Marria在社交媒體上透露，該團隊已在亞利桑那州完成首批生產(chǎn)，這是英特爾挑戰(zhàn)全球最小制程的開端。這項技術(shù)完全是在美國研發(fā)并制造。根據(jù)預測，Intel 18A將于2025年年中進入量產(chǎn)，首發(fā)的將是酷睿 Ultra 300 系列“Panther Lake”處理器。

Intel 18A采用了RibbonFET 環(huán)柵 (GAA) 晶體管技術(shù)和業(yè)界首創(chuàng)的 PowerVia 背面供電技術(shù)，可將密度和單元利用率提高 5% 至 10%，并降低電阻供電下降，從而使 ISO 功率性能提高高達 4%。與Intel 3 工藝節(jié)點相比，Intel 18A的每瓦性能提高 15%，芯片密度提高 30% 。

研究機構(gòu)TechInsights的測算顯示，Intel 18A 在 2nm 級工藝中具有最高性能，臺積電N2位居第二，三星SF2位居第三。此外，英特爾投資者關(guān)系副總裁John Pitzer也表示，當前基于Intel 18A制程的Panther Lake處理器的良率水平甚至比同期Meteor Lake開發(fā)階段的表現(xiàn)還要略勝一籌。

最近，據(jù)路透社報道，全球前五大芯片設計公司英偉達、博通和AMD正在考慮采用Intel 18A制程來生產(chǎn)自己的芯片，他們正在進行制造測試。如果這些公司真的采用Intel 18A制程，那么英特爾的晶圓代工業(yè)務將迎來真正的轉(zhuǎn)機。

【重點企業(yè)】Meta開始測試其首款內(nèi)部 AI 訓練芯片

兩位消息人士向路透社透露，臉書（Facebook）的母公司元（Meta，股票代碼：META.O）正在測試其首款用于訓練人工智能系統(tǒng)的自研芯片，這是一個關(guān)鍵的里程碑，標志著該公司正致力于設計更多定制化芯片，以減少對英偉達（Nvidia，股票代碼：NVDA.O）等外部供應商的依賴。

【重點企業(yè)】劍橋氮化鎵器件公司（CGD）推出了經(jīng)濟高效的集成式 ICeGaN® 產(chǎn)品，適用于大功率電動汽車牽引逆變器

劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices，簡稱 CGD）進一步揭示了一項新解決方案的相關(guān)信息。該公司利用其 ICeGaN® 氮化鎵（GaN）技術(shù)，設計出這一解決方案，旨在使自身在電動汽車動力總成領(lǐng)域中，適用于功率超過 100 千瓦的應用場景 —— 這一市場的價值超過 100 億美元。這款集成式 ICeGaN® 解決方案將智能 ICeGaN 高電子遷移率晶體管集成電路（HEMT ICs）與絕緣柵雙極型晶體管（IGBTs）集成在同一模塊或智能功率模塊（IPM）中，在實現(xiàn)高效率的同時，成為了比更昂貴的碳化硅（SiC）選項更具成本效益的替代方案。

專有的集成式 ICeGaN 架構(gòu)利用了 ICeGaN 和 IGBT 器件在并聯(lián)配置中的兼容性，因為它們具有相似的驅(qū)動電壓范圍（例如，0-20 伏），并且展現(xiàn)出出色的柵極穩(wěn)健性。在實際運行中，ICeGaN 由于其低導通和開關(guān)損耗，在輕負載情況下表現(xiàn)出色；而 IGBT 則在較高電流時發(fā)揮作用，比如接近滿負載時或在電涌事件期間。這種方法利用了 IGBT 的高飽和電流和雪崩箝位能力，同時受益于 ICeGaN 的高效開關(guān)特性。此外，隨著溫度升高，IGBT 的雙極元件以較低的導通狀態(tài)電壓進行導通，以補償 ICeGaN 中的電流損耗。相反，在較低溫度下，ICeGaN 器件承擔更大比例的電流。智能傳感和保護機制優(yōu)化了對集成式 ICeGaN 的控制，擴大了 ICeGaN 和 IGBT 器件的安全工作區(qū)（SOA）。

【重點企業(yè)】納普半導體（Nanopower Semiconductor）推出了用于 nPZero 超低功耗集成電路（IC）的評估套件

挪威無晶圓廠半導體公司納普半導體（Nanopower Semiconductor AS）推出了其首款評估套件，該套件旨在支持創(chuàng)新型的 nPZero 節(jié)能集成電路。nPZero 集成電路可大幅降低電池供電應用中的能耗，降幅高達 90%。

新推出的這款套件展示了nPZero芯片的全部特性和功能，使開發(fā)人員能夠輕松配置該集成電路，以自主管理傳感器外圍設備、收集數(shù)據(jù)，并根據(jù)需要喚醒系統(tǒng)。在典型的運行模式下，超低功耗的 nPZero 集成電路將接管微控制器主機的工作，在主機處于斷電狀態(tài)時，處理上電序列、配置操作，并從多達四個傳感器或外圍設備中檢索數(shù)據(jù)。然后，當滿足預定義條件時，該集成電路會重新激活主機，確保系統(tǒng)持續(xù)監(jiān)控并響應各種事件，同時讓主機長時間處于低功耗狀態(tài)。這種能力使無線物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能，將整體能耗降低多達 90%。

