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2019年全球及中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場發(fā)展現(xiàn)狀與中國市場特點(diǎn)分析[圖]

    一、功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及其應(yīng)用領(lǐng)域概述

    功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)也稱為電力電子器件,是用于對電流、電壓、頻率、相位、相數(shù)等進(jìn)行變換和控制,以實(shí)現(xiàn)整流(AC/DC)、逆變(DC/AC)、斬波(DC/DC)、開關(guān)、放大等各種功能的半導(dǎo)體電子器件。

    從技術(shù)的角度來看,功率半導(dǎo)體與大規(guī)模集成電路是半導(dǎo)體技術(shù)(更具體說是微電子技術(shù))中相互獨(dú)立平行發(fā)展又時(shí)有交叉的兩個(gè)不同的專業(yè)領(lǐng)域,分別解決不同的專業(yè)技術(shù)問題,滿足不同的應(yīng)用需要:大規(guī)模集成電路用于對信息進(jìn)行處理、存貯與轉(zhuǎn)換,而功率半導(dǎo)體器件則是用于電源電路和功率控制電路的主體產(chǎn)品。

    從產(chǎn)品類型來看,功率半導(dǎo)體主要分為功率器件、功率IC。功率半導(dǎo)體和超大規(guī)模集成電路(VLSI)一起構(gòu)成了半導(dǎo)體的兩大分支。按照分立和集成的區(qū)別,功率半導(dǎo)體器件又可細(xì)分為功率分立器件和功率集成電路。

功率半導(dǎo)體產(chǎn)品分類

資料來源:智研咨詢整理

    其中功率器件主要包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別,其中晶體管是分立器件中市場份額最大的種類。常見晶體管主要有BJT、IGBT和MOSFET。MOSFET和IGBT逐漸成為主流,而多個(gè)IGBT可以集成為IPM模塊,用于大電流和大電壓的環(huán)境。功率IC是由功率半導(dǎo)體與驅(qū)動(dòng)電路、電源管理芯片等集成而來的模塊,主要應(yīng)用在小電流和低電壓的環(huán)境。各類型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域如下表所示:

功率半導(dǎo)體各項(xiàng)參數(shù)、特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ρ?/p>

類型
可控性
驅(qū)動(dòng)形式
導(dǎo)通方向
電壓
特點(diǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域
功率二極管
不可控
電流驅(qū)動(dòng)
單向
低于1V
電壓電流小,只能單項(xiàng)導(dǎo)電
電子設(shè)備、工業(yè)
晶閘管
半控型
電壓驅(qū)動(dòng)
單向
幾千伏
體積小、耐壓高
工業(yè)、UPS、電焊機(jī)、變頻器
MOSFET
全控型
電壓驅(qū)動(dòng)
雙向
十幾伏到1000伏
能承受高電壓,不能放大電壓
電機(jī)、逆變器、高鐵、汽車
IGBT
全控型
電壓驅(qū)動(dòng)
雙向
600V以上
開關(guān)頻率高,不耐超高壓,可改變電壓
高速開關(guān)電源
功率IC
功率IC通常有功率器件、電源管理芯片和驅(qū)動(dòng)電路集成而來
體積小、重量輕、引出線和焊接點(diǎn)少、壽命長。可靠性高、性能好、成本低、便于大規(guī)模生產(chǎn)
電子產(chǎn)品

資料來源:智研咨詢整理

    二、全球功率半導(dǎo)體市場概述

    1、功率半導(dǎo)體應(yīng)用范圍及其市場驅(qū)動(dòng)因素

    功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,本質(zhì)上,是通過利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能,來實(shí)現(xiàn)變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關(guān)等。

    毫不夸張地說,當(dāng)今世界一切涉及發(fā)電、輸電、變電、 配電、用電、儲(chǔ)電的環(huán)節(jié)都離不開功率半導(dǎo)體。因此,功率半導(dǎo)體器件作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)建設(shè)幾乎一切部門。尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域起著無法替代的關(guān)鍵作用,被廣泛應(yīng)用于汽車、通信、消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域。

    根據(jù)功率半導(dǎo)體開關(guān)功率、操作頻率的不同,其具體的應(yīng)用領(lǐng)域也有較大的差別,具體如下圖所示:

各類型功率半導(dǎo)體具體應(yīng)用領(lǐng)域

資料來源:英飛凌、Yole

    行業(yè)的發(fā)展主要由需求驅(qū)動(dòng),同時(shí)技術(shù)的發(fā)展在很大程度上促進(jìn)了產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)張。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)的輸配電,大功率、高電壓工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域不斷向終端的電子產(chǎn)品擴(kuò)張。

    隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切,功率半導(dǎo)體器件已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車)領(lǐng)域邁向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多產(chǎn)業(yè)。功率半導(dǎo)體的發(fā)展使得變頻設(shè)備廣泛的應(yīng)用與日常的消費(fèi),促進(jìn)了清潔能源、電力終端消費(fèi)、以及終端消費(fèi)電子的產(chǎn)品發(fā)展。

功率半導(dǎo)體下游各行業(yè)的的主要驅(qū)動(dòng)因素

資料來源:智研咨詢整理

    2、全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模走勢

    近年來,隨著電子制造業(yè)的持續(xù)發(fā)展,電力終端消費(fèi)增加,電氣化,自動(dòng)化發(fā)展迅速,2014年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模僅為227億美元,2018年增長至363億美元。受益于折舊帶來的替換市場、電氣化程度加深帶來的新增市場以及供需格局帶來的價(jià)格增長,2016年—2018年全球功率器件市場增長迅速,2019年行業(yè)增長速度有較為明顯的放緩,主要受中美貿(mào)易戰(zhàn),全球經(jīng)濟(jì)下行壓力增加,中國新能源汽車市場回落等諸多因素影響,全年市場規(guī)模約為382億美元。

2014-2019年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模走勢

資料來源:Yole、智研咨詢整理

    3、全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

    從全球的細(xì)分產(chǎn)品格局來看,功率IC是最大的市場,且近年來占比有所提升,其次是MOSFET,受IGBT替代影響,增長有所放緩;二極管占比總體穩(wěn)定,IGBT市場增長穩(wěn)定,占比持續(xù)提升。

2019年全球功率半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)

資料來源:智研咨詢整理

    從應(yīng)用領(lǐng)域來看,汽車領(lǐng)域是全球功率半導(dǎo)體最為主要的市場,其次是工業(yè)與消費(fèi)電子領(lǐng)域。近幾年來,由于新能源汽車的發(fā)展,汽車的電子化、智能化發(fā)展迅速,汽車領(lǐng)域的占比持續(xù)提升,2019年汽車行業(yè)對功率半導(dǎo)體的需求規(guī)模占到總體規(guī)模的35.4%,消費(fèi)電子領(lǐng)域占比也保持較為穩(wěn)定的擴(kuò)張態(tài)勢,2019年占比達(dá)到了13.2%。

2019年全球功率半導(dǎo)體分行業(yè)市場規(guī)模占比

資料來源:智研咨詢整理

    4、功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢

    從功率半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展歷程和趨勢來看,產(chǎn)品的性能要求變化基本沒有太大的變化,主要體現(xiàn)為更高的功率、更小體積、更低的損耗與更好的性價(jià)比四點(diǎn),分別對應(yīng)新型功率半導(dǎo)體技術(shù)廣泛應(yīng)用和發(fā)展的四個(gè)階段。

功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展應(yīng)用階段及其主要技術(shù)方向

資料來源:智研咨詢整理

    近幾年來,隨著第三代化合物半導(dǎo)體迅速發(fā)展,SiC與GaN功率器件的應(yīng)用規(guī)模開始持續(xù)增長。相對于傳統(tǒng)的硅襯底,化合物半導(dǎo)體具有更寬的禁寬,能夠適用于更高的功率要求,同時(shí)具有更好的導(dǎo)熱性能,因此以化合物半導(dǎo)為襯底制作的功率器件具有更高的性能和效率。

    但由于生產(chǎn)規(guī)模還相對較小,生產(chǎn)技術(shù)有待成熟,產(chǎn)品價(jià)格相對較高,性價(jià)比較低,應(yīng)用受到了較大的限制。未來隨著化合物半導(dǎo)體的制造成本不斷降低,生產(chǎn)規(guī)模逐步擴(kuò)大,行業(yè)的規(guī)模效益更加成熟,憑借其性能優(yōu)勢,有望取代硅基的功率半導(dǎo)體器件。

    三、中國功率半導(dǎo)體市場發(fā)展

    由于功率半導(dǎo)體是下游產(chǎn)品核心零部件,對產(chǎn)品質(zhì)量、使用年限、設(shè)備的安全性都有極為重要的影響,因此行業(yè)具有極高的進(jìn)入壁壘,下游企業(yè)的供應(yīng)商的資質(zhì)、技術(shù)要求嚴(yán)格,同時(shí)嚴(yán)格的供應(yīng)商資質(zhì)認(rèn)定,以及基于長期合作而形成的穩(wěn)定客戶關(guān)系,對新進(jìn)入者形成較強(qiáng)的市場進(jìn)入壁壘。

