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半導(dǎo)體行業(yè)周刊:加強半導(dǎo)體技術(shù)攻關(guān),全力推動產(chǎn)業(yè)集群化

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【重點政策】深圳寶安區(qū)印發(fā)《寶安區(qū)2024年國民經(jīng)濟和社會發(fā)展計劃》,加速打造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群


4月3日,深圳市寶安區(qū)發(fā)展和改革局印發(fā)《寶安區(qū)2024年國民經(jīng)濟和社會發(fā)展計劃》(以下簡稱《發(fā)展計劃》)。


《發(fā)展計劃》提出,實施“5+1+N”產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展戰(zhàn)略,出臺半導(dǎo)體與集成電路、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等8個專項政策,新涌現(xiàn)1個千億集群、兩個500億集群,戰(zhàn)新產(chǎn)業(yè)增加值占GDP比重突破50%。全市高端裝備、新材料產(chǎn)業(yè)集群基金成功落戶。重投天科第三代半導(dǎo)體項目試投產(chǎn),半導(dǎo)體封測集群入圍省中小企業(yè)特色產(chǎn)業(yè)集群。


點評:近年來,在巨大的市場需求、豐厚的人口紅利、穩(wěn)定的經(jīng)濟增長等優(yōu)勢條件推動下,國內(nèi)各省市地方政府對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展關(guān)注度日益提升,在中央政策支持引導(dǎo)下,各地區(qū)半導(dǎo)體相關(guān)政策陸續(xù)出臺,為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定良好基礎(chǔ),全國半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模得以加速擴容。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,我國半導(dǎo)體行業(yè)銷售額由2017年的7885億元增長至2022年的13839億元,年均復(fù)合增長率達11.91%;2023年,國內(nèi)半導(dǎo)體市場規(guī)模約增長達15009億元。


目前,面對技術(shù)工藝發(fā)展日益成熟的半導(dǎo)體市場,產(chǎn)業(yè)集群化成為推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的必行之路。《發(fā)展計劃》的出臺,說明深圳市寶安區(qū)政府已將半導(dǎo)體集群化發(fā)展列為本區(qū)2024年社會經(jīng)濟發(fā)展推進的重心之一。未來一年內(nèi),深圳市寶安區(qū)政府將根據(jù)《發(fā)展計劃》的發(fā)展規(guī)劃,充分結(jié)合市場發(fā)展情況,對區(qū)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作出更為詳細、精準(zhǔn)的發(fā)展計劃,積極推動轄區(qū)內(nèi)在建半導(dǎo)體項目試產(chǎn)投產(chǎn)的同時,加強政府招商引資力度,實施“5+1+N”產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展戰(zhàn)略,引入更多優(yōu)秀的半導(dǎo)體企業(yè),且引導(dǎo)相關(guān)企業(yè)就近、集群落戶,加速打造寶安區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群化高地,進一步降低區(qū)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)成本、提高行業(yè)生產(chǎn)效率,以持續(xù)推動深圳市甚至是全國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

圖1:2017-2023年中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模變化(單位:億元)

圖1:2017-2023年中國半導(dǎo)體行業(yè)銷售規(guī)模變化(單位:億元)

資料來源:中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、智研咨詢整理



【重點政策】江蘇無錫發(fā)布《無錫市強化企業(yè)科技創(chuàng)新主體地位行動方案》,不斷提升半導(dǎo)體科技創(chuàng)新孵化能力


4月2日,在江蘇省無錫市人民政府舉行的新聞發(fā)布會上,無錫市人民政府辦公室正式發(fā)布《無錫市強化企業(yè)科技創(chuàng)新主體地位行動方案》(以下簡稱《行動方案》)。


《行動方案》重點提出,以新建成投用科創(chuàng)載體為重點,圍繞人工智能、量子科技、第三代半導(dǎo)體、合成生物等我市未來產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域,強化專業(yè)團隊引領(lǐng)、專業(yè)平臺支撐、專業(yè)基金賦能,支持科技領(lǐng)軍企業(yè)、高校院所、投資機構(gòu)等主體建設(shè)一批專業(yè)化程度高、孵化成效好、產(chǎn)業(yè)帶動性大、示范引領(lǐng)性強的標(biāo)桿型眾創(chuàng)空間與孵化器。支持具備較好科技產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)的各類開發(fā)區(qū)、科技新城、科創(chuàng)片區(qū),立足自身資源稟賦,高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)一批集創(chuàng)新、創(chuàng)業(yè)、產(chǎn)業(yè)、文化和社區(qū)等功能有機融合的科創(chuàng)綜合體。到2027年,新增市級以上眾創(chuàng)空間、科技企業(yè)孵化器200家、省級以上科技企業(yè)孵化器20家,建成10家地標(biāo)型科創(chuàng)綜合體。