隨著 nPZero 評估套件的推出，原始設備制造商（OEM）現(xiàn)在有機會在其特定應用中評估這款節(jié)能集成電路的性能。計劃在3月晚些時候開始向合作伙伴發(fā)貨并滿足在線預訂訂單，4月將開啟全面預訂。預計到2025年第二季度末，該套件將廣泛可供發(fā)貨。

這款評估套件被設計為一個功能全面且用戶友好的平臺，它包括一個主評估板，該板配備了與 Arduino 格式微控制器主機板兼容的插頭。為了簡化開發(fā)流程，納普半導體為該套件提供了一塊微控制單元（MCU）板，其采用了低功耗的意法半導體（STMicroelectronics）STM32L053C8 芯片。此外，評估板配備了 PMOD 插頭，開發(fā)人員可以連接多達四個支持 I2C 或 SPI 接口的傳感器板。為了便于快速進行系統(tǒng)測試，該套件還包括一塊艾邁斯歐司朗（ams OSRAM）AS6212 溫度傳感器板和一塊意法半導體 LIS2DW12 加速度計板。

【重點企業(yè)】美格納半導體（Magnachip）新增 25 款第六代超結(jié)（SJ）功率場效應晶體管（MOSFET），擴充產(chǎn)品線，提升性能與效率

美格納半導體公司（Magnachip Semiconductor Corporation）宣布，通過推出 25 款新型第六代（Gen6）超結(jié)功率場效應晶體管（SJ MOSFETs，即 Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors），對其產(chǎn)品組合進行了重大擴充。

新開發(fā)的第六代超結(jié)功率場效應晶體管的開關(guān)速度提高了約 23%，與上一代產(chǎn)品相比，在應用中其特定電阻（RSP）降低了約 40%。這一進步使品質(zhì)因數(shù)提高了 40%。

為了進一步提升可靠性，并保護超結(jié)功率場效應晶體管免受靜電放電（ESD）引起的損壞，在柵極和源極之間集成了一個齊納二極管。此外，這些新器件的芯片尺寸比上一代產(chǎn)品大約小 30%。

擴充后的產(chǎn)品系列涵蓋了600伏、650伏和700伏的電壓額定值，提供七種不同的封裝類型，包括 TO220、TO220FT、SOT223、PDFN88 和 D2PAK，以及 DPAK 和 TO220F 等需求量大的封裝類型。

【重點企業(yè)】萬代半導體（AOS）通過先進的 GTPAK?和 GLPAK?表面貼裝封裝技術(shù)擴充其大功率場效應晶體管（MOSFET）產(chǎn)品系列

萬代半導體股份有限公司（Alpha and Omega Semiconductor Limited，簡稱 AOS）為其處于行業(yè)領(lǐng)先地位的大功率場效應晶體管（MOSFET）產(chǎn)品系列推出了兩種尖端的表面貼裝封裝選項。新推出的 GTPAK?和 GLPAK?封裝是為滿足最具挑戰(zhàn)性的應用中對嚴格封裝的需求而設計的，這些應用要求更高的性能和可靠性。最初，這兩種封裝將分別應用于 AOS 公司的 AOGT66909 和 AOGL66901 場效應晶體管上。

通過將 AOS 成熟的場效應晶體管技術(shù)與其在先進封裝方面的專業(yè)知識相結(jié)合，這些器件具備低導通電阻和高電流處理能力，這對于減少大電流設計中所需的并聯(lián)場效應晶體管數(shù)量至關(guān)重要，尤其是在下一代電動出行和工業(yè)應用中。

與 AOGT66909 搭配的 GTPAK 是一種頂部冷卻封裝，具有一個大面積的外露焊盤，便于高效散熱。這種頂部冷卻機制將大部分熱量導向安裝在頂部外露焊盤上的散熱器，顯著改善了熱管理。通過繞過印刷電路板（PCB）進行熱傳遞，這項技術(shù)使得能夠使用更具成本效益的印刷電路板材料，如 FR4，同時又不影響散熱性能。

與 AOGL66901 配套的 GLPAK 是 AOS 廣泛采用的 TOLL 封裝的鷗翼型改進版。它利用 AOS 的先進引腳技術(shù)實現(xiàn)了高浪涌電流額定值。由于這種基于引腳的結(jié)構(gòu)，GLPAK 封裝具有極低的封裝電阻和降低的寄生電感，因此與傳統(tǒng)的鍵合線封裝相比，其電磁干擾（EMI）性能得到了提升。

【重點企業(yè)】意法半導體（ST）推出 VIPerGaN65D—— 一款高效氮化鎵（GaN）反激式轉(zhuǎn)換器，用于實現(xiàn)緊湊且具成本效益的電源解決方案

