在芯片制造過(guò)程中,不規(guī)則的雜質(zhì)例如顆粒污染物、殘留化學(xué)物質(zhì)或其他污染物會(huì)扭曲光刻過(guò)程中的圖案、阻礙薄膜沉積、妨礙刻蝕或損害芯片性能,從而直接導(dǎo)致芯片制造良率(一塊晶圓片上符合要求的芯片比例)的下降。而不規(guī)則的雜質(zhì)可能來(lái)自于基板材料、制造設(shè)備、工作人員、潔凈室空氣以及制造過(guò)程中的任何一道工序。因此,幾乎每道工序都涉及到清洗。而且集成電路的集成度愈高,所需要的清洗工藝也越多。
清洗工藝旨在去除芯片制造中上一道工序所遺留的超微細(xì)顆粒污染物、金屬殘留、有機(jī)物殘留物,去除光阻掩膜或殘留,也可根據(jù)需要進(jìn)行硅氧化膜、氮化硅或金屬等薄膜材料的濕法腐蝕,為下一步工序準(zhǔn)備好最佳的表面條件。
集成電路制造過(guò)程
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目前主要有兩種基本的清洗工藝。濕法工藝是使用各種化學(xué)藥液與晶圓表面各種雜質(zhì)粒子發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成溶于水的物質(zhì),再用高純水沖洗,依次去除晶圓表面各種雜質(zhì)。干法工藝是不采用溶液的清洗技術(shù),通過(guò)等離子清洗技術(shù)、汽相清洗技術(shù)或束流清洗技術(shù)來(lái)去除晶圓表面的雜質(zhì)。濕法工藝在達(dá)到晶圓表面的潔凈度和平滑度方面通常優(yōu)于干法工藝,并且是目前單晶圓清洗使用的標(biāo)準(zhǔn)工藝,應(yīng)用于晶圓制造過(guò)程中90%以上的清洗步驟。濕法腐蝕速率,腐蝕均勻性,晶圓正、反面交叉污染的控制,清洗效率等都是至關(guān)重要的工藝要素。
清洗工藝分類
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隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入28納米、14納米等更先進(jìn)等級(jí),工藝流程的延長(zhǎng)且越趨復(fù)雜,產(chǎn)線成品率也會(huì)隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個(gè)原因就是先進(jìn)制程對(duì)雜質(zhì)的敏感度更高,小尺寸污染物的高效清洗更困難。解決的方法主要是增加清洗步驟。每個(gè)晶片在整個(gè)制造過(guò)程中需要甚至超過(guò)200道清洗步驟,晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性。
清洗步驟次數(shù)與制程的關(guān)系
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產(chǎn)線良率與工藝節(jié)點(diǎn)的關(guān)系
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目前的清洗設(shè)備主要可以分為單晶圓清洗設(shè)備和槽式清洗機(jī)。槽式清洗機(jī)用于批量處理晶圓。通過(guò)RCA清洗方法,大量使用NH4OH,HCL,H2O2,H2O等試劑,并且添加表面活性劑和HF,再引入超聲波清洗和兆聲清洗,達(dá)到清洗的目的。單晶圓清洗設(shè)備可以針對(duì)單個(gè)晶圓的清洗進(jìn)行條件優(yōu)化,采用單片旋轉(zhuǎn)清洗法,通過(guò)浸沒(méi)噴灑的方式將化學(xué)試劑和水不斷供應(yīng)到晶圓表面。
批處理技術(shù)和單晶圓清洗技術(shù)比較
晶圓清洗技術(shù) | 方法 | 步驟 | 優(yōu)點(diǎn) | 缺點(diǎn) |
批處理技術(shù) | RCA清洗方法 | 大量使用NH4OH,HCL,H2O2,H2O等試劑,并且添加表面活性劑和HF,再引入超聲波清洗和兆聲清洗,達(dá)到清洗的目的。 | 產(chǎn)能較高 | 超聲波的能量會(huì)破壞晶圓的某些結(jié)構(gòu),降低超聲波的能量或稀釋清洗溶液的濃度則會(huì)降低污染物去除效率;不斷增加的廢水廢液造成環(huán)境污染;存在交叉污染 |
單晶圓清洗技術(shù) | 單片旋轉(zhuǎn)清洗法 | 化學(xué)試劑和水通過(guò)浸沒(méi)噴灑供應(yīng)到晶圓表面,用過(guò)的試劑和水排出后再回收循環(huán)利用 | 減少交叉污染,降低成品率損失的風(fēng)險(xiǎn),顯著提高清洗質(zhì)量 | 產(chǎn)能不及批處理技術(shù) |
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近年來(lái),全球半導(dǎo)球市場(chǎng)保持快速增長(zhǎng)勢(shì)頭,從2013年到2018年,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模從3056億美元迅速提升至4688億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到8.93%。2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模受存儲(chǔ)器價(jià)格滑坡同比下降12.8%到4089.88億美元。
