2019年中國(guó)半導(dǎo)體硅片現(xiàn)狀、各種尺寸硅片需求及國(guó)產(chǎn)硅片發(fā)展前景分析[圖]

    硅極少以單質(zhì)的形式存在于自然界中，但在巖石、砂礫、塵土之中其以硅酸鹽或二氧化硅的形式廣泛存在。在地殼中，硅是第二豐富的元素，其構(gòu)成地殼總質(zhì)量的 26.4%。

    晶圓制造是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán)，生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)涉及多種材料。2018 年全球半導(dǎo)體材料銷售額達(dá)到 519 億美元，增長(zhǎng) 10.6%，其中晶圓制造材料和封裝材料的銷售額分別為 322 億美元和 197 億美元，同比增長(zhǎng)率分別為 15.9%和 3.0%。根據(jù)細(xì)分產(chǎn)品銷售情況，2018 年硅片占晶圓制造材料市場(chǎng)比值為 38%，比重為相關(guān)材料市場(chǎng)第一位。所以，硅片作為半導(dǎo)體生產(chǎn)重要原材料之一，硅片制備技術(shù)將對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生一定的影響。

    一、半導(dǎo)體硅片

    首先通過(guò)提純硅氧化得到多晶硅，其后通過(guò)單晶硅生長(zhǎng)工藝得到硅片原始材料單晶錠，再通過(guò)切片、研磨、拋光等硅片制造工藝得到拋光硅片。通過(guò)對(duì)拋光硅片進(jìn)行特殊工藝處理，可得到退火片、外延片等具備特殊性能硅片。

    單晶硅是由單一籽晶生長(zhǎng)的單晶體硅材料，它具有晶格完整、缺陷和雜質(zhì)很少等特點(diǎn)。根據(jù)單晶硅生長(zhǎng)方式進(jìn)行分類，可將其分為區(qū)熔單晶硅（FZ-Si）和直拉單晶硅（CZ-Si），其中所涉及的工藝為區(qū)熔法和直拉法。相較于區(qū)熔法，直拉法能支持 12 英寸等大尺寸硅片生產(chǎn)，而區(qū)熔法則用于 8 英寸及以下尺寸硅片生產(chǎn)。所以，直拉法是目前較為主流長(zhǎng)晶工藝。

    直拉法主要工藝包括多晶硅原料裝料、多晶硅融化、種晶、縮頸、放肩、等徑生長(zhǎng)和收尾等。直拉法制備工藝是通過(guò)加熱放置于坩堝內(nèi)的多晶硅原料使其成為溶液，并通過(guò)安置在爐體上方的籽晶軸，使得單晶晶種能與硅溶液進(jìn)行接觸。通過(guò)籽晶軸轉(zhuǎn)動(dòng)和上下移動(dòng)，硅液會(huì)沿著籽晶表面凝結(jié)和生長(zhǎng)，最終形成單晶錠。隨著直拉法工藝不斷深入，基于基礎(chǔ)工藝的新工藝在持續(xù)開發(fā)，目前已開發(fā)出磁控直拉單晶生長(zhǎng)、連續(xù)加料直拉單晶硅生長(zhǎng)和重裝料直拉單晶生長(zhǎng)等工藝。

    為滿足不同器件制備的要求，在晶體生長(zhǎng)時(shí)需要摻入微量電學(xué)性的雜質(zhì)（摻雜劑）。其中 P 型半導(dǎo)體，硼（B）是最常用的摻雜劑；而對(duì)于 N 型半導(dǎo)體，磷（P）、砷（As）和銻（Sb）都可以作為摻雜劑。除摻雜劑外，一般情況下在直拉過(guò)程中需要避免雜質(zhì)引入，否則將影響單晶硅、器件的性能和質(zhì)量。由于單晶硅生長(zhǎng)情況對(duì)于硅片生產(chǎn)影響較大，所以單晶硅生長(zhǎng)技術(shù)在硅片生產(chǎn)中是關(guān)鍵技術(shù)之一。

    硅片制造工藝實(shí)現(xiàn)從“錠”到“片”轉(zhuǎn)換。當(dāng)完成單晶硅生長(zhǎng)工藝后，需要通過(guò)硅片制造技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)硅片生產(chǎn)。根據(jù)生產(chǎn)流程，單晶硅錠需要通過(guò)切斷、切片、研磨、拋光、清洗五大步驟從而得到拋光硅片。其中，通過(guò)切斷得到適合切片的晶棒；切片是將晶棒切成具有一定厚度和平整度的硅片；研磨工藝，可去除硅片切片表面殘留的損傷層，并使硅片具有一定的幾何精度；拋光工藝，通過(guò)化學(xué)和機(jī)械作用，去除硅片表面殘留的微缺陷和損傷層，獲得硅拋光片；硅片清洗是去除硅片表面各種沾污。通過(guò)這一系列加工工藝后，可得到拋光硅片。