意法半導體（STMicroelectronics）的 VIPerGaN65D 反激式轉(zhuǎn)換器采用小外形集成電路（SOIC16）封裝，可用于設計超緊湊且經(jīng)濟高效的電源、適配器以及支持通用輸入電壓范圍、功率高達 65 瓦的 USB 功率傳輸（USB-PD）快充充電器。

這款準諧振離線式轉(zhuǎn)換器集成了一個700 伏的氮化鎵（GaN）晶體管，以及一個經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和必要的保護機制，使寬帶隙技術(shù)更易于使用，從而提高了功率密度和效率。氮化鎵晶體管的工作頻率高達 240 千赫茲，且開關(guān)損耗極小，這使得反激式變壓器可以更小，無源元件尺寸得以減小，進而實現(xiàn)了整體緊湊且成本低廉的電路設計。

與 VIPerGaN 系列中其他采用 5 毫米 ×6 毫米 DFN（雙扁平無引腳）封裝的產(chǎn)品不同，VIPerGaN65D 采用了更為傳統(tǒng)的 SO16n（窄體）外形封裝。

該轉(zhuǎn)換器利用零電壓開關(guān)技術(shù)，動態(tài)調(diào)整谷底同步延遲，確保氮化鎵晶體管始終在漏極諧振周期的最佳時刻導通。它還集成了動態(tài)消隱時間機制，在輸入電壓波動時仍能保持效率。此外，集成的前饋補償功能可穩(wěn)定輸入電壓范圍內(nèi)的峰值輸入功率變化，在不同的線路和負載條件下優(yōu)化整體效率。

VIPerGaN65D的電流限制為3.5安培，當設計為適用于85伏至265伏的通用輸入電壓時，它的輸出功率最高可達65瓦。當配置為185伏至265伏的輸入電壓范圍時，它支持的最大功率輸出為85瓦。此外，其待機功耗保持在 30 毫瓦以下，確保符合最新的全球能源效率標準。

VIPerGaN65D 有助于開發(fā)超小型、價格實惠的快充充電器和適配器，同時也適用于為各種家用電器供電，包括洗衣機、洗碗機、咖啡機、電視機、機頂盒、數(shù)碼相機、便攜式音頻播放器和電動剃須刀。它還可應用于臺式電腦和服務器的輔助電源、智能家居和樓宇自動化系統(tǒng)、電表、家用和建筑照明以及空調(diào)設備。

VIPerGaN65D 集成了一個檢測場效應晶體管（SENSEFET，即電流檢測功率場效應晶體管），減少了整體元件數(shù)量，確保了精確的電流測量，從而提高了效率并增強了系統(tǒng)保護。內(nèi)置的安全機制包括過流保護、輸出過壓保護、輸入電壓前饋補償、欠壓 / 過壓保護、輸入過壓保護、輸出過載保護、輸出短路保護和熱關(guān)斷保護。所有保護功能都具備自動重啟功能，同時采用了頻率抖動技術(shù)，以最大限度地減少電磁干擾（EMI）輻射。為了快速開發(fā)電源解決方案，基于 VIPerGaN65D的EVLVIPGAN65DF參考設計簡化了相關(guān)項目流程。將該轉(zhuǎn)換器與由意法半導體的SRK1001自適應控制器管理的次級同步整流相結(jié)合，EVLVIPGAN65DF 可提供一個完全受保護的24伏、65瓦電源，其峰值效率達到93% 以上。

【重點企業(yè)】是德科技（Keysight）擴充雙脈沖測試產(chǎn)品系列，以實現(xiàn)裸芯片的精確動態(tài)特性分析

是德科技公司（Keysight Technologies, Inc.）擴充了其雙脈沖測試產(chǎn)品系列，為客戶提供了一種精確且易于使用的解決方案，用于測量寬帶隙（WBG）功率半導體裸芯片的動態(tài)特性。先進的測量夾具技術(shù)可將寄生效應降至最低，并且無需將裸芯片進行焊接。這些夾具與是德科技的兩個版本的雙脈沖測試儀完全兼容。

寬帶隙功率半導體器件對于實現(xiàn)電動汽車、可再生能源系統(tǒng)和數(shù)據(jù)中心等應用中高效且可靠的電力電子技術(shù)至關(guān)重要。這些器件有多種形式，包括分立封裝元件以及集成了半導體裸芯片的功率模塊，在封裝前對裸芯片進行特性分析可加快開發(fā)進程。然而，傳統(tǒng)的測量功率半導體裸芯片動態(tài)特性的方法需要直接進行焊接，這不僅具有挑戰(zhàn)性，而且還可能引入寄生效應，從而影響測量精度。

是德科技新推出的裸芯片動態(tài)測量解決方案使功率半導體器件工程師和電力電子工程師能夠在芯片從晶圓上切割下來后立即進行動態(tài)特性分析。其創(chuàng)新的夾具設計允許快速且安全地放置裸芯片，在確?？煽侩娊佑|的同時，保護脆弱的芯片免受電弧或損壞。通過無需進行探針測試、引線鍵合或焊接，這種獨特的夾具結(jié)構(gòu)減少了測試電路中的寄生效應，為高速寬帶隙功率半導體器件提供了清晰的測量波形。

