一、功率半導(dǎo)體產(chǎn)品及其應(yīng)用領(lǐng)域概述
功率半導(dǎo)體器件(Power Semiconductor Device)也稱為電力電子器件,是用于對電流、電壓、頻率、相位、相數(shù)等進(jìn)行變換和控制,以實(shí)現(xiàn)整流(AC/DC)、逆變(DC/AC)、斬波(DC/DC)、開關(guān)、放大等各種功能的半導(dǎo)體電子器件。
從技術(shù)的角度來看,功率半導(dǎo)體與大規(guī)模集成電路是半導(dǎo)體技術(shù)(更具體說是微電子技術(shù))中相互獨(dú)立平行發(fā)展又時(shí)有交叉的兩個(gè)不同的專業(yè)領(lǐng)域,分別解決不同的專業(yè)技術(shù)問題,滿足不同的應(yīng)用需要:大規(guī)模集成電路用于對信息進(jìn)行處理、存貯與轉(zhuǎn)換,而功率半導(dǎo)體器件則是用于電源電路和功率控制電路的主體產(chǎn)品。
從產(chǎn)品類型來看,功率半導(dǎo)體主要分為功率器件、功率IC。功率半導(dǎo)體和超大規(guī)模集成電路(VLSI)一起構(gòu)成了半導(dǎo)體的兩大分支。按照分立和集成的區(qū)別,功率半導(dǎo)體器件又可細(xì)分為功率分立器件和功率集成電路。
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品分類
資料來源:智研咨詢整理
其中功率器件主要包括二極管、晶體管、晶閘管三大類別,其中晶體管是分立器件中市場份額最大的種類。常見晶體管主要有BJT、IGBT和MOSFET。MOSFET和IGBT逐漸成為主流,而多個(gè)IGBT可以集成為IPM模塊,用于大電流和大電壓的環(huán)境。功率IC是由功率半導(dǎo)體與驅(qū)動(dòng)電路、電源管理芯片等集成而來的模塊,主要應(yīng)用在小電流和低電壓的環(huán)境。各類型功率半導(dǎo)體產(chǎn)品特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域如下表所示:
功率半導(dǎo)體各項(xiàng)參數(shù)、特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ρ?/p>
類型 | 可控性 | 驅(qū)動(dòng)形式 | 導(dǎo)通方向 | 電壓 | 特點(diǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 |
功率二極管 | 不可控 | 電流驅(qū)動(dòng) | 單向 | 低于1V | 電壓電流小,只能單項(xiàng)導(dǎo)電 | 電子設(shè)備、工業(yè) |
晶閘管 | 半控型 | 電壓驅(qū)動(dòng) | 單向 | 幾千伏 | 體積小、耐壓高 | 工業(yè)、UPS、電焊機(jī)、變頻器 |
MOSFET | 全控型 | 電壓驅(qū)動(dòng) | 雙向 | 十幾伏到1000伏 | 能承受高電壓,不能放大電壓 | 電機(jī)、逆變器、高鐵、汽車 |
IGBT | 全控型 | 電壓驅(qū)動(dòng) | 雙向 | 600V以上 | 開關(guān)頻率高,不耐超高壓,可改變電壓 | 高速開關(guān)電源 |
功率IC | 功率IC通常有功率器件、電源管理芯片和驅(qū)動(dòng)電路集成而來 | 體積小、重量輕、引出線和焊接點(diǎn)少、壽命長。可靠性高、性能好、成本低、便于大規(guī)模生產(chǎn) | 電子產(chǎn)品 |
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二、全球功率半導(dǎo)體市場概述
1、功率半導(dǎo)體應(yīng)用范圍及其市場驅(qū)動(dòng)因素
功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,本質(zhì)上,是通過利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦詫?shí)現(xiàn)電源開關(guān)和電力轉(zhuǎn)換的功能,來實(shí)現(xiàn)變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關(guān)等。
毫不夸張地說,當(dāng)今世界一切涉及發(fā)電、輸電、變電、 配電、用電、儲(chǔ)電的環(huán)節(jié)都離不開功率半導(dǎo)體。因此,功率半導(dǎo)體器件作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于國民經(jīng)濟(jì)建設(shè)幾乎一切部門。尤其是在大功率、大電流、高頻高速、低噪聲等應(yīng)用領(lǐng)域起著無法替代的關(guān)鍵作用,被廣泛應(yīng)用于汽車、通信、消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域。
根據(jù)功率半導(dǎo)體開關(guān)功率、操作頻率的不同,其具體的應(yīng)用領(lǐng)域也有較大的差別,具體如下圖所示:
各類型功率半導(dǎo)體具體應(yīng)用領(lǐng)域
資料來源:英飛凌、Yole
行業(yè)的發(fā)展主要由需求驅(qū)動(dòng),同時(shí)技術(shù)的發(fā)展在很大程度上促進(jìn)了產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域的擴(kuò)張。功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)的輸配電,大功率、高電壓工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域不斷向終端的電子產(chǎn)品擴(kuò)張。