全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額
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智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國(guó)半導(dǎo)體清洗行業(yè)市場(chǎng)供需態(tài)勢(shì)及競(jìng)爭(zhēng)策略研究報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示:2014到2019年集成電路銷(xiāo)售額復(fù)合增速已達(dá)到21.31%。尤其是在2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售額4121億美元,同比下降了12.1%的不利情況下。中國(guó)2019年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為7562.3億元,同比增長(zhǎng)15.8%。在國(guó)家政策扶持以及市場(chǎng)應(yīng)用帶動(dòng)下,國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)保持快速增長(zhǎng),但增速有所放緩。
國(guó)內(nèi)集成電路銷(xiāo)售額度(億元)
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雖然我國(guó)集成電路市場(chǎng)規(guī)模增速較快,但主要還是依賴進(jìn)口。2019年中國(guó)集成電路進(jìn)口金額3040億美元,同比下降-2.2%。中國(guó)集成電路出口金額1015億美元,同比增長(zhǎng)20.1%。整體貿(mào)易逆差收窄到2025億美元,同比下降10.94%,但仍舊約是出口金額的2倍。近幾年雖然我國(guó)集成電路出口金額隨著進(jìn)口金額增長(zhǎng)而同步增加,但整體貿(mào)易逆差仍舊非常巨大。
中國(guó)集成電路行業(yè)進(jìn)出口情況(億美元)
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預(yù)計(jì)2018年、2019年清洗設(shè)備的市場(chǎng)需求分別為7.7億美元和12.4億美元,國(guó)內(nèi)清洗設(shè)備需求兩年累計(jì)超過(guò)120億元,市場(chǎng)空間巨大。隨著工藝節(jié)點(diǎn)的升級(jí)以及良率要求提高,清洗設(shè)備用量需求將持續(xù)增加。清洗設(shè)備未來(lái)幾年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)6.8%,預(yù)計(jì)2020年就將達(dá)到35-40億美元,是200億人民幣級(jí)別的大市場(chǎng)。2020年以后,隨著部分?jǐn)M建產(chǎn)線進(jìn)入投資階段,清洗設(shè)備的市場(chǎng)需求將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。
國(guó)內(nèi)清洗設(shè)備市場(chǎng)空間
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國(guó)內(nèi)清洗設(shè)備市場(chǎng)空間測(cè)算(億美元)
- | 設(shè)備占比 | 2019 | 2020 |
清洗設(shè)備市場(chǎng)空間 | - | 10.32 | 11.92 |
單晶圓清洗設(shè)備 | 65.0% | 6.71 | 7.75 |
自動(dòng)清洗臺(tái) | 25.0% | 2.58 | 2.98 |
洗刷機(jī) | 5.0% | 0.52 | 0.6 |
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目前全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場(chǎng)主要被國(guó)外公司壟斷,全球的清洗設(shè)備市場(chǎng)基本由國(guó)外的幾家巨頭把控。日本公司Screen占據(jù)了60%的市場(chǎng)份額,占據(jù)著主導(dǎo)地位。日本公司TokyoElectron占據(jù)了30%的市場(chǎng)份額,韓國(guó)公司SEMES、美國(guó)公司LAMResearch等其它公司占據(jù)了10%的市場(chǎng)份額。
半導(dǎo)體清洗設(shè)備全球市場(chǎng)份額
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