【重點機構(gòu)】中國科大研制超低溫量子接口基準芯片

近日，中國科大微電子學院程林教授課題組聯(lián)合澳門大學羅文基教授團隊，在超低溫量子接口基準電路研究中取得重要進展。該研究首次提出了無需修調(diào)的超低溫低功耗CMOS電壓基準，能夠同時實現(xiàn)溫度和工藝的自補償。相關(guān)研究成果以“A 76.9 ppm/K Nano-Watt PVT-insensitive CMOS Voltage Reference Operating from 4 K to 300 K for Integrated Cryogenic Quantum Interface”為題在2025年固態(tài)電路領(lǐng)域著名學術(shù)期刊Journal of Solid-State Circuits（JSSC）上發(fā)表。

隨著量子計算技術(shù)的快速發(fā)展，量子處理器在量子比特質(zhì)量、可擴展性、量子糾錯、環(huán)境控制、計算精度等方面提出了更加嚴苛的要求。目前大多數(shù)量子計算機（如超導量子計算機）需要在接近絕對零度的環(huán)境下工作，以減少熱噪聲對量子比特的影響，因此量子計算機需要大量高保真量子位和控制接口電路，以在室溫的經(jīng)典域和低溫的量子域之間傳遞信號。

在各類接口電路模塊中，基準電路至關(guān)重要。為了確保在初始測試、熱過渡和系統(tǒng)異常等工作條件下的可靠性，電壓基準必須在稀釋制冷機到外界環(huán)境的溫度范圍內(nèi)（從300K到4K）保持穩(wěn)定輸出特性，這要求其對溫度波動和工藝偏差具有極低的敏感性。然而，標準CMOS器件在超低溫下會表現(xiàn)出閾值電壓漂移、非線性效應加劇、扭結(jié)效應等問題，這使得量子接口基準電路的極端低溫環(huán)境適應性面臨嚴峻挑戰(zhàn)。因此，設計高魯棒性、適用于超低溫環(huán)境的量子接口基準電路，將有助于解決量子計算大規(guī)模應用中的關(guān)鍵技術(shù)難題。

該設計采用標準CMOS 180nm工藝，共測試了兩個批次的80枚芯片（圖（c））。測試結(jié)果如圖(d)所示，僅需單次模型校準，即可實現(xiàn)跨批次免修調(diào)操作，基準的平均溫度系數(shù)（TC）為76.9 ppm/K，并且電壓波動僅為0.72%，具有很高的溫度與工藝精度。在300K到4K工作范圍內(nèi)僅消耗195-304 nW功耗，輸出電壓的均值為1.045 V。該電壓基準在標準CMOS工藝下實現(xiàn)了納瓦級的超低功耗，并且對工藝、電壓和溫度變化（PVT）具有出色的穩(wěn)定性。它能夠以較低的成本被集成到量子接口電路以及用于超低溫環(huán)境下的宇航探測等芯片中，為這些超低溫應用提供了可靠的解決方案。

該論文第一作者為我校微電子學院特任副研究員王晶，程林教授為通訊作者。本項研究得到了國家自然科學基金課題的資助，也得到了中國科大物理學院和中國科大信息科學實驗中心的設備支持。

【重點機構(gòu)】半赫斯勒窄帶半導體材料的壓電效應，浙大成果上《科學》

壓電換能技術(shù)可實現(xiàn)機械能與電能之間的直接轉(zhuǎn)換，廣泛應用于傳感、聲學、成像、驅(qū)動和能量采集等領(lǐng)域。以往壓電材料的研究主要集中于具有寬禁帶（Eg>2.0eV）和低電導率的陶瓷或單晶材料中。與之相對，窄禁帶（Eg<1.0eV）半導體材料通常具有較高電導率，這不利于有效電荷積累形成穩(wěn)定電壓響應。因此，窄禁帶半導體材料的壓電效應鮮有實驗研究。

半赫斯勒（half-Heusler）材料是一個家族成員眾多、電子結(jié)構(gòu)豐富的材料體系，在熱電、磁性、拓撲絕緣體、自旋電子、超導、催化等領(lǐng)域受到了廣泛關(guān)注。2012年，美國科學院院士David Vanderbilt與同事通過第一性原理計算預言半赫斯勒窄帶半導體材料具有壓電潛力，并提出通過生長高質(zhì)量單晶有望從實驗上測出該體系的壓電系數(shù)[Phys.Rev.Lett.109, 037602 (2012)]。過去十余年，陸續(xù)有理論計算工作發(fā)表，支持Vanderbilt等人有關(guān)半赫斯勒體系壓電效應的預測。然而，由于其窄禁帶特性以及本征缺陷存在，半赫斯勒材料的室溫電導率可達103~105 S/m，比傳統(tǒng)壓電陶瓷高出十余個數(shù)量級，這使得直接觀測其壓電響應面臨著重要實驗挑戰(zhàn)。此外，以往半赫斯勒體系的研究通常聚焦多晶材料開展，高質(zhì)量單晶生長研究較少。迄今為止，國際上尚無半赫斯勒窄帶半導體材料壓電效應的實驗報道。

