一、IGBT行業(yè)概覽
1、IGBT是什么?
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),中文名為絕緣柵雙極型晶體管,是半導體領域里分立器件中特別重要的一個分支。分立器件主要以功率半導體器件為主,本質(zhì)上就是進行功率處理的,具有處理高電壓、大電流能力的器件,主要用途包括電壓/電流的變頻、變壓、變相、整流、逆變、開關等。
IGBT是半導體分立器件中特別重要的分支
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功率半導體器件按照控制種類可以分為不可控型、半可控型、全控型三大類產(chǎn)品,其中:不可控型:主要為二極管相關產(chǎn)品,為兩端器件,分別為陽極和陰極,二極管的開關狀態(tài)完全取決于加在陽極和陰極之間的電壓。當所加電壓確定后,二極管的開通和關閉不能通過器件本身進行控制,故稱之為不可控型器件;半可控型:主要為晶閘管產(chǎn)品,為三端器件,除了陽極、陰極之外,還增加了一個控制門極。這種產(chǎn)品的開通除了在陽極和陰極之間加一定的電壓之外,還需要在門極和陰極之間輸入可控功率。這類產(chǎn)品一旦開通就無法再通過門極來關斷,因此被稱為半可控型器件;全控型:主要為BJT、MOSFET、IGBT等類產(chǎn)品,為三端器件,這類產(chǎn)品可以同時控制開通與關斷,稱之為全控型器件。
不可控型、半可控型、全可控型功率器件
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智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國IGBT行業(yè)產(chǎn)業(yè)運營現(xiàn)狀及發(fā)展前景分析報告》數(shù)據(jù)顯示:由于其開關完全可控的特點,全控型功率器件被廣泛使用,主要包括BJT、MOSFET、IGBT等,其中:BJT即BipolarJunctionTransistor(雙極結(jié)型晶體管),屬于電流控制器件,BJT主要特點是飽和壓降低,通態(tài)電流大,耐壓高,并且雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高,應用十分廣泛。但是雙極型晶體管開關速度慢,輸入阻抗低,功耗大,限制了其在大規(guī)模集成電路中的應用。目前BJT已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達、計算機、自控裝臵、電子儀器、家用電器等領域,起放大、振蕩、開關等作用;MOSFET即Metal-Oxide-SemiFieldEffectTransistor(金氧半導體場效應管),屬于電壓控制器件,MOSFET主要特點就是驅(qū)動電路簡單,驅(qū)動功率低,開關速度快,高頻特性好,最高工作頻率可以達到1MHz以上,適用于開關電源和高頻感應加熱等高頻場合,且安全工作區(qū)廣,沒有二次擊穿問題,耐破壞性強。但是MOSFET也因為電流容量小,耐壓低,飽和壓降高,不適用于大功率裝臵。目前MOSFET主要應用于電壓低于1000V,功率從幾瓦到數(shù)千瓦的場合,廣泛應用于充電器,適配器,電機控制,PC電源,通信電源,新能源發(fā)電,UPS,充電樁等場合;IGBT即InsulatedGateBipolar(絕緣柵雙極晶體管),屬于電壓控制器件,是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件。
IGBT結(jié)合了MOSFET和BJT的結(jié)構(gòu)而成
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IGBT結(jié)合了BJT和MOSFET的優(yōu)點,既有MOSFET的開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點,又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點,在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的,因而是電力電子領域較為理想的開關器件,是未來應用發(fā)展的主要方向。