隨著世界各國對節(jié)能減排的需求越來越迫切,功率半導(dǎo)體器件已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和4C(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車)領(lǐng)域邁向新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多產(chǎn)業(yè)。功率半導(dǎo)體的發(fā)展使得變頻設(shè)備廣泛的應(yīng)用與日常的消費(fèi),促進(jìn)了清潔能源、電力終端消費(fèi)、以及終端消費(fèi)電子的產(chǎn)品發(fā)展。
功率半導(dǎo)體下游各行業(yè)的的主要驅(qū)動(dòng)因素
資料來源:智研咨詢整理
2、全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模走勢
近年來,隨著電子制造業(yè)的持續(xù)發(fā)展,電力終端消費(fèi)增加,電氣化,自動(dòng)化發(fā)展迅速,2014年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模僅為227億美元,2018年增長至363億美元。受益于折舊帶來的替換市場、電氣化程度加深帶來的新增市場以及供需格局帶來的價(jià)格增長,2016年—2018年全球功率器件市場增長迅速,2019年行業(yè)增長速度有較為明顯的放緩,主要受中美貿(mào)易戰(zhàn),全球經(jīng)濟(jì)下行壓力增加,中國新能源汽車市場回落等諸多因素影響,全年市場規(guī)模約為382億美元。
2014-2019年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模走勢
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3、全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
從全球的細(xì)分產(chǎn)品格局來看,功率IC是最大的市場,且近年來占比有所提升,其次是MOSFET,受IGBT替代影響,增長有所放緩;二極管占比總體穩(wěn)定,IGBT市場增長穩(wěn)定,占比持續(xù)提升。
2019年全球功率半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)
資料來源:智研咨詢整理
從應(yīng)用領(lǐng)域來看,汽車領(lǐng)域是全球功率半導(dǎo)體最為主要的市場,其次是工業(yè)與消費(fèi)電子領(lǐng)域。近幾年來,由于新能源汽車的發(fā)展,汽車的電子化、智能化發(fā)展迅速,汽車領(lǐng)域的占比持續(xù)提升,2019年汽車行業(yè)對功率半導(dǎo)體的需求規(guī)模占到總體規(guī)模的35.4%,消費(fèi)電子領(lǐng)域占比也保持較為穩(wěn)定的擴(kuò)張態(tài)勢,2019年占比達(dá)到了13.2%。
2019年全球功率半導(dǎo)體分行業(yè)市場規(guī)模占比
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4、功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展趨勢
從功率半導(dǎo)體的技術(shù)發(fā)展歷程和趨勢來看,產(chǎn)品的性能要求變化基本沒有太大的變化,主要體現(xiàn)為更高的功率、更小體積、更低的損耗與更好的性價(jià)比四點(diǎn),分別對應(yīng)新型功率半導(dǎo)體技術(shù)廣泛應(yīng)用和發(fā)展的四個(gè)階段。
功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展應(yīng)用階段及其主要技術(shù)方向
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近幾年來,隨著第三代化合物半導(dǎo)體迅速發(fā)展,SiC與GaN功率器件的應(yīng)用規(guī)模開始持續(xù)增長。相對于傳統(tǒng)的硅襯底,化合物半導(dǎo)體具有更寬的禁寬,能夠適用于更高的功率要求,同時(shí)具有更好的導(dǎo)熱性能,因此以化合物半導(dǎo)為襯底制作的功率器件具有更高的性能和效率。
但由于生產(chǎn)規(guī)模還相對較小,生產(chǎn)技術(shù)有待成熟,產(chǎn)品價(jià)格相對較高,性價(jià)比較低,應(yīng)用受到了較大的限制。未來隨著化合物半導(dǎo)體的制造成本不斷降低,生產(chǎn)規(guī)模逐步擴(kuò)大,行業(yè)的規(guī)模效益更加成熟,憑借其性能優(yōu)勢,有望取代硅基的功率半導(dǎo)體器件。
三、中國功率半導(dǎo)體市場發(fā)展
由于功率半導(dǎo)體是下游產(chǎn)品核心零部件,對產(chǎn)品質(zhì)量、使用年限、設(shè)備的安全性都有極為重要的影響,因此行業(yè)具有極高的進(jìn)入壁壘,下游企業(yè)的供應(yīng)商的資質(zhì)、技術(shù)要求嚴(yán)格,同時(shí)嚴(yán)格的供應(yīng)商資質(zhì)認(rèn)定,以及基于長期合作而形成的穩(wěn)定客戶關(guān)系,對新進(jìn)入者形成較強(qiáng)的市場進(jìn)入壁壘。
相對于發(fā)達(dá)國家,中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展起步相對較晚,技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)品穩(wěn)定性與行內(nèi)主要企業(yè)相比,仍然存在較大的差距,不能很好的滿足行業(yè)下游的市場需求。總體而言,目前中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場規(guī)模發(fā)展較快,但總量仍不能滿足需求,特別是中高檔產(chǎn)品仍一定程度依賴進(jìn)口。盡管中國已經(jīng)成為全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要市場,但中國功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造能力還有待提高,特別是在新型材料半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,與國外領(lǐng)先企業(yè)仍存在較大差距。