    拋光硅片是目前應(yīng)用范圍最廣、最基礎(chǔ)的硅片，以拋光片為基礎(chǔ)進(jìn)行二次加工可得到具有特殊性能的硅片。退火片制作工藝是一個(gè)升溫再降溫的過(guò)程，通過(guò)將拋光片置于氫或氬氣中加熱，隨即進(jìn)入到退火過(guò)程。與拋光片相比，其表面含氧量大幅減少，從而擁有更好的晶體完整性。外延片通常采用化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，反應(yīng)原理為硅的氣態(tài)化合物在硅片表面發(fā)生反應(yīng)，并以單晶薄膜的形態(tài)沉積在硅襯底表面。SOI 硅片具有三層結(jié)構(gòu)，自上而下分別為頂層硅片（SOI 層）、氧化層和硅襯底；目前，氫注入剝離鍵合技術(shù)（Smart-Cut）、硅片直接鍵合技術(shù)（SDB）和注氧隔離技術(shù)（SIMOX）是三個(gè)最具有競(jìng)爭(zhēng)力的 SOI 制備技術(shù)；由于 SOI 硅片具有氧化層，從而減少硅片的寄生電容以及漏電現(xiàn)象。具有特殊性能的硅片能滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景需求，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一部分。

    二、硅片尺寸

    隨著單晶硅制造技術(shù)提升，硅片的尺寸在逐步提升。硅片尺寸從最初 2 英寸，到 4 英寸，5 英寸，6 英寸，8 英寸，再到 12 英寸，其尺寸在持續(xù)增加。目前，硅片發(fā)展史具有多種表述。其中，據(jù) SEMI 相關(guān)產(chǎn)品數(shù)據(jù)，4 英寸硅片產(chǎn)生于 1986年，6 英寸產(chǎn)生于 1992 年，8 英寸產(chǎn)生于 1997，12 英寸產(chǎn)生于 2005 年。而行業(yè)內(nèi)根據(jù)各尺寸硅片市場(chǎng)占比情況進(jìn)行劃分，4 英寸、6 英寸和 8 英寸分別為 1980 年代、1990 年代和 2000 年代占據(jù)主流位置；而 12 英寸硅片產(chǎn)線是英特爾和 IBM 于 2002 年首先建成，而到 2005 年 12 英寸產(chǎn)品市場(chǎng)占比達(dá)到 20%且市場(chǎng)占比持續(xù)增大。

    自 2005 年起 12 英寸硅片被大規(guī)模使用以來(lái)至今已超過(guò) 10 年，在硅片向大尺寸發(fā)展的背景下，硅片產(chǎn)品理應(yīng)進(jìn)行迭代。18 英寸硅片是下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)，以英特爾、臺(tái)積電等廠商和學(xué)校為首的相關(guān)研發(fā)專案已經(jīng)取得了一定進(jìn)展，但因不具備生產(chǎn)效益而有所擱置。所以，12 英寸硅片尚未受到產(chǎn)品迭代所帶來(lái)的影響，有望在較長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)保持市場(chǎng)地位。

2015-2021 年全球 12 寸硅片市場(chǎng)占比及預(yù)測(cè)

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    目前，集成電路發(fā)展兩條技術(shù)主線是硅片尺寸擴(kuò)大和芯片制程技術(shù)提升。其中，硅片尺寸擴(kuò)大能有效降低成本，而這也成為硅片向大尺寸發(fā)展的重要推力。以 8 英寸和 12 英寸硅片為例，12 英寸硅片較 8 英寸在面積上提升約 2.25 倍。由于可用生產(chǎn)面積擴(kuò)大，使得單硅片芯片產(chǎn)出數(shù)量也有所差異，其中，8 英寸硅片產(chǎn)出約為 88 塊，而 12 英寸硅片產(chǎn)出約為 232 塊，12 英寸硅片產(chǎn)出較 8英寸硅片提升約 2.64 倍，產(chǎn)出增長(zhǎng)較硅片面積增長(zhǎng)更多。此外，由于邊緣芯片減少，產(chǎn)品成品率將上升，使得產(chǎn)出會(huì)更高。在芯片生產(chǎn)過(guò)程中由于產(chǎn)出更高，使得設(shè)備使用率提升。所以，無(wú)論是從產(chǎn)量，還是從設(shè)備使用率角度，大硅片能使芯片生產(chǎn)成本下降，使得晶圓代工廠利潤(rùn)增厚，從而間接推動(dòng)硅片向大尺寸發(fā)展。

    各種需求促生對(duì)不同尺寸硅片需求。不同尺寸硅片在應(yīng)有場(chǎng)景中有所差異，下游對(duì)于硅片需求主要集中在 8、12 英寸。目前，12 英寸硅片主要應(yīng)用于制造智能終端中邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片等，而 8 英寸硅片主要應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化和指紋識(shí)別等集成電路制造領(lǐng)域，6 英寸及以下尺寸硅片主要應(yīng)用于低端產(chǎn)品。所以，在不同領(lǐng)域應(yīng)用不同尺寸的硅片，從而形成不同的需求。