IGBT結(jié)合了BJT和MOSFET的優(yōu)點
IGBT結(jié)合了BJT和MOSFET的優(yōu)點 | |||
參數(shù) | BJT | MOSFET | IGBT |
驅(qū)動斱式 | 電流 | 電壓 | 電壓 |
導電電荷 | 電子、空穴 | 電子 | 電子 |
導通損耗 | 低 | 高 | 中 |
通流能力 | 大 | 小 | 中 |
開關速度 | 低 | 高 | 中 |
使用頻率 | 低頻(<10KHz) | 高頻(100-500KHz) | 中頻(10-100KHz) |
驅(qū)動電路 | 復雜 | 簡單 | 簡單 |
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當然,IGBT并不能完全替代BJT、MOSFET,三者根據(jù)各自的器件性能優(yōu)勢,都有適合的應用領域。BJT更強調(diào)工作功率,MOSFET更強調(diào)工作頻率,而IGBT是工作功率和頻率兼具。
功率半導體器件的應用分布
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從2017年WSTS統(tǒng)計的功率器件市場上來看,二極管、晶閘管、BJT、MOSFET、IGBT都占據(jù)較大的份額,其中MOSFET占比最多31%,其次是二極管和整流橋,占比29%,BJT和晶閘管占比21%,IGBT占比19%。
全球功率半導體器件的細分產(chǎn)品銷售占比
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IGBT從封裝形式分類可以分為IGBT分立器件、IGBT模塊和IPM三大類產(chǎn)品:IGBT分立器件:一個IGBT單管和一個反向并聯(lián)二極管組成的器件,電流通常在100A以下,結(jié)構(gòu)相對簡單,封裝體積較小,但是缺點也很明顯,接線復雜,可靠性低,分布電感較大;IGBT模塊:是將多個(兩個及以上)IGBT芯片和二極管芯片以絕緣方式組裝到DBC基板上,進行模塊化封裝;
IGBT模塊的主要優(yōu)勢有:多個IGBT芯片并聯(lián),電流規(guī)格更大;多個IGBT芯片可以按照特定的電路形式組合,如半橋、全橋等,可以減少外部電路連接的復雜性;多個IGBT芯片處于同一個金屬基板上,散熱效果更均勻,可靠性更高;模塊中多個IGBT芯片之間的連接與多個分立形式的單管進行外部連接相比,電路布局更好,引線電感更好;模塊的外部引線端子更適合高壓和大電流連接,模塊的最高電壓等級一般比單管高1-2個等級;IPM:即智能功率模塊(IntelligentPowerModule),就是將功率器件(組要是IGBT)和驅(qū)動電路、過壓和過流保護電路、溫度監(jiān)視和超溫保護電路等外圍電路集成在一起生產(chǎn)的一種“組合”型器件;IPM的主要優(yōu)勢有:設計“傻瓜式”,用戶使用方便;可靠性高,適合制作中小功率的逆變器。
IGBT分立器件、模塊及IPM對比
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2017年全球IGBT分立器件、模塊、IPM的市場規(guī)模來看,IGBT分立器件、模塊、IPM市場規(guī)模分別為11億美金、26.29億美金、15.7億美金,占比分別為20.76%、49.61%、29.63%。
全球IGBT分立器件、模塊、IPM的市場規(guī)模占比
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2、IGBT應用領域廣泛
IGBT作為工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件,被稱為能量轉(zhuǎn)換的CPU,IGBT能夠根據(jù)工業(yè)裝臵中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等,以實現(xiàn)精準調(diào)控,因此廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領域。