浙江大學朱鐵軍教授團隊在半赫斯勒材料熱電效應研究方面有著近二十年的經(jīng)驗積累。近年來，團隊在半赫斯材料的高質(zhì)量單晶生長也不斷取得突破，這為開展半赫斯勒材料壓電效應研究奠定了良好的基礎。近日，團隊首次觀察到TiNiSn、ZrNiSn、TiCoSb三種半赫斯勒窄禁帶半導體材料的壓電效應，制備了基于TiCoSb-[111]切型晶片的原型壓電器件，該器件在不同外加應力條件下均展現(xiàn)出穩(wěn)定的電壓響應并實現(xiàn)了為電容器充電的應用演示。此外，半赫斯勒材料的壓電響應在室溫至1173K范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。這些結(jié)果表明半赫斯勒窄帶半導體材料在壓電領(lǐng)域具有潛在應用前景。相關(guān)研究成果以《Piezoelectricity in Half-Heusler Narrow Bandgap Semiconductors》為題于2025年3月14日在線發(fā)表于國際學術(shù)期刊《科學》。浙江大學為論文的第一通訊單位，浙江大學材料科學與工程學院朱鐵軍教授、付晨光研究員和黃玉輝副教授為論文的共同通訊作者，博士后黃奕為該論文的第一作者，博士研究生呂福和韓屾為共同第一作者，該工作的合作者有西安交通大學李飛教授和南京大學吳迪教授。

為了測定壓電系數(shù)，團隊首先制備了TiNiSn, ZrNiSn和TiCoSb的[111]切型晶片。通過準靜態(tài)壓電常數(shù)測試方法得到[111]切型晶片的垂直壓電應變常數(shù)，再根據(jù)剪切壓電應變系數(shù)d14與[111]切型晶片垂直壓電應變常數(shù)的31/2數(shù)關(guān)系，首次從在實驗上確定了TiNiSn, ZrNiSn和TiCoSb的剪切壓電應變系數(shù)d14分別約為8 pC/N、38 pC/N和33 pC/N。其中，ZrNiSn和TiCoSb單晶的剪切壓電系數(shù)在非中心對稱、非極性壓電材料中屬于較高數(shù)值，高于SiO2、GaSb等寬禁帶壓電材料。團隊研發(fā)了基于TiCoSb- [111]切型晶片的壓電器件，該器件在不同施力大小和持續(xù)時間下展現(xiàn)出了穩(wěn)定的電壓響應，且能夠持續(xù)為電容器充電。此外，團隊發(fā)現(xiàn)半赫斯勒材料在室溫至1173K范圍內(nèi)表現(xiàn)出良好的熱穩(wěn)定性，其壓電響應也在該溫區(qū)保持穩(wěn)定。這些結(jié)果表明半赫斯勒窄帶半導體材料在壓電領(lǐng)域具有潛在應用前景。值得注意的是，窄帶半導體的壓電效應機制起源可能不同于離子位移型的傳統(tǒng)壓電材料，該實驗發(fā)現(xiàn)可能為新型壓電材料設計及換能技術(shù)提供新的思路。此外，窄帶半導體通常具有較為顯著的光電、熱電等效應，這為開發(fā)壓電-光電、壓電-熱電等多功能效應協(xié)同的電子器件提供了新的可能。

上述工作得到了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金委、硅及先進半導體材料全國重點實驗室、浙江省自然科學基金委和中央高?；究蒲袠I(yè)務費專項資金的共同資助，也得到了上海同步輻射光源線站的支持。

【重點機構(gòu)】南科大深港微電子學院團隊5篇論文被DAC錄用

南方科技大學王中銳副教授團隊的5篇頂會論文被國際設計自動化領(lǐng)域頂級會議DAC 2025錄用，南科大為第一通訊單位。DAC（設計自動化會議，Design Automation Conference）是集成電路芯片設計與輔助工具研究領(lǐng)域的國際頂級會議，也是電子設計自動化領(lǐng)域的CCF-A類會議，至今已有62年歷史。2025年的DAC會議將于6月22日至25日在美國加利福尼亞州舊金山的Moscone West會展中心舉行。

【重點機構(gòu)】南京大學余林蔚教授團隊基于IPSLS生長的n型硅納米線憶阻器助力高性能神經(jīng)形態(tài)計算

隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，計算任務的規(guī)模和復雜性不斷提升，對計算機性能的要求也持續(xù)攀升。然而，傳統(tǒng) 馮·諾依曼架構(gòu)受限于數(shù)據(jù)傳輸瓶頸和高能耗問題，難以滿足未來人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的復雜計算需求。因此，探索新型計算架構(gòu)和硬件實現(xiàn)方案已成為學術(shù)界和工業(yè)界的共同目標。其中，基于憶阻器的神經(jīng)形態(tài)計算因其能夠模擬生物大腦的并行計算和低功耗特性，成為前沿研究的熱點之一。近日，南京大學余林蔚教授團隊成功研制出基于面內(nèi)固-液-固（IPSLS）生長的n型硅納米線（n-SiNW）憶阻器，通過“納米線-邊緣”準一維交叉1D-crossing創(chuàng)新接觸結(jié)構(gòu)精準調(diào)控納米尺度下的導電細絲形成過程，實現(xiàn)了超低功耗、超快響應和高均一性的神經(jīng)形態(tài)計算硬件。這一研究成果為大規(guī)模類腦計算提供了新型硬件支撐，并在二元腫瘤識別應用中展現(xiàn)出卓越性能。