    三、需求

    硅片是晶圓制造上游材料，晶圓廠產(chǎn)能情況對(duì)硅片需求將產(chǎn)生影響。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，硅片出貨量存在一定周期性，2019 年硅片出貨量有所下滑，但情況有望得到好轉(zhuǎn)。受消費(fèi)升級(jí)和數(shù)據(jù)流量爆發(fā)等因素誘發(fā)，終端市場(chǎng)持續(xù)向好，而需求沿著產(chǎn)業(yè)鏈向上游傳遞。在硅片向大尺寸發(fā)展的趨勢(shì)中，8 英寸和 12 英寸硅片作為主流硅片產(chǎn)品，在終端市場(chǎng)帶動(dòng)下需求將持續(xù)擴(kuò)大。預(yù)計(jì)，2020年半導(dǎo)體總發(fā)貨量將增長(zhǎng) 7％，達(dá)到 10,363 億個(gè)，這將是有史以來(lái)半導(dǎo)體總發(fā)貨量第二次超過(guò)一萬(wàn)億個(gè)單位。而在 2020 年半導(dǎo)體出貨量中，預(yù)計(jì)光電器件、傳感器和分立器這三項(xiàng)占 69％，集成電路占 31％。此外，2020 年增長(zhǎng)率最高的半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域場(chǎng)景包括智能手機(jī)、汽車電子以及人工智能、云和“大數(shù)據(jù)”系統(tǒng)、深度學(xué)習(xí)應(yīng)用程序。

2007年至2019年全球硅片面積出貨量（百萬(wàn)平方英寸）

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2020 年半導(dǎo)體出貨量占比

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    1、12 英寸硅片

    目前，12 英寸硅片在下游產(chǎn)業(yè)中廣泛應(yīng)用，產(chǎn)品大多使用于制造消費(fèi)電子芯片。根據(jù) 12 英寸晶圓制造精度進(jìn)行分類，可分為先進(jìn)制程和成熟制程。隨著晶圓廠制程不斷提升，將增加高質(zhì)量 12 英寸大硅片需求。除晶圓制程提升外，終端市場(chǎng)向好是拉動(dòng)硅片需求上升的動(dòng)力。

    由于 5G 通信能支持增強(qiáng)移動(dòng)寬帶（eMBB）、高可靠低時(shí)延連接（uRLLC）和海量物聯(lián)（eMTC）三大應(yīng)用場(chǎng)景，其對(duì)社會(huì)發(fā)展具備重要意義。所以，各國(guó)對(duì)于 5G 網(wǎng)絡(luò)建設(shè)都較為重視。而對(duì)于普通消費(fèi)者而言，4G 手機(jī)無(wú)法支持 5G 網(wǎng)絡(luò)，若想使用 5G 網(wǎng)絡(luò)其需要對(duì)終端設(shè)備進(jìn)行升級(jí)。所以，在通信升級(jí)時(shí)代將會(huì)出現(xiàn)手機(jī)換機(jī)潮。IDC 預(yù)計(jì)，2020 年 5G 智能手機(jī)出貨量將占智能手機(jī)總出貨量的 8.9%，到 2023 年，這一比例將增長(zhǎng)至 28.1%。根據(jù)目前各大手機(jī)廠商所推出 5G 產(chǎn)品數(shù)據(jù)，大部分手機(jī) NAND 容量為 128G 起，容量較 4G 手機(jī)有一倍的提升。手機(jī)對(duì)于存儲(chǔ)芯片需求將會(huì)逐步顯現(xiàn)。此外，數(shù)據(jù)流量爆發(fā)將增加數(shù)據(jù)中心需求，2016-2021 年全球數(shù)據(jù)中心流量復(fù)合增速將達(dá) 25%；而云數(shù)據(jù)中心流量增速將會(huì)更快，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 27%。數(shù)據(jù)流量爆發(fā)使得相關(guān)廠商會(huì)加大對(duì)服務(wù)器等基礎(chǔ)設(shè)施投入。由于服務(wù)器等基礎(chǔ)設(shè)施中需要使用到固態(tài)硬盤，而硬盤是 NAND Flash重要應(yīng)用場(chǎng)景之一，所以這將會(huì)激發(fā) NAND Flash 需求上升。Gartner 預(yù)計(jì) NAND 復(fù)蘇將在 2020 年繼續(xù)，這是由于固態(tài)硬盤的強(qiáng)勁需求以及 5G 智能手機(jī)的大量增加使低位供應(yīng)增長(zhǎng)所致。

NAND 閃存應(yīng)用份額

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2018 年 12 英寸硅片下游應(yīng)用占比

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    DRAM 作為電子產(chǎn)品重要組件之一，在 AI 和 5G 兩大應(yīng)用的拉動(dòng)下，景氣度有望持續(xù)好轉(zhuǎn)。根據(jù) 2018 年 12英寸硅片下游應(yīng)用占比數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)芯片（DRAM、2D NAND、3D NAND）占比已超過(guò)50%。所以，無(wú)論是 NAND Flash，還是 DRAM，在終端設(shè)備需求持續(xù)向好將會(huì)沿產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)到存儲(chǔ)芯片，從而使得晶圓廠對(duì)硅片需求上升。

    2、8 英寸硅片

    8 英寸晶圓制造