IGBT應用領域非常廣泛
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按照使用電壓范圍,可以將IGBT分為超低壓、低壓、中壓和高壓幾大類產(chǎn)品,不同電壓范圍對應著不同的應用場景:超低壓:工作電壓范圍為400-500V,主要是應用于內(nèi)燃機的點火裝臵,IGBT已經(jīng)成為點火系統(tǒng)不可或缺的一部分。此領域的IGBT電壓等級主要是400V,電流等級在10-150A,關斷損耗在200-300mJ,工作頻率最高在幾KHZ,全球排名第一的供應商是安森美;低壓:工作電壓在600-1350V,IGBT在低壓領域應用十分廣泛,主要有電焊機、家電(變頻空調(diào)、洗衣機、電冰箱、洗碗機、電磁爐)、電動汽車(混動、純電動等等)、UPS、太陽能電池、風電等,在此領域,IGBT的工作頻率在2-100KHz范圍,全球排名第一的供應商是英飛凌;中壓:工作電壓在1400-2500V,主要應用于主UPS、風能、太陽能電池、地鐵/城軌電機驅(qū)動等領域,在此領域,IGBT的工作頻率在10-50KHz范圍,全球排名第一的供應商是依然是英飛凌;高壓:工作電壓在2500-6500V,主要應用于諸如軌道牽引(高鐵、動車組)、電網(wǎng)(柔性直流輸電、特高壓直流輸電)、大型工業(yè)裝備(軋鋼機)等大電壓、大電流、低頻的領域,在此領域,IGBT的工作頻率在5KHz以內(nèi),全球排名第一的供應商是三菱電機。
IGBT的應用分布(按照電壓范圍來分)
IGBT的應用分布(按照電壓范圍來分) | ||||
電壓等級 | 電壓范圍 | 主要應用領域 | 工作頻率 | 全球領先企業(yè) |
超低壓 | 400-500V | 內(nèi)燃機點火器 | 幾KHz | 安森美 |
低壓 | 600-1350V | 電動汽車、UPS、家電、電焊機、太陽能電池、風電 | 2-100KHz | 英飛凌 |
中壓 | 1400-2500V | UPS、地鐵/城軌電機驅(qū)動、風電、太陽能電池 | 10-50KHz | 英飛凌 |
高壓 | 2500-6500V | 軌道牽引(高鐵、動車組)、電網(wǎng)、大型工業(yè)裝備 | 5KHz | 三菱電機 |
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3、IGBT技術(shù)發(fā)展歷程
從20世紀80年代至今,IGBT芯片經(jīng)歷了5-6代產(chǎn)品升級:第一代:PT-IGBT,平面柵穿通型IGBT,使用重摻雜的P+襯底作為起始層,在此之上依次生長N+buffer,N-base外延,最后在外延層表面形成元胞結(jié)構(gòu)。它因為截止時電場貫穿整個N-base區(qū)而得名。它工藝復雜,成本高,而且需要載流子壽命控制,飽和壓降呈負溫度系數(shù),不利于并聯(lián),目前已經(jīng)很少有這種結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品;第二代:NPT-IGBT,平面柵非穿通型IGBT,NPT與PT不同在于,它使用低摻雜的N-襯底作為起始層,先在N-漂移區(qū)的正面做成MOS結(jié)構(gòu),然后用研磨減薄工藝從背面減薄到IGBT電壓規(guī)格需要的厚度,再從背面用離子注入工藝形成P+collector。在截止時電場沒有貫穿N-漂移區(qū),因此稱為“非穿通”型IGBT;第三代:Trench-FSIGBT,溝槽柵-場截止型IGBT,柵極從平面型變成了溝槽型。