【重點企業(yè)】被美國列入黑名單的智譜人工智能公司獲得了來自中國國有企業(yè)的新資金注入

中國人工智能初創(chuàng)企業(yè)智譜人工智能從國有華發(fā)集團獲得了 5 億元人民幣（6904 萬美元）的融資，就在本月早些時候，該公司還宣布了另一輪 10 億元人民幣的融資。

據(jù)官方媒體《珠海經(jīng)濟特區(qū)報》3月13日報道，總部位于廣東省珠海市的國有企業(yè)集團華發(fā)集團近日宣布對智譜人工智能進行了投資。目前，中國多個城市都在競相支持有發(fā)展前景的人工智能初創(chuàng)企業(yè)，因為中國政府認為這一領(lǐng)域在與美國的科技競爭中至關(guān)重要。

【重點企業(yè)】臺積電曾向英偉達、超微半導體公司（AMD）和博通公司提議與英特爾代工業(yè)務建立合資企業(yè)

據(jù)四位知情人士透露，臺積電（股票代碼：2330.TW）已向美國芯片設計商英偉達（股票代碼：NVDA.O）、超微半導體公司（AMD，股票代碼：AMD.O）以及博通公司（股票代碼：AVGO.O）提議，讓它們?nèi)牍梢患覍⑦\營英特爾（股票代碼：INTC.O）工廠的合資企業(yè)。

消息人士稱，根據(jù)這一提議，這家臺灣芯片制造巨頭將負責運營英特爾的代工部門，該部門生產(chǎn)可根據(jù)客戶需求定制的芯片，但臺積電的持股比例不會超過 50%。其中一位消息人士及另一位獨立消息人士稱，臺積電也已向高通公司（股票代碼：QCOM.O）提出了這一建議。

【重點企業(yè)】英特爾新任首席執(zhí)行官被贊為 “重振公司的有力人選”

據(jù)接受《電子工程時報》（EE Times）采訪的分析師稱，英特爾（Intel）新任首席執(zhí)行官陳福陽（Lip-Bu Tan）是帶領(lǐng)這家陷入困境的美國芯片制造商實現(xiàn)業(yè)務好轉(zhuǎn)的合適人選。

英特爾公司3月12日發(fā)布公告稱，陳福陽這位行業(yè)資深人士在 2024 年 8 月離開英特爾董事會后，如今再度回歸。他接替了臨時聯(lián)席首席執(zhí)行官大衛(wèi)?辛斯納（David Zinsner）和米歇爾?霍爾索斯（Michelle Holthaus）的職位。辛斯納將繼續(xù)擔任執(zhí)行副總裁兼首席財務官，而霍爾索斯將繼續(xù)擔任英特爾產(chǎn)品公司（Intel Products）的首席執(zhí)行官。

陳福陽面臨著諸多挑戰(zhàn)。三個月前，帕特?基辛格（Pat Gelsinger）辭去了英特爾首席執(zhí)行官一職。多年來，這家美國頂尖的芯片制造商在其核心中央處理器（CPU）業(yè)務領(lǐng)域，市場份額不斷被超威半導體公司（AMD）搶占，同時還未能成功進軍智能手機芯片和人工智能芯片等新業(yè)務領(lǐng)域。與此同時，英特爾試圖將其不盈利的芯片制造部門 —— 英特爾代工服務公司（Intel Foundry）剝離出來，使其成為一家獨立運營的企業(yè)，而這一過程可能需要數(shù)年時間。英特爾代工服務公司目前仍在努力追趕代工領(lǐng)域的龍頭企業(yè)臺積電（TSMC）的制程技術(shù)。

【重點企業(yè)】阿斯麥（ASML）與比利時微電子研究中心（imec）建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，以推動歐洲的半導體研究及可持續(xù)創(chuàng)新

阿斯麥（ASML）和比利時微電子研究中心（imec）已宣布簽署一項以研究和可持續(xù)發(fā)展為核心的新戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系協(xié)議。

該協(xié)議為期五年，旨在整合阿斯麥和比利時微電子研究中心的專業(yè)知識，推動兩個關(guān)鍵領(lǐng)域的發(fā)展。第一個重點是開發(fā)能夠推動半導體行業(yè)向前發(fā)展的解決方案，第二個重點則致力于培育促進可持續(xù)創(chuàng)新的項目。