智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國功率半導(dǎo)體行業(yè)市場運(yùn)作模式及投資前景展望報(bào)告》指出:目前中國的功率半導(dǎo)體市場規(guī)模占全球市場規(guī)模35%左右,是全球最大的功率半導(dǎo)體市場,約為940.8億元。近幾年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模的迅速增長主要是由于兩個(gè)方面,一方面是下游行業(yè)的持續(xù)發(fā)展,行業(yè)需求增加,中高端產(chǎn)品需求持續(xù)上升,另一方面則是由于中國經(jīng)濟(jì)增速放緩,2014年之后,人民幣對美元的匯率持續(xù)走低,推高了進(jìn)口成本,國內(nèi)進(jìn)口產(chǎn)品價(jià)格也保持相對穩(wěn)定的增長態(tài)勢。
2014-2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模走勢
資料來源:智研咨詢整理
從應(yīng)用領(lǐng)域來看,電力工業(yè)、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)電源、通信等領(lǐng)域是我國功率半導(dǎo)體領(lǐng)域需求最大的幾個(gè)領(lǐng)域。電力工業(yè)占比約為15.26%,汽車領(lǐng)域占比達(dá)到了27.41%,相對于全球市場,仍有較大的提升空間。
2019年中國功率半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)市場規(guī)模占比
資料來源:智研咨詢整理
從行業(yè)市場特點(diǎn)來看,目前中國功率半導(dǎo)體市場主要呈現(xiàn)出以下幾個(gè)特點(diǎn):
中國功率半導(dǎo)體市場發(fā)展特點(diǎn)
資料來源:智研咨詢整理
總體而言,中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)出明顯的供需不匹配的特點(diǎn),國內(nèi)以低端產(chǎn)品為主,國產(chǎn)替代缺口巨大,尤其是中高端MOSFET及IGBT器件中,90%依賴于進(jìn)口。近幾年隨著行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步,在電力領(lǐng)域的中高端MOSFET,以及軌道交通領(lǐng)域的IGBT器件方面已經(jīng)取得了較為明顯的技術(shù)進(jìn)步,國產(chǎn)替代進(jìn)程加速。但在對成本要求更為嚴(yán)格的領(lǐng)域,仍有較大的不足。
此外值得注意的是,化合物半導(dǎo)體在功率器件中的應(yīng)用逐漸加速,目前化合物半導(dǎo)體在這一領(lǐng)域的應(yīng)用主要為SiC和GaN功率半導(dǎo)體器件,國際上出現(xiàn)該類商業(yè)化產(chǎn)品的時(shí)間較短,并受技術(shù)成熟度和成本的制約,尚處于市場開拓的初期階段,未廣泛普及。目前SiC和GaN電力半導(dǎo)體器件的主要供應(yīng)商有科銳(Cree)、英飛凌、安森美、東芝、富士和三菱等企業(yè)。
中國的在SiC和GaN領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展相對較快,目前已經(jīng)形成了一定的競爭優(yōu)勢,部分企業(yè)也進(jìn)入了規(guī)?;a(chǎn)階段,技術(shù)實(shí)力在全球也處于先進(jìn)水平。近兩年了,SiC和GaN功率器件的投資項(xiàng)目逐漸增加,如聞泰科技車載GaN實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),三安光電的化合物半導(dǎo)體代工,已完成部分GaN的產(chǎn)線布局,并決定在長沙投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長晶-襯底制作-外延生長-芯片制備-封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。預(yù)計(jì)未來,在國內(nèi)龐大的市場需求以及國家政策的支持下,在這一領(lǐng)域有望實(shí)現(xiàn)彎道超車,促進(jìn)中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)迅速發(fā)展。
總的來看,隨著下游各行業(yè)的發(fā)展,中國的制造業(yè)在全球的競爭力持續(xù)增強(qiáng),制造業(yè)產(chǎn)能持續(xù)向亞太地區(qū)轉(zhuǎn)移,中國的功率半導(dǎo)體行業(yè)也有較為明顯的發(fā)展機(jī)遇,國產(chǎn)替代有望加速。在光電、軌道交通、電力電子、消費(fèi)電子領(lǐng)域有望更高速的進(jìn)口替代。
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2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場供需態(tài)勢及發(fā)展前景研判報(bào)告
《2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)市場供需態(tài)勢及發(fā)展前景研判報(bào)告》共十二章,包含2025-2031年功率半導(dǎo)體器件行業(yè)發(fā)展及行業(yè)前景分析,2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)投資分析,2025-2031年中國功率半導(dǎo)體器件行業(yè)投資策略及投資建議分析等內(nèi)容。
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