溝槽型IGBT中,電子溝道垂直于硅片表面,消除了JFET結(jié)構(gòu),增加了表面溝道密度,提高近表面載流子濃度,從而使性能更加優(yōu)化,并同時推出了場截止結(jié)構(gòu),目標在于盡量減少漂移區(qū)厚度,從而降低飽和電壓。場截止(FieldStop)IGBT起始材料和NPT相同,都是低摻雜的N-襯底,不同在于FSIGBT背面多注入了一個Nbuffer層,它的摻雜濃度略高于N-襯底,因此可以迅速降低電場強度,使整體電場呈梯形,從而使所需的N-漂移區(qū)厚度大大減小;第四代:Trench-FS-TWIGBT,溝槽柵-場截止-薄晶圓型IGBT,相比較第三代IGBT,優(yōu)化了背面結(jié)構(gòu),漂移區(qū)厚度更薄,背面P發(fā)射極及Nbuffer的摻雜濃度及發(fā)射效率都有優(yōu)化,通過使用薄晶圓及優(yōu)化背面結(jié)構(gòu),進一步降低了開關損耗,同時,最高允許工作結(jié)溫從第3代的125℃提高到了150℃,這無疑能進一步增加器件的輸出電流能力;第五代:Trench-FS-CuIGBT,溝槽柵-場截止-銅金屬化型IGBT,使用厚銅代替了鋁,銅的通流能力及熱容都遠遠優(yōu)于鋁,因此第五代IGBT允許更高的工作結(jié)溫及輸出電流。同時芯片結(jié)構(gòu)經(jīng)過優(yōu)化,芯片厚度進一步減?。?/p>
IGBT工藝技術(shù)發(fā)展史
IGBT工藝技術(shù)發(fā)展史 | |||||
IGBT系列 | IGBT1 | IGBT2 | IGBT3 | IGBT4 | IGBT5 |
IGBT名稱 | 平面穿通型(IGBT)PT- | 平面非穿通型(NPT-IGBT) | 溝槽-場截止型(Trench-FS) | 溝槽-場截止-薄晶圓型(Trench-FS-TW) | 溝槽-場截止-銅金屬化型(Trench-FS-Cu) |
主要特征 | 平面柵、穿通型 | 平面柵、非穿通型 | 溝槽柵、場截止型 | 溝槽柵、場截止型、晶圓減薄 | 溝槽柵、場截止型、晶圓減薄、銅金屬化 |
優(yōu)點 | - | 不需要載流子壽命控制、低飽和壓降、正溫度系數(shù)、高魯棒性 | 低導通壓降、電流導通能力增強、高魯棒性 | 導通壓降進一步降低、動態(tài)損耗低、電流導通能力增強、高魯棒性 | 電流導通能力增強、高魯棒性、工作結(jié)溫更高、飽和壓降更低 |
缺點 | 需要載流子壽命控制、負溫度系數(shù)、不利于并聯(lián) | 高器件損耗、不利于高壓工作 | 工藝復雜 | 工藝復雜 | 工藝復雜 |
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從平面穿通型(PT)到溝槽型電場—截止型(FS-Trench),各方面指標都得到了不斷的優(yōu)化。芯片面積縮小為最初的四分之一,工藝線寬從5微米降到0.5微米,通態(tài)飽和壓降從3伏降到1伏,關斷時間也更快,從0.5微秒降到0.15微秒,功率損耗也更低,斷態(tài)電壓也從600V提高到了6500V以上。
二、IGBT下游需求
作為工業(yè)控制及自動化領域的核心器件,IGBT模塊在電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等諸多領域都有廣泛的應用。
1、新能源汽車如火如荼,車用IGBT需求旺
新能源汽車產(chǎn)業(yè)如火如荼,IGBT模塊作為核心器件需求顯著提升:2016年11月國務院印發(fā)的《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃的通知》指出,到2020年,新能源汽車實現(xiàn)當年產(chǎn)銷200萬輛以上,累計產(chǎn)銷超過500萬輛,對應2017-2020年新能源汽車產(chǎn)量每年平均40%的增速。IGBT模塊是新能源汽車電機控制系統(tǒng)中負責能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵墓β拾雽w器件,電動汽車高壓系統(tǒng)中關鍵電路均需要開關元器件來實現(xiàn),電驅(qū)動系統(tǒng)、空調(diào)系統(tǒng)、高壓充電機等部件都會用到IGBT器件,提高用電效率以實現(xiàn)高續(xù)航一直是各個新能源汽車廠商追求的目標,新能源汽車產(chǎn)業(yè)如火如荼,車用IGBT模塊需求快速提升。
IGBT模塊在新能源汽車領域中發(fā)揮著至關重要的作用,被廣泛應用于電機控制器、車載空調(diào)、充電樁等設備。
