2023年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析：下游市場(chǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)良好，推動(dòng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求加快釋放[圖]

內(nèi)容概要：存儲(chǔ)芯片又稱為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要是指以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，通常用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備。2022年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模為1297.67億美元，我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模較上年同期下降5.9%，達(dá)到5170億元，主要是受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲軟等因素的影響。隨著新一輪人工智能浪潮的爆發(fā)以及國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子市場(chǎng)的快速發(fā)展，未來(lái)我國(guó)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)逐漸增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至5400億元。

關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)芯片、行業(yè)概述、產(chǎn)業(yè)鏈、發(fā)展現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局

一、行業(yè)概述：國(guó)家積極出臺(tái)相關(guān)政策，推動(dòng)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展

存儲(chǔ)芯片又稱為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要是指以半導(dǎo)體電路作為存儲(chǔ)媒介的存儲(chǔ)器，通常用于保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲(chǔ)芯片具有存儲(chǔ)速度快、體積小等特點(diǎn)，廣泛運(yùn)用于U盤(pán)、內(nèi)存、消費(fèi)電子、固態(tài)存儲(chǔ)硬盤(pán)、智能終端等領(lǐng)域。存儲(chǔ)芯片技術(shù)主要應(yīng)用于企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)系統(tǒng)的應(yīng)用，為存儲(chǔ)協(xié)議、訪問(wèn)性能、存儲(chǔ)介質(zhì)、管理平臺(tái)等多種應(yīng)用提供高質(zhì)量的支持。隨著數(shù)據(jù)的快速增長(zhǎng)以及數(shù)據(jù)對(duì)業(yè)務(wù)的重要性日益提升，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)正經(jīng)歷快速演變。存儲(chǔ)芯片分類較為廣泛，按照用途可將其分為主存儲(chǔ)芯片和輔助存儲(chǔ)芯片；按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲(chǔ)芯片和非易失性存儲(chǔ)芯片。

比較存儲(chǔ)芯片三大產(chǎn)品可以看出，NAND Flash具有寫(xiě)入速度快和價(jià)格較低等優(yōu)勢(shì)，目前的USB硬盤(pán)、手機(jī)儲(chǔ)存空間以及固態(tài)硬盤(pán)（Solid State Drive， SSD）就是以NAND Flash為主流技術(shù)。盡管NOR Flash具有讀取速度快，但寫(xiě)入的速度慢、價(jià)格也比NAND Flash貴。DRAM具有存儲(chǔ)時(shí)間短、讀寫(xiě)速度快等優(yōu)勢(shì)，但單位成本較高，主要用于手機(jī)內(nèi)存、服務(wù)器以及PC內(nèi)存等設(shè)備等。

在1958年和1959年，美國(guó)的兩位科學(xué)家分別發(fā)明了第一塊鍺集成電路和硅集成電路，這一突破性技術(shù)有力地推動(dòng)了電子器件的微型化，為芯片行業(yè)的全面到來(lái)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。自1960年以來(lái)，存儲(chǔ)行業(yè)開(kāi)始逐漸嶄露頭角，按照產(chǎn)品周期，存儲(chǔ)行業(yè)可以被劃分為三個(gè)主要的階段。在第一個(gè)階段，也就是在1990年以前，DRAM成為存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上的主要產(chǎn)品，主導(dǎo)著整個(gè)市場(chǎng)的發(fā)展。第二個(gè)階段是從1990年至2000年。在這個(gè)階段中，NOR Flash開(kāi)始逐步占據(jù)一定比例的市場(chǎng)份額，成為存儲(chǔ)市場(chǎng)中的重要角色。第三個(gè)階段是2000年以后。在這個(gè)階段中，NAND Flash開(kāi)始爆發(fā)式增長(zhǎng)，成為存儲(chǔ)市場(chǎng)中的主導(dǎo)力量。到了2005年，NAND Flash總發(fā)售容量已經(jīng)超過(guò)了DRAM。總的來(lái)說(shuō)，自20世紀(jì)50年代以來(lái)，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和市場(chǎng)需求的不斷變化，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了不同階段的發(fā)展，如今已成為信息技術(shù)領(lǐng)域中的重要支柱。