此次合作涵蓋了阿斯麥的整個產(chǎn)品系列，尤其側(cè)重于推進高端制程節(jié)點的發(fā)展。合作將利用阿斯麥的尖端系統(tǒng)，包括數(shù)值孔徑為 0.55 的極紫外（EUV）光刻機、數(shù)值孔徑為 0.33 的極紫外光刻機、深紫外（DUV）浸沒式光刻機、良率之星（YieldStar）光學計量設備，以及熱電子顯微鏡（HMI）單光束和多光束技術(shù)。這些設備將安裝在比利時微電子研究中心最先進的試驗生產(chǎn)線中，并集成到由歐盟和佛蘭德地區(qū)資助的納米集成電路（NanoIC）試驗生產(chǎn)線中，從而在全球半導體生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)建立起用于 2 納米以下研發(fā)的一流研究基礎設施。此次合作還將聚焦于硅光子學、存儲器以及先進封裝等關(guān)鍵研發(fā)領(lǐng)域，實現(xiàn)半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的全面創(chuàng)新，以滿足未來各行業(yè)中由人工智能驅(qū)動的應用需求。

此次合作的一個顯著亮點是，阿斯麥將大力投資于在比利時微電子研究中心的研究項目中培育具有創(chuàng)新性的想法和計劃，這些項目能夠帶來環(huán)境和社會效益。

【重點企業(yè)】歐冶半導體完成數(shù)億元B2輪融資，推動產(chǎn)品規(guī)?；瘧?

2025年3月13日，國內(nèi)首家智能汽車第三代E/E架構(gòu)AI SoC芯片及解決方案商歐冶半導體宣布，已成功完成數(shù)億元人民幣B2輪融資。本輪融資由國投招商、招商致遠資本及聚合資本共同投資。

【重點企業(yè)】藍思科技擬赴港上市

3月12日晚間，藍思科技股份有限公司（以下簡稱“藍思科技”）發(fā)布公告稱，擬發(fā)行境外上市外資股（H股）股票，并申請在香港聯(lián)合交易所有限公司主板掛牌上市。

【重點事件】中企競標收購比利時氮化鎵廠商BelGaN

據(jù)報道，有三家候選者提出收購比利時GaN（氮化鎵）半導體代工廠BelGaN奧德納爾德生產(chǎn)基地的要約。

競購方包括兩家亞洲企業(yè)和一家歐洲企業(yè)。其中一名競標者是中國企業(yè)賽微電子的瑞典子公司Silex Microsystems AB，該公司是全球最大的MEMS元件純晶圓代工廠。

BelGaN氮化鎵工廠的前身于1983年成立，當時名稱為“MIETEC”，后來被阿爾卡特和AMI收購，并于2008年出售給安森美，2009年開始GaN開發(fā)。安森美希望將該硅晶圓廠作為重組的一部分出售，但在2022年將其分拆為BelGaN的GaN代工廠。

該工廠30多年來一直在汽車半導體生產(chǎn)領(lǐng)域積累專業(yè)知識。奧德納爾德工廠此前正在從硅片工廠轉(zhuǎn)變?yōu)镚aN工廠、運營和各種服務部門的多種職業(yè)機會，但嘗試采用新芯片技術(shù)的努力未能迅速見效。該公司一直面臨著現(xiàn)金流短缺的問題，再也無法維持有400多人工作的廠房。

BelGaN與中國風險投資公司有聯(lián)系，但無法吸引足夠的資金來資助向GaN生產(chǎn)的過渡。

BelGaN于2024年8月申請破產(chǎn)，2025年1月的拍賣通過出售芯片制造設備籌集超過2300萬歐元。

【重點事件】文心大模型4.5和文心大模型X1正式發(fā)布

3月16日，百度宣布，文心大模型4.5和文心大模型X1正式發(fā)布，目前，兩款模型已在文心一言官網(wǎng)上線，免費向用戶開放。百度表示，文心大模型4.5是百度自主研發(fā)的新一代原生多模態(tài)基礎大模型，多模態(tài)能力優(yōu)于GPT-4o，文本能力優(yōu)于DeepSeek-V3、GPT-4.5、GPT4o。文心大模型X1具備更強的理解、規(guī)劃、反思、進化能力，并支持多模態(tài)，是首個自主運用工具的深度思考模型。

此前，百度曾宣布文心一言將于4月1日起免費，本次不僅同時發(fā)布兩款全新大模型，且將免費開放時間提前，有助于降低用戶門檻，擴大市場份額。

AI大模型已成為新質(zhì)生產(chǎn)力的關(guān)鍵構(gòu)成要素，海內(nèi)外科技企業(yè)正持續(xù)推進大模型研發(fā)，以搶占更多市場。3月13日，阿里巴巴宣布推出新夸克，將AI對話、深度思考、深度搜索、深度研究、深度執(zhí)行整合到一個極簡“AI超級框”內(nèi)。此前，阿里發(fā)布并開源全新的推理模型通義千問QwQ-32B，性能比肩DeepSeek-R1。

