海特高新：第三代半導(dǎo)體國(guó)際領(lǐng)先者 氮化鎵芯片空間大

    海特高新：國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體制造企業(yè)，實(shí)現(xiàn)核心高端芯片自主可控公司主營(yíng)航空高端裝備研發(fā)制造及維修、第二代/第三代化合物半導(dǎo)體；公司為國(guó)際領(lǐng)先的高性能集成電路制造企業(yè)，解決了中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中制造環(huán)節(jié)的瓶頸，實(shí)現(xiàn)了核心高端芯片自主可控及國(guó)產(chǎn)化替代。

    子公司海威華芯在中國(guó)率先提供六英吋砷化鎵（GaAs）集成電路的純晶圓代工（Foundry）服務(wù)；在第三代半導(dǎo)體（氮化鎵GaN）領(lǐng)域擁有國(guó)際領(lǐng)先、國(guó)內(nèi)一流的技術(shù)；在全球氮化鎵芯片專利技術(shù)屬于一流梯隊(duì)，公司專利總共249 項(xiàng)，其中過半數(shù)是發(fā)明專利?？杀裙緸槿补怆姟⑴_(tái)灣穩(wěn)懋。

    氮化鎵：未來之星，年均增21%；2020 年有望成國(guó)內(nèi)“氮化鎵應(yīng)用元年”

    第二代半導(dǎo)體：2020 年全球GaAs 微波通信器件規(guī)模將超130 億美元。第三代半導(dǎo)體：根據(jù)Yole 測(cè)算，GaN 射頻市場(chǎng)將從2018 年的6.45 億美元增長(zhǎng)到2024 年約20 億美元，年均復(fù)合增速達(dá)21%；主要受益于電信基礎(chǔ)設(shè)施5G 宏基站建設(shè)、國(guó)防、快充、汽車電子、消費(fèi)電子等應(yīng)用推動(dòng)。

    小米公司宣布使用GaN 快充， GaN 功率器件有望在筆記本電腦、手機(jī)快充加速普及。華為、蘋果、三星、OPPO、康佳等在GaN 技術(shù)上有較多積累。華為5G 宏基站PA 訂單明顯增長(zhǎng)； GaN工藝有望應(yīng)用于5G 宏基站。

    芯片業(yè)務(wù)：訂單突破億元級(jí)別；科裝業(yè)務(wù)占比過半；為未來最大增長(zhǎng)亮點(diǎn)公司第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用于5G 移動(dòng)通信、AI 人工智能、雷達(dá)、汽車電子、電力電子、光纖通訊、3D 感知、新能源、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。公司在5G宏基站射頻GaN 產(chǎn)品上取得重大突破；硅基氮化鎵功率器件芯片已實(shí)現(xiàn)小批量量產(chǎn)，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先進(jìn)行硅基氮化鎵量產(chǎn)的企業(yè)。

    2019 年海威華芯訂單量突破億級(jí)。2019 年上半年芯片業(yè)務(wù)收入0.25 億元，同比大增303%；收入占比達(dá)7%。公司發(fā)展過程為先專用后民用，2019 年科裝產(chǎn)品業(yè)務(wù)占比超50%，毛利率遠(yuǎn)高于民品。芯片業(yè)務(wù)已拓展了一百多個(gè)客戶，已取得18 個(gè)科裝產(chǎn)品的定向項(xiàng)目，排名靠前，預(yù)計(jì)將在2年內(nèi)全部實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。2020 年1 月科裝產(chǎn)品拿到全年指定任務(wù)20%的訂單。