近年來(lái)，國(guó)家大力支持存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展，并出臺(tái)相關(guān)政策。例如，2020年8月，國(guó)務(wù)院印發(fā)《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》，提出聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術(shù)、集成電路關(guān)鍵材料集成電路設(shè)計(jì)工具、基礎(chǔ)軟件、工業(yè)軟件、應(yīng)用軟件的關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)，不斷探索構(gòu)建社會(huì)主義市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)條件下關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)新型舉國(guó)體制。2023年6月，工信部等五部門(mén)印發(fā)《制造業(yè)可靠性提升實(shí)施意見(jiàn)》，提出要重點(diǎn)提升電子整機(jī)裝備用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化鎵/碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件、精密光學(xué)元器件、光通信器件、新型敏感元件及傳感器、高適應(yīng)性傳感器模組、北斗芯片與器件、片式阻容感元件、高速連接器、高端射頻器件、高端機(jī)電元器件、LED芯片等電子元器件的可靠性水平。

二、產(chǎn)業(yè)鏈：上游原材料供應(yīng)充足，為存儲(chǔ)芯片發(fā)展提供穩(wěn)定保障

存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游主要是原材料和半導(dǎo)體設(shè)備，其中，原材料主要包括硅片、光刻膠、拋光材料、電子特種氣體等；半導(dǎo)體設(shè)備主要包括光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、PVD、CVD等。產(chǎn)業(yè)鏈中游主要為存儲(chǔ)芯片制造及封裝，常見(jiàn)的存儲(chǔ)芯片包括NOR閃存芯片、NAND閃存芯片和DRAM等。產(chǎn)業(yè)鏈下游主要為存儲(chǔ)芯片應(yīng)用領(lǐng)域，主要包括消費(fèi)電子、信息通信、汽車電子等。

半導(dǎo)體硅片在存儲(chǔ)芯片中作為主體材料，主要是實(shí)現(xiàn)信號(hào)的處理、存儲(chǔ)和傳輸。近年來(lái)，隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的迅速崛起，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)，據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年我國(guó)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模較上年同期增長(zhǎng)16.07%，達(dá)到138.28億元。未來(lái)，隨著下游需求的增長(zhǎng)以及技術(shù)的不斷突破，我國(guó)半導(dǎo)體硅片的市場(chǎng)規(guī)模將保持高速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至164.85億元。光刻膠又稱為“光致抗蝕劑”，其作用原理是在芯片加工過(guò)程中充當(dāng)抗腐蝕涂層，在存儲(chǔ)芯片中主要起到抗腐蝕保護(hù)作用。當(dāng)前，我國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈初見(jiàn)雛形，上游原材料、中游成品制造再到下游應(yīng)用均在逐步完善，加上下游需求增加的推動(dòng)下，我國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年我國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模較上年同期增長(zhǎng)5.68%，達(dá)到98.6億元，預(yù)計(jì)2023年我國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至109.2億元。濺射靶材在存儲(chǔ)芯片中主要用作金屬導(dǎo)線，將數(shù)以億計(jì)的微型晶體管相互連接，從而傳遞信號(hào)。濺射靶材下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，其中，信息存儲(chǔ)占比29%；半導(dǎo)體芯片占比10%。近年來(lái)，在技術(shù)創(chuàng)新的推動(dòng)下，芯片等產(chǎn)業(yè)需求不斷釋放，推動(dòng)我國(guó)濺射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年我國(guó)濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模較上年同期增長(zhǎng)6.76%至395億元，預(yù)計(jì)2023年將增長(zhǎng)至431億元。

三、發(fā)展現(xiàn)狀：下游市場(chǎng)發(fā)展態(tài)勢(shì)良好，推動(dòng)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求加快釋放

存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第二細(xì)分市場(chǎng)，其市場(chǎng)規(guī)模僅次于邏輯芯片，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，并呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的數(shù)據(jù)，2022年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模較上年同期增長(zhǎng)3.27%，達(dá)到5740.84億美元，創(chuàng)歷史新高。集成電路市場(chǎng)規(guī)模為4744.23億美元，占比為82.64%，其中，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模為1297.67億美元，占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的22.6%，從這一數(shù)據(jù)可以看出，存儲(chǔ)芯片在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中貢獻(xiàn)的價(jià)值量較大。盡管整體上存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)和半導(dǎo)體市場(chǎng)歷史周期走勢(shì)保持一致，但存儲(chǔ)芯片對(duì)于市場(chǎng)的周期變化反應(yīng)先于整體半導(dǎo)體市場(chǎng)，其波動(dòng)性也大于整體半導(dǎo)體市場(chǎng)。2023年上半年，全球半導(dǎo)體下行周期持續(xù)，整體市場(chǎng)需求呈現(xiàn)疲軟態(tài)勢(shì)。然而，隨著物聯(lián)網(wǎng)、5G通信、汽車電子等下游領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求仍在持續(xù)增長(zhǎng)，從中長(zhǎng)期來(lái)看，市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求仍將保持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