其他還有騰訊推出新一代快思考模型混元Turbo S，智元發(fā)布首個通用具身基座大模型GO-1，華為組建醫(yī)療衛(wèi)生軍團，推動醫(yī)療大模型在臨床場景的應用。目前大模型競爭主要注重于功能、價格、體驗三個方面，隨著算法升級和成本降低，用戶將享受更低價、更智能的服務。

政策方面，2025年政府工作報告首次提出“支持大模型廣泛應用”。日前《深圳市加快推進人工智能終端產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2025—2026年）》印發(fā)。其中提到，加快發(fā)展端側(cè)大模型。鼓勵人工智能終端企業(yè)、端側(cè)大模型企業(yè)通過模型壓縮、蒸餾等輕量化和優(yōu)化技術(shù)，減小模型體積與計算量，提高人工智能終端模型轉(zhuǎn)換、優(yōu)化和工程部署的效率和效能。

【重點事件】在劍橋能源周（CERAWeek）上所討論的人工智能技術(shù)正促使石油生產(chǎn)速度加快且成本降低

在休斯敦舉行的劍橋能源周（CERAWeek）會議上，企業(yè)高管們詳細介紹稱，人工智能正在加速石油和天然氣鉆探進程，還促使企業(yè)重新審視那些此前被認為開發(fā)難度太大或成本過高的區(qū)域。

【重點事件】軟銀和 OpenAI 將在日本建造一座人工智能數(shù)據(jù)中心

據(jù)《日經(jīng)新聞》周五報道，軟銀集團（股票代碼：9434.T）計劃將日本一家原夏普液晶面板工廠改造為數(shù)據(jù)中心，用于運行與總部位于美國的 ChatGPT 研發(fā)公司 OpenAI 合作開發(fā)的人工智能智能體。

這家日本電信巨頭有意斥資約 1000 億日元（6.7705 億美元），收購夏普位于大阪已關(guān)閉的電視液晶工廠的設施及部分土地。

【重點事件】Google為快速增長的機器人行業(yè)推出新的AI模型

字母表公司（Alphabet，股票代碼：GOOGL.O）旗下的谷歌（Google）于周三推出了兩款基于其 “雙子星 2.0”（Gemini 2.0）模型、專門為機器人應用而定制的新人工智能模型，旨在滿足快速發(fā)展的機器人行業(yè)的需求。

據(jù)行業(yè)專家稱，在過去幾年里，隨著人工智能技術(shù)的不斷進步以及模型的持續(xù)優(yōu)化，機器人領(lǐng)域取得了巨大進展，大大加快了機器人在工業(yè)場景中的商業(yè)化進程。

【重點企業(yè)】意大利的Synapsia公司與阿聯(lián)酋的 Bold 科技公司簽署了一筆價值25億美元的協(xié)議

Synapsia 公司首席執(zhí)行官達尼埃萊?馬里內(nèi)利向路透社透露，意大利的 Synapsia 公司已與阿聯(lián)酋的 Bold 科技公司簽署了一份價值 25 億美元的合同，為阿布扎比提供基于人工智能的城市管理服務。

馬里內(nèi)利在周一晚間的一次電話采訪中表示，這家意大利公司將開發(fā)相關(guān)技術(shù)，以處理諸如交通、停車以及災害應急響應等城市問題。

【重點企業(yè)】科維威夫公司（CoreWeave）在首次公開募股（IPO）前與OpenAI簽署了一份價值119億美元的合同

由英偉達（股票代碼：NVDA.O）支持的人工智能初創(chuàng)公司科維威夫（CoreWeave），在其備受期待的上市之前，已與OpenAI簽署了一份價值119億美元的五年期合同。

科維威夫公司在周一的一份聲明中表示，作為該協(xié)議的一部分，科維威夫?qū)⑾?OpenAI 提供人工智能基礎設施，這證實了路透社此前的獨家報道。

【重點企業(yè)】ServiceNow公司通過以創(chuàng)紀錄的29億美元收購Moveworks 公司來增強其人工智能實力

ServiceNow公司（股票代碼：NOW.N）周一表示，將以28.5億美元現(xiàn)金加股票的方式收購人工智能企業(yè)Moveworks公司。這標志著這家軟件制造商進行了有史以來規(guī)模最大的一筆收購，而此時正值企業(yè)大力投入人工智能技術(shù)以提升其信息技術(shù)運營水平之際。

生成式人工智能的迅速崛起促使ServiceNow和Salesforce等公司對其產(chǎn)品進行升級，通過達成新的交易來在快速變化的軟件市場中保持競爭力。

【重點機構(gòu)】助力國產(chǎn)芯片突破FP8模型部署及DeepSeek部署成本及效率難題，清華團隊開源大模型推理引擎“赤兔Chitu”

3月14日，清華大學高性能計算研究所翟季冬教授團隊與清華系科創(chuàng)企業(yè)清程極智聯(lián)合宣布，開源大模型推理引擎“赤兔Chitu”，該引擎首次實現(xiàn)在非英偉達Hopper架構(gòu)GPU及各類國產(chǎn)芯片上原生運行FP8精度模型，為國產(chǎn)AI芯片的廣泛應用和生態(tài)建設帶來了新的突破。