【重點事件】晶存科技存儲芯片制造總部項目落戶中山三鄉(xiāng)


4月3日,深圳市晶存科技有限公司(以下簡稱“晶存科技”)、三鄉(xiāng)鎮(zhèn)人民政府、中山市投資控股集團有限公司(以下簡稱“中山投控”)在三鄉(xiāng)鎮(zhèn)政府舉行晶存科技存儲芯片制造總部項目簽約儀式。接下來,晶存科技將投資超10億元在中山市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園建設(shè)存儲芯片測試線和先進封裝工藝線,該項目也將成為晶存科技存儲芯片制造總部項目。


對晶存科技而言,這一定位未來的總部項目落地,意味著企業(yè)聚焦集中化、智能化打造一個年產(chǎn)值50億元的生產(chǎn)總部。


對中山而言,晶存科技的重磅布局,不僅能促進三鄉(xiāng)當(dāng)?shù)氐漠a(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級,更能憑借其深厚的技術(shù)和行業(yè)積累,吸引更多產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)和優(yōu)秀人才,進而助推半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與創(chuàng)新資源集聚,助力中山打造新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)集群,發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。


【重點事件】惠然科技半導(dǎo)體量測設(shè)備總部項目落地?zé)o錫濱湖


4月1日,惠然科技半導(dǎo)體量測設(shè)備總部項目正式簽約落地濱湖。該項目由惠然科技有限公司投資,包含公司總部、上市主體以及新設(shè)立的半導(dǎo)體量測設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地,總投建金額達10億元,將為濱湖乃至無錫深化集成電路產(chǎn)業(yè)鏈布局、健全集成電路產(chǎn)業(yè)“生態(tài)圈”注入新動能。


【重點事件】長春經(jīng)開光電信息產(chǎn)業(yè)園二期項目預(yù)計6月竣工


4月2日,長春新聞報道,長春經(jīng)開光電信息產(chǎn)業(yè)園二期項目產(chǎn)業(yè)孵化大廈的外墻裝飾工作已經(jīng)基本完成,室內(nèi)裝飾正在同步施工。相關(guān)負責(zé)人透露,項目預(yù)計今年6月竣工,主要承載CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展及孵化,助力長春市光電產(chǎn)業(yè)集群式發(fā)展。


據(jù)了解,長春光電信息產(chǎn)業(yè)園是由中國科學(xué)院長春光機所牽頭,在長春市人民政府、長春經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會支持下建設(shè)的專業(yè)化特色科技產(chǎn)業(yè)園。目前,長春經(jīng)開區(qū)光電信息產(chǎn)業(yè)園區(qū)一期項目已經(jīng)建成投入使用,二期項目占地21000平方米,總投資11.4億元。投用后,主要承載CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展及孵化,將圍繞長光辰芯、長光華大、長光正圓等頭部企業(yè)的上下游企業(yè)進行精準(zhǔn)招商,進一步打造光電信息產(chǎn)業(yè)集聚區(qū),助力長春市新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級。


【重點技術(shù)】華東理工大學(xué)自主研發(fā)通用晶體生長技術(shù),國內(nèi)新型半導(dǎo)體材料庫進一步豐富


4月6日,華東理工大學(xué)宣布,校內(nèi)清潔能源材料與器件團隊自主研發(fā)了一種鈣鈦礦單晶晶片通用生長技術(shù),將晶體生長周期由7天縮短至1.5天,實現(xiàn)了30余種金屬鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體的低溫、快速、可控制備,為新一代高性能光電子器件提供了豐富的材料庫。相關(guān)成果發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然·通訊》。


【重點技術(shù)】北京大學(xué)申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)專利,實現(xiàn)源漏互連時的自對準(zhǔn)


4月6日,國家知識產(chǎn)權(quán)局公告顯示,北京大學(xué)申請一項名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件”的專利,公開號CN117832173A,申請日期為2023年12月。