IGBT模塊的作用是交流電和直流電的轉(zhuǎn)換,同時IGBT模塊還承擔電壓的高低轉(zhuǎn)換的功能。新能源汽車外界充電的時候是交流電,需要通過IGBT模塊轉(zhuǎn)變成直流電然后給電池,同時要把交流電壓轉(zhuǎn)換成適當?shù)碾妷阂院蟛拍芙o電池組充電。新能源汽車電池放電的時候,把通過IGBT模塊直流電轉(zhuǎn)變成交流電機使用的交流電,同時起到對交流電機的變頻控制。電能的轉(zhuǎn)化效率和穩(wěn)定性,直接決定了新能源汽車的充電效率、電能利用率、電流輸出穩(wěn)定性等性能。綜上,IGBT模塊是新能源汽車的的核心器件,IGBT的性能直接影響新能源汽車功率的釋放速度。2018年全球新能源汽車的滲透率為2%,而中國是滲透比例最高的國家,比例為4%。
全球新能源汽車銷量及同比增速(萬輛;%)
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中國新能源汽車銷量及同比增速(萬輛;%)
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全球新能源汽車滲透率(%)
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主要國家新能源汽車滲透率(%)
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2015年11月,工業(yè)和信息化部等四個部委聯(lián)合發(fā)布了《電動汽車充電基礎設施發(fā)展指南》的通知,其中明確提到,為滿足全國500萬輛電動汽車的充電需求,新建了超過12,000個集中式電池充電站,預計到2020年將增加480萬個新的去中心充電樁。預計2018年中國IGBT市場規(guī)模為153億元人民幣,同比增長19.91%。隨著HEV/EV需求和工業(yè)需求的大幅增長,中國IGBT市場規(guī)模將持續(xù)增長,預計到2025年將達到522億元人民幣,復合年增長率為19.11%。其中,IGBT約占充電樁成本的20%,預測到2025年,全球充電樁用IGBT的市場規(guī)模將達到100億元人民幣;IGBT大約占HEV/EV成本的10%,預計到2025年,中國HEV/EV所用IGBT的市場規(guī)模將達到210億元人民幣。按照應用領域劃分,EV/HEV是IGBT應用最廣泛的領域占比為31%,電子占比27%,工業(yè)領域占比20%。
2018年中國IGBT下游應用(%)
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2018年中國IGBT各應用領域市場規(guī)模(億元)
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2、變頻家電加速普及,孕育IPM模塊需求
IPM模塊是變頻技術(shù)的核心電子元器件,也是變頻白色家電的核心電子元器件。當前,我國經(jīng)濟由高速增長階段轉(zhuǎn)向高質(zhì)量發(fā)展階段,家電行業(yè)處在加速向“家電強國”目標前進,“綠色技術(shù)進步、綠色轉(zhuǎn)型升級和綠色制造”是全行業(yè)轉(zhuǎn)型升級的主線之一。
家用電器能耗是家庭總能耗的主要組成部分,在節(jié)能環(huán)保全球化的趨勢下,家用電器的高效節(jié)能和環(huán)保已成為家電制造商關注的重要指標,高效節(jié)能家電的市場份額不斷攀升。經(jīng)過最近十多年的發(fā)展,空調(diào)、洗衣機、冰箱等主要家用電器的能耗降低30%-50%。隨著世界各國不斷升級的家用電器能效標準,以及我國對節(jié)能環(huán)保要求的不斷提高,變頻家電市場前景廣闊。中國作為全球最大的家電市場和生產(chǎn)基地,亦孕育著大規(guī)模的IPM市場。以空調(diào)行業(yè)為例,2019年家用空調(diào)產(chǎn)量達15280萬臺,銷量達15063萬臺,其中內(nèi)銷9216萬臺,出口5846萬臺。隨著節(jié)能環(huán)保的大力推行,具有變頻功能的白色家電將逐漸替代傳統(tǒng)家電,且家電市場身處消費行業(yè),市場需求較為穩(wěn)定將具有廣闊的市場前景。但同時也應看到,目前國內(nèi)變頻家電所用的IPM智能功率模塊主要依賴進口,國產(chǎn)化率極低且市場供不應求。
2017-2019年我國家用空調(diào)內(nèi)銷和外銷數(shù)量(萬臺)