WSTS數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模較上年同期下降15.63%至1297.67億美元，其中，NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模為601億美元；DRAM市場(chǎng)規(guī)模為791億美元，主要原因在于消費(fèi)類終端出貨量有所下滑，22022年P(guān)C出貨量和智能手機(jī)出貨量分別下滑13%和9%。盡管消費(fèi)類終端設(shè)備出貨量下降，導(dǎo)致全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模有所下滑，但各類終端設(shè)備搭載存儲(chǔ)平均容量略有增長(zhǎng)，2022年全球NAND Flash容量增長(zhǎng)了6%，達(dá)到了6100億GB；全球DRAM容量增長(zhǎng)2%，達(dá)1900億GB。消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)于存儲(chǔ)行業(yè)來(lái)說(shuō)依舊是重要的增長(zhǎng)市場(chǎng)之一，未來(lái)，隨著線上業(yè)務(wù)的不斷發(fā)展以及海量數(shù)據(jù)的持續(xù)增長(zhǎng)，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)也將迎來(lái)新一輪的需求變化。WSTS預(yù)測(cè)，2023年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)將加速筑底，隨后將迎來(lái)上升周期，并預(yù)測(cè)2023年和2024年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將分別為840.41億美元和1203.26億美元。

DRAM、NAND Flash和NOR Flash在不同的容量區(qū)間內(nèi)具有各自獨(dú)特的性能和成本優(yōu)勢(shì)，從而滿足了不同應(yīng)用領(lǐng)域的存儲(chǔ)需求。在全球范圍內(nèi)，DRAM和NAND Flash是存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的主要產(chǎn)品，其中DRAM占據(jù)了最大的市場(chǎng)份額，占比高達(dá)57%。與此同時(shí)，NAND Flash的市場(chǎng)份額也達(dá)到了40%。相比之下，NOR Flash的市場(chǎng)份額相對(duì)較小，僅占1%。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，對(duì)技術(shù)和研發(fā)要求較高。全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)主要集中在韓國(guó)、日本和美國(guó)等國(guó)家，這些國(guó)家擁有先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和研發(fā)能力，能夠生產(chǎn)出高性能、高可靠性的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品。由于我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)起步較晚，缺乏技術(shù)積累和核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)，國(guó)內(nèi)廠商在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的發(fā)展相對(duì)較為滯后。然而，近年來(lái)，我國(guó)政府加大了對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度，推動(dòng)國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。盡管目前存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展與國(guó)外市場(chǎng)相比仍存在差距，但隨著國(guó)內(nèi)廠商技術(shù)的不斷突破，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)有望迎來(lái)發(fā)展黃金期。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018-2022年，我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模整體呈現(xiàn)上漲趨勢(shì)，2019年受到全球存儲(chǔ)器行業(yè)的影響，市場(chǎng)規(guī)模有所下降。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年我國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模較上年同期下降5.9%，達(dá)到5170億元，主要是受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲軟等因素的影響。隨著新一輪人工智能浪潮的爆發(fā)以及國(guó)內(nèi)消費(fèi)電子市場(chǎng)的快速發(fā)展，未來(lái)我國(guó)存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)逐漸增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023年我國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至5400億元。