專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件,上述方法包括:提供一形成有鰭狀結(jié)構(gòu)的襯底;其中,鰭狀結(jié)構(gòu)包括在第一方向上排布的器件區(qū)和場區(qū);去除鰭狀結(jié)構(gòu)中位于場區(qū)的第一部分,保留場區(qū)的第二部分;基于鰭狀結(jié)構(gòu)的上部,形成第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一源漏結(jié)構(gòu)、第一源漏金屬和第一層間介質(zhì)層;倒片并去除襯底,以暴露鰭狀結(jié)構(gòu)的下部;去除場區(qū)的第二部分,以暴露第一層間介質(zhì)層;基于鰭狀結(jié)構(gòu)的下部,形成第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第二源漏結(jié)構(gòu)、第二源漏金屬和第二層間介質(zhì)層;第一層間介質(zhì)層和第二層間介質(zhì)層中形成有互連通孔結(jié)構(gòu);互連通孔結(jié)構(gòu)與第一源漏金屬、第二源漏金屬連接。


【重點技術(shù)】華中科技大學(xué)與九峰山實驗室聯(lián)合突破光刻膠技術(shù)瓶頸


4月2日,據(jù)湖北九峰山實驗室官方消息,九峰山實驗室與華中科技大學(xué)組成的聯(lián)合研究團隊在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破,成功研發(fā)出“雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。


光刻膠是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵材料,其質(zhì)量和性能直接影響到集成電路的電性、成品率及可靠性等核心指標(biāo)。然而,長期以來,能夠滿足工藝穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強的光刻膠產(chǎn)品并不多見,這成為了制約我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展的瓶頸之一。


華中科技大學(xué)與九峰山實驗室的聯(lián)合研究團隊,通過巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計,構(gòu)建出新型的雙非離子型光酸協(xié)同增強響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠。這種光刻膠通過兩種光敏單元的協(xié)同作用,實現(xiàn)了光酸的快速生成和高效催化,從而實現(xiàn)了高精度、高分辨率的圖案轉(zhuǎn)移。


目前,這項技術(shù)的研發(fā)成果已經(jīng)在國際頂級期刊《化學(xué)工程雜志》上發(fā)表,并獲得了國家自然科學(xué)基金和973計劃的共同資助。


華中科技大學(xué)與九峰山實驗室的這次聯(lián)合突破,不僅展示了我國科研團隊在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累和創(chuàng)新能力,也為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了新的技術(shù)支撐。未來,隨著這項技術(shù)的進一步推廣和應(yīng)用,相信將有力推動我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更高水平邁進,為國家的科技進步和經(jīng)濟發(fā)展做出更大的貢獻。


【重點企業(yè)】鑫威源大功率藍光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項目竣工


4月1日,鑫威源大功率藍光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項目竣工儀式在大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行。


據(jù)悉,大功率藍光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項目由武漢鑫威源電子科技有限公司總投資10億元打造,廠房面積一萬余平方米,主要建設(shè)基于半導(dǎo)體化合物(GaN)技術(shù)的大功率藍光半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)線。目前,已完成廠房及配套裝修,正在進行各類設(shè)備儀器調(diào)試,計劃2025年1月正式投產(chǎn)。


資料顯示,鑫威源是新興光電子行業(yè)高科技企業(yè),主要圍繞大功率藍光半導(dǎo)體激光器相關(guān)材料、芯片、封裝及產(chǎn)品的設(shè)計、研發(fā)、制造與銷售。上述項目投產(chǎn)后,將彌補國內(nèi)高端光器件研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)域的不足,解決我國在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的“卡脖子”問題,為國產(chǎn)替代做出重要貢獻,具有顯著的經(jīng)濟與社會效益。


【重點企業(yè)】偉測科技擬發(fā)行不超11.75億可轉(zhuǎn)債


4月2日,偉測科技發(fā)布公告稱,公司擬向不特定對象發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資不超過11.75億元,扣除發(fā)行費用后用于偉測半導(dǎo)體無錫集成電路測試基地項目、偉測集成電路芯片晶圓級及成品測試基地項目、償還銀行貸款及補充流動資金。


根據(jù)公告,偉測科技本次募投項目主要用于現(xiàn)有主營業(yè)務(wù)集成電路測試業(yè)務(wù)的產(chǎn)能擴充,重點擴充“高端芯片測試”和“高可靠性芯片測試”的產(chǎn)能,提高公司集成電路測試服務(wù)的效率和交付能力,有利于優(yōu)化公司收入結(jié)構(gòu),增強公司在芯片測試領(lǐng)域的市場競爭力,提高公司市場份額。