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消費升級成為推動中國智能變頻家電發(fā)展的主要紅利,超過16億臺的家電存量規(guī)模,使持續(xù)穩(wěn)定的更新需求成為提升變頻家電銷量的重要驅(qū)動力量。2020年智能變頻家電產(chǎn)品的滲透率將進一步提升,白電、廚電、生活電器等智能家電的占比將分別達到45%、25%和28%。IPM(智能功率模塊)作為變頻技術(shù)的核心電子元器件,隨著智能變頻家電滲透率提升而需求不斷增加。2018年全球IPM市場規(guī)模為168億美元,其中三菱占比最高為32.3%,安森美為18.9%,國內(nèi)目前尚未出現(xiàn)份額超過0.5%的公司,進口替代迫在眉睫。
2018年IPM供應商市場份額(%)
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3、工業(yè)控制及電源行業(yè)支撐IGBT市場穩(wěn)步發(fā)展
IGBT模塊是變頻器、逆變焊機等傳統(tǒng)工業(yè)控制及電源行業(yè)的核心元器件,且已在此領域中得到廣泛應用。目前,隨著工業(yè)控制及電源行業(yè)市場的逐步回暖,預計IGBT模塊在此領域的市場規(guī)模亦將得到逐步擴大。與此同時,伺服驅(qū)動器和電機作為IPM另一個重要應用領域,隨著我國工業(yè)自動化發(fā)展,預計將保持18%以上的市場增速,到2020年中國市場需求量達到1400萬臺,規(guī)模超200億元,下游產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展將為IPM行業(yè)帶來前所未有的發(fā)展動力。
IGBT模塊在變頻器中不僅起到傳統(tǒng)的三極管的作用,亦包含了整流部分的作用。控制器產(chǎn)生的正弦波信號通過光藕隔離后進入IGBT,IGBT再根據(jù)信號的變化將380V(220V)整流后的直流電再次轉(zhuǎn)化為交流電輸出,變頻器靠內(nèi)部IGBT的開斷來調(diào)整輸出電源的電壓和頻率,根據(jù)電機的實際需要來提供其所需要的電源電壓,進而達到節(jié)能、調(diào)速的目的。近年來,我國變頻器行業(yè)的市場規(guī)??傮w呈上升態(tài)勢。近年來,變頻器市場中我國自主研發(fā)能力有所提升,特別是高壓變頻器在2017年的專利申請數(shù)穩(wěn)定在160項以上。同時,在實體經(jīng)濟的拉動作用下,變頻器已進入新能源領域,在冶金、煤炭、石油化工等工業(yè)領域?qū)⒈3址€(wěn)定增長,在城市化率提升的背景下,變頻器在市政、軌道交通等公共事業(yè)領域的需求也會繼續(xù)增長,從而促進市場規(guī)模擴大。未來幾年,具有高效節(jié)能功能的高壓變頻器市場將受政策驅(qū)動持續(xù)增長,預計到2023年,高壓變頻器的市場將達到175億元左右。
逆變式弧焊電源,又稱弧焊逆變器,是一種新型的焊接電源。這種電源一般是將三相工頻(50赫茲)交流網(wǎng)路電壓,先經(jīng)輸入整流器整流和濾波,變成直流,再通過大功率開關電子元件(IGBT)的交替開關作用,逆變成幾千赫茲至幾萬赫茲的中頻交流電壓,同時經(jīng)變壓器降至適合于焊接的幾十伏電壓,后再次整流并經(jīng)電抗濾波輸出相當平穩(wěn)的直流焊接電流。2018年我國電焊機產(chǎn)量為853.3萬臺,同比2017年增加了58.46萬臺,電焊機市場的穩(wěn)定增長有望驅(qū)動IGBT的市場需求。


2025-2031年中國絕緣柵雙極晶體管(IGBT)行業(yè)市場運行格局及未來趨勢研判報告
《2025-2031年中國絕緣柵雙極晶體管(IGBT)行業(yè)市場運行格局及未來趨勢研判報告》共十七章,包含中國絕緣柵雙極晶體管行業(yè)發(fā)展?jié)摿υu估及趨勢前景預判,中國絕緣柵雙極晶體管行業(yè)投資價值評估及投資機會分析,中國絕緣柵雙極晶體管行業(yè)投資策略與可持續(xù)發(fā)展建議等內(nèi)容。
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