存儲(chǔ)芯片是電子系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心元件，其下游應(yīng)用非常廣泛，主要包括手機(jī)等消費(fèi)電子以及汽車電子等。近年來(lái)，我國(guó)手機(jī)產(chǎn)量較為穩(wěn)定，總體保持在15億臺(tái)左右。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年1-10月，我國(guó)手機(jī)產(chǎn)量較上年同期增長(zhǎng)1.6%，達(dá)到12.48億臺(tái)，2023年1-9月，我國(guó)手機(jī)出貨量較上年同期增長(zhǎng)2.2%，達(dá)到2億部，主要原因在于我國(guó)電子信息制造業(yè)生產(chǎn)持續(xù)回升，投資穩(wěn)定增長(zhǎng)。受到新能源汽車的影響，汽車電子化程度持續(xù)提升，汽車的智能化、電動(dòng)化將推動(dòng)汽車電子市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年我國(guó)汽車電子市場(chǎng)規(guī)模較上年同期增長(zhǎng)10%，達(dá)到9783億元，主要原因在于政策經(jīng)濟(jì)雙重推動(dòng)，為行業(yè)持續(xù)發(fā)展提供了重要支撐，預(yù)計(jì)2023年我國(guó)汽車電子市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至10973億元?？傮w來(lái)看，隨著存儲(chǔ)芯片下游領(lǐng)域的持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，將直接促進(jìn)存儲(chǔ)芯片需求的增加，從而推動(dòng)存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展。

相關(guān)報(bào)告：智研咨詢發(fā)布的《中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)及市場(chǎng)運(yùn)行潛力報(bào)告》

四、競(jìng)爭(zhēng)格局：我國(guó)主要參與低端產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，高端產(chǎn)品市場(chǎng)由國(guó)外廠商主導(dǎo)

當(dāng)前，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)呈現(xiàn)高度集中的態(tài)勢(shì)，主要包括韓國(guó)的三星和SK海力士、美國(guó)的美光和西部數(shù)據(jù)等，而在中國(guó)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)也在不斷努力，分別在NAND Flash和DRAM市場(chǎng)中展現(xiàn)出強(qiáng)勁的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力，并在某些領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大突破，逐漸縮小了與國(guó)外原廠的差距。在全球NOR Flash市場(chǎng)中，中國(guó)企業(yè)兆易創(chuàng)新以其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)策略，成功占據(jù)前三的位置。值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團(tuán)旗下還包含長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT），這意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash和DRAM的自主研發(fā)能力，推動(dòng)了中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

從中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)上市公司的業(yè)務(wù)來(lái)看，兆易創(chuàng)新以其卓越的領(lǐng)導(dǎo)地位和強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力，成為國(guó)內(nèi)行業(yè)的領(lǐng)頭羊。2023年上半年，兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收為2013億元，在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域?qū)嵙?qiáng)勁。此外，北京君正存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收為15億元，毛利率為36.06%，其余企業(yè)營(yíng)收規(guī)模較小，均在10億元以下。盡管這些企業(yè)在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域取得了顯著的業(yè)績(jī)，但與全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商相比，中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力仍顯不足。這主要是由于中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)仍處于投產(chǎn)初期，產(chǎn)品線尚未完全成熟，技術(shù)積累和品牌影響力仍有待提升。在競(jìng)爭(zhēng)情況方面，中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)主要參與低端產(chǎn)品市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)，而高端產(chǎn)品市場(chǎng)則主要由國(guó)外龍頭廠商主導(dǎo)。這使得行業(yè)現(xiàn)有競(jìng)爭(zhēng)者之間的競(jìng)爭(zhēng)變得異常激烈。同時(shí)，上游國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商的議價(jià)能力整體一般，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)提供了一定的成本控制空間。另外，盡管新型存儲(chǔ)技術(shù)不斷發(fā)展，但目前尚未具備替代DRAM或NAND閃存的能力，仍處于大規(guī)模商用的初級(jí)階段。因此，存儲(chǔ)芯片行業(yè)的替代品威脅相對(duì)較小。綜上所述，中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)在經(jīng)歷快速發(fā)展的同時(shí)，仍需不斷提升自身的技術(shù)實(shí)力和品牌影響力，以應(yīng)對(duì)日益激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)和不斷提升的客戶需求。

以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢（m.yhcgw.cn）發(fā)布的《中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)及市場(chǎng)運(yùn)行潛力報(bào)告》。智研咨詢是中國(guó)領(lǐng)先產(chǎn)業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)，提供深度產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告、商業(yè)計(jì)劃書(shū)、可行性研究報(bào)告及定制服務(wù)等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務(wù)。您可以關(guān)注【智研咨詢】公眾號(hào)，每天及時(shí)掌握更多行業(yè)動(dòng)態(tài)。