【重點企業(yè)】星思半導(dǎo)體完成超5億元B輪融資,持續(xù)關(guān)注低軌衛(wèi)星通信領(lǐng)域


4月7日,星思半導(dǎo)體完成超5億元B輪融資,本輪投資方包括中電數(shù)據(jù)基金、鼎暉香港基金、藍盾光電、華創(chuàng)資本、朗潤利方、興鼎基金、浙江雷可澳等,老股東沃賦創(chuàng)投繼續(xù)追加投資。星思半導(dǎo)體是一家平臺型基帶芯片設(shè)計企業(yè),本輪融資完成后,公司將繼續(xù)加大在低軌衛(wèi)星通信領(lǐng)域全套解決方案的投入,保障和支撐衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)重大戰(zhàn)略項目。


【重點企業(yè)】安建半導(dǎo)體完成超2億元C輪融資,不斷加大產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)


4月7日,安建半導(dǎo)體完成超2億元C輪融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領(lǐng)投,龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。募集資金將主要用于開發(fā)及量產(chǎn)汽車級IGBT與SiC MOS產(chǎn)品平臺;擴建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產(chǎn)線;擴充銷售及其他人才團隊;增加營運現(xiàn)金流儲備等。


【重點企業(yè)】科友和俄羅斯N公司達成合作,開展“完美八英寸碳化硅籽晶”項目


4月3日,科友半導(dǎo)體宣布,公司于3月27日與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項目合作。據(jù)稱,俄羅斯N公司在晶體缺陷密度控制方面有著豐富的研究經(jīng)驗,在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表高水平文章及期刊百余篇。


科友半導(dǎo)體表示,通過與俄羅斯N公司的合作,他們將研發(fā)獲得“無微管,低位錯”完美籽晶,應(yīng)用品質(zhì)優(yōu)異的籽晶進行晶體生長,會進一步大幅降低8英寸碳化硅晶體內(nèi)部的微管、位錯等缺陷密度,從而提高晶體生長的質(zhì)量和良率,并推動碳化硅長晶爐體及工藝技術(shù)的優(yōu)化與升級。


此前,科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線平均長晶良率已突破50%,晶體厚度15mm以上。2022年底,科友半導(dǎo)體在通過自主設(shè)計制造的電阻長晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶,晶體表面光滑無缺陷。此外,在今年3月,科友半導(dǎo)體成功拿下了超2億元的出口歐洲SiC長訂單,首批產(chǎn)品將在4月交付;并且順利通過“國際汽車特別工作組質(zhì)量管理體系”(IATF16949)認證,進軍新能源汽車芯片襯底市場。


【重點企業(yè)】天科合達北京工廠招標(biāo)8英寸量產(chǎn)設(shè)備


4月2日中國國際招標(biāo)網(wǎng)公布信息顯示,天科合達北京基地正在招標(biāo)8英寸襯底量產(chǎn)線設(shè)備,包含加工產(chǎn)線的倒角-拋光-研磨-清洗及各類測試設(shè)備等產(chǎn)品。表明天科合達將進一步布局8英寸量產(chǎn)產(chǎn)能。據(jù)悉,在今年3月20日舉行的SEMICON China 2024展會上,天科合達就已經(jīng)展出了公司的8英寸導(dǎo)電襯底(500um),8英寸導(dǎo)電襯底(350um)和8英寸的外延片產(chǎn)品。天科合達表示公司將打造襯底+外延的一體化解決方案,提供豐富的產(chǎn)品組合,為客戶提供更全面的保障和服務(wù)。


【重點企業(yè)】江豐電子與韓國牙山市政府成功簽約,共建現(xiàn)代化半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地


4月2日,江豐電子宣布,公司與韓國牙山市政府成功簽署了投資合作協(xié)議,計劃投資3.5億元在牙山市新建一座現(xiàn)代化的半導(dǎo)體靶材生產(chǎn)工廠。這一合作協(xié)議的簽署標(biāo)志著雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作正式進入實質(zhì)性階段。建成后的工廠將專注于高端半導(dǎo)體靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,致力于提供高品質(zhì)、高性能的半導(dǎo)體材料。


【重點事件】臺積電將與日本九州大學(xué)簽訂諒解備忘錄,共同培育半導(dǎo)體人才


4月1日消息,臺積電與日本九州大學(xué)雙方計劃于本月就半導(dǎo)體領(lǐng)域的廣泛合作簽署諒解備忘錄。根據(jù)即將簽署的諒解備忘錄內(nèi)容,臺積電將向九州大學(xué)的“價值創(chuàng)造型半導(dǎo)體人才育成中心”派遣研究人員授課,以解決該領(lǐng)域的人才短缺問題。雙方還將考慮在未來開展聯(lián)合研究。



【重點事件】晶圓代工領(lǐng)域“新貴”Rapidus獲日本政府高額補貼


4月2日,日本批準(zhǔn)向芯片企業(yè)Rapidus公司提供高達5900億日元(約合39億美元)補貼,幫助Rapidus購買芯片制造設(shè)備,并開發(fā)先進后端芯片制造工藝,為日本在半導(dǎo)體制造業(yè)實現(xiàn)趕超雄心投入更多資金。這家成立僅19個月的初創(chuàng)公司已獲得數(shù)十億美元政府資金。這些撥款旨在恢復(fù)日本昔日芯片制造實力。


【重點事件】韓國釜山計劃新建2座8英寸SiC/GaN工廠


4月6日,據(jù)韓媒報道,韓國釜山市正計劃投建2座8英寸SiC/GaN功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,最快將于明年下半年開始。據(jù)悉,釜山市政府計劃投資400億韓元(約合人民幣2.2億),在東南地區(qū)—放射線醫(yī)科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建一座采用SiC、GaN等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,該項目已獲得國家及市級基金資助。


其次,他們將在機張郡成立一座新的功率半導(dǎo)體技術(shù)研究所,該研究所將接管位于功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心(PSCC)的6英寸功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,并安裝運營新的8英寸生產(chǎn)設(shè)施,支持入駐企業(yè)開展1700V級高壓器件技術(shù)研發(fā)等技術(shù)工作,同時開展盈利業(yè)務(wù),計劃于明年下半年開始建立。


與此同時,位于功率半導(dǎo)體商業(yè)化中心(PSCC)的20多家半導(dǎo)體公司還計劃投資1.1萬億韓元(約合人民幣60億),以打造下一代功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)。


【重點企業(yè)】鎧俠計劃在2031年量產(chǎn)1000層3D NAND


4月6日,據(jù)外媒Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片大廠鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima表示,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。


在近日于東京城市大學(xué)舉行的第71屆應(yīng)用物理學(xué)會春季會議上的演講中,Miyajima討論了在3D NAND器件中實現(xiàn)超過1000層的技術(shù)挑戰(zhàn)和解決方案。


據(jù)介紹,增加3D NAND Flash器件中的有源層數(shù)量是當(dāng)今提高NAND Flash密度的最佳方法,因此所有3D NAND Flash制造商都努力每1.5到2年就推出新的工藝節(jié)點來實現(xiàn)這一目標(biāo)。每個新節(jié)點都會帶來一些挑戰(zhàn),因為3D NAND Flash制造商必須增加層數(shù)并橫向和縱向縮小NAND Flash單元。這個過程要求制造商在每個新節(jié)點都采用新材料,這是一項重大的研發(fā)挑戰(zhàn)。


如今,鎧俠最好的3D NAND Flash器件是第八代BiCS 3D NAND Flash,具有218個有源層和3.2 GT/s接口(于2023年3月首次推出)。這一代引入了一種新穎的CBA(CMOS直接鍵合到陣列)架構(gòu),該架構(gòu)涉及使用最合適的工藝技術(shù)單獨制造3D NAND Flash單元陣列晶圓和I/O CMOS晶圓并將它們鍵合在一起。其結(jié)果是產(chǎn)品具有增強的位密度和改進的NAND I/O速度,這確保了內(nèi)存可用于構(gòu)建最好的SSD。


與此同時,鎧俠及其制造合作伙伴西部數(shù)據(jù)(Western Digital)尚未披露CBA架構(gòu)的具體細節(jié),例如I/O CMOS晶圓是否包括額外的NAND外圍電路(如頁緩沖器、讀出放大器和電荷泵)。通過分別生產(chǎn)存儲單元和外圍電路,制造商可以為每個組件利用最高效的工藝技術(shù),隨著行業(yè)向串堆疊等方法發(fā)展,制造商將獲得更多優(yōu)勢,串堆疊肯定會用于1000層3D NAND。


【重點企業(yè)】SK海力士與美國印第安納州簽約先進后端工藝領(lǐng)域投資合作


4月4日,SK海力士宣布,在美國印第安納州西拉斐特(West Lafayette)建造適于AI的存儲器先進封裝生產(chǎn)基地,同時與美國普渡(Purdue)大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C構(gòu)進行半導(dǎo)體研究和開發(fā)合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。

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