    相對于發(fā)達(dá)國家,中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展起步相對較晚,技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)品穩(wěn)定性與行內(nèi)主要企業(yè)相比,仍然存在較大的差距,不能很好的滿足行業(yè)下游的市場需求。總體而言,目前中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場規(guī)模發(fā)展較快,但總量仍不能滿足需求,特別是中高檔產(chǎn)品仍一定程度依賴進(jìn)口。盡管中國已經(jīng)成為全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要市場,但中國功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造能力還有待提高,特別是在新型材料半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,與國外領(lǐng)先企業(yè)仍存在較大差距。

    智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場運(yùn)作模式及投資前景展望報(bào)告》指出:目前中國的功率半導(dǎo)體市場規(guī)模占全球市場規(guī)模35%左右,是全球最大的功率半導(dǎo)體市場,約為940.8億元。近幾年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的迅速增長主要是由于兩個(gè)方面,一方面是下游行業(yè)的持續(xù)發(fā)展,行業(yè)需求增加,中高端產(chǎn)品需求持續(xù)上升,另一方面則是由于中國經(jīng)濟(jì)增速放緩,2014年之后,人民幣對美元的匯率持續(xù)走低,推高了進(jìn)口成本,國內(nèi)進(jìn)口產(chǎn)品價(jià)格也保持相對穩(wěn)定的增長態(tài)勢。

2014-2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模走勢

資料來源:智研咨詢整理

    從應(yīng)用領(lǐng)域來看,電力工業(yè)、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)電源、通信等領(lǐng)域是我國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域需求最大的幾個(gè)領(lǐng)域。電力工業(yè)占比約為15.26%,汽車領(lǐng)域占比達(dá)到了27.41%,相對于全球市場,仍有較大的提升空間。

2019年中國功率半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)市場規(guī)模占比

資料來源:智研咨詢整理

    從行業(yè)市場特點(diǎn)來看,目前中國功率半導(dǎo)體市場主要呈現(xiàn)出以下幾個(gè)特點(diǎn):

中國功率半導(dǎo)體市場發(fā)展特點(diǎn)

資料來源:智研咨詢整理

    總體而言,中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)出明顯的供需不匹配的特點(diǎn),國內(nèi)以低端產(chǎn)品為主,國產(chǎn)替代缺口巨大,尤其是中高端MOSFET及IGBT器件中,90%依賴于進(jìn)口。近幾年隨著行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步,在電力領(lǐng)域的中高端MOSFET,以及軌道交通領(lǐng)域的IGBT器件方面已經(jīng)取得了較為明顯的技術(shù)進(jìn)步,國產(chǎn)替代進(jìn)程加速。但在對成本要求更為嚴(yán)格的領(lǐng)域,仍有較大的不足。

    此外值得注意的是,化合物半導(dǎo)體在功率器件中的應(yīng)用逐漸加速,目前化合物半導(dǎo)體在這一領(lǐng)域的應(yīng)用主要為SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件,國際上出現(xiàn)該類商業(yè)化產(chǎn)品的時(shí)間較短,并受技術(shù)成熟度和成本的制約,尚處于市場開拓的初期階段,未廣泛普及。目前SiC和GaN電力半導(dǎo)體器件的主要供應(yīng)商有科銳(Cree)、英飛凌、安森美、東芝、富士和三菱等企業(yè)。

    中國的在SiC和GaN領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展相對較快,目前已經(jīng)形成了一定的競爭優(yōu)勢,部分企業(yè)也進(jìn)入了規(guī)?;a(chǎn)階段,技術(shù)實(shí)力在全球也處于先進(jìn)水平。近兩年了,SiC和GaN功率器件的投資項(xiàng)目逐漸增加,如聞泰科技車載GaN實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),三安光電的化合物半導(dǎo)體代工,已完成部分GaN的產(chǎn)線布局,并決定在長沙投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長晶-襯底制作-外延生長-芯片制備-封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。預(yù)計(jì)未來,在國內(nèi)龐大的市場需求以及國家政策的支持下,在這一領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)彎道超車,促進(jìn)中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展。

    總的來看,隨著下游各行業(yè)的發(fā)展,中國的制造業(yè)在全球的競爭力持續(xù)增強(qiáng),制造業(yè)產(chǎn)能持續(xù)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移,中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)也有較為明顯的發(fā)展機(jī)遇,國產(chǎn)替代有望加速。在光電、軌道交通、電力電子、消費(fèi)電子領(lǐng)域有望更高速的進(jìn)口替代。

本文采編:CY246
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精品報(bào)告智研咨詢 - 精品報(bào)告
2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場供需態(tài)勢及發(fā)展前景研判報(bào)告
2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場供需態(tài)勢及發(fā)展前景研判報(bào)告

《2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場供需態(tài)勢及發(fā)展前景研判報(bào)告》共十二章,包含2025-2031年功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展及行業(yè)前景分析,2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)投資分析,2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)投資策略及投資建議分析等內(nèi)容。

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