2023-2029年中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場供需態(tài)勢及前景戰(zhàn)略研判報告
《2023-2029年中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場供需態(tài)勢及前景戰(zhàn)略研判報告 》共八章,包含中國動態(tài)隨機存取存儲器產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)重點企業(yè)布局案例研究,中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。
2023-2029年中國可編程只讀存儲器(PROM)行業(yè)市場現(xiàn)狀調(diào)查及未來趨勢研判報告
《2023-2029年中國可編程只讀存儲器(PROM)行業(yè)市場現(xiàn)狀調(diào)查及未來趨勢研判報告》共八章,包含中國可編程只讀存儲器(PROM)產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國可編程只讀存儲器(PROM)行業(yè)重點企業(yè)布局案例研究,中國可編程只讀存儲器(PROM)行業(yè)市場及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。
存儲器行業(yè)專題研究:雙墻阻礙算力升級 探討四大新型存儲應(yīng)用
傳統(tǒng)存儲難破雙墻阻礙,智聯(lián)時代新型存儲應(yīng)運而生。AIoT、5G、智能汽車等新興應(yīng)用場景對數(shù)據(jù)存儲在容量、速度、功耗、成本、可靠性等層面提出更高要求。但CPU 與存儲芯片間的“性能墻”與各級存儲芯片間的“存儲墻”成為限制傳統(tǒng)存儲器應(yīng)用于新興領(lǐng)域的兩座難關(guān)。
2023-2029年中國高速緩沖存儲器行業(yè)市場競爭態(tài)勢及發(fā)展趨向研判報告
《2023-2029年中國高速緩沖存儲器行業(yè)市場競爭態(tài)勢及發(fā)展趨向研判報告》共十章,包含2023-2029年高速緩沖存儲器競爭形勢及策略,高速緩沖存儲器領(lǐng)先企業(yè)經(jīng)營形勢分析,2023-2029年中國高速緩沖存儲器行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測等內(nèi)容。
2023-2029年中國電子式可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)行業(yè)市場供需態(tài)勢及發(fā)展趨向研判報告
《2023-2029年中國電子式可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)行業(yè)市場供需態(tài)勢及發(fā)展趨向研判報告 》共八章,包含中國電子式可擦除可編程只讀存儲器行業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國電子式可擦除可編程只讀存儲器行業(yè)重點企業(yè)布局案例研究,中國電子式可擦除可編程只讀存儲器行業(yè)市場及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。
2023-2029年中國隨機存取存儲器(RAM)行業(yè)市場研究分析及發(fā)展趨向分析報告
《2023-2029年中國隨機存取存儲器(RAM)行業(yè)市場研究分析及發(fā)展趨向分析報告 》共八章,包含中國RAM產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國RAM行業(yè)重點企業(yè)布局案例研究,中國RAM行業(yè)市場前瞻及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。
2022-2028年中國非易失性存儲器行業(yè)市場全景評估及發(fā)展策略分析報告
《2022-2028年中國非易失性存儲器行業(yè)市場全景評估及發(fā)展策略分析報告》共十二章,包含非易失性存儲器行業(yè)重點企業(yè)發(fā)展調(diào)研,非易失性存儲器行業(yè)風(fēng)險及對策,非易失性存儲器行業(yè)發(fā)展及競爭策略分析等內(nèi)容。
2021年全球及中國存儲器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析:半導(dǎo)體存儲器占全球半導(dǎo)體市場的29%[圖]
2021年全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模為1538.38億美元,同比增長30.9%,占集成電路市場規(guī)模比例為33%。 WSTS預(yù)計2022年全球半導(dǎo)體存儲器市場規(guī)模為1554.58億美元,占全球半導(dǎo)體市場規(guī)模比例為25.34%。2020年中國存儲器行業(yè)市場規(guī)模為3223億元,同比增漲11.87%。
我國科學(xué)家研制出用于多模態(tài)信息存儲加密的植入式瞬態(tài)可溶蠶絲蛋白存儲器
瞬態(tài)可溶存儲器是瞬態(tài)可溶電子植入器件中的重要組成部分和信息存儲媒介,該存儲器在實現(xiàn)可控降解的同時還需具備穩(wěn)定的存儲和加密功能。
研究團隊發(fā)現(xiàn)鐵硅化合物可用作非易失性存儲器材料
據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道,日本東京大學(xué)與理化學(xué)研究所、東北大學(xué)、原子能研究機構(gòu)等合作研究,成功地將自然界存儲豐富的鐵硅化合物應(yīng)用于不使用電源也能保持記憶的“非揮發(fā)性存儲”信息記憶技術(shù)。研究發(fā)現(xiàn),鐵硅化合物的表面與晶體內(nèi)部不同,具有與磁鐵相同性質(zhì),可通電。這一成果將有助于電子器件的省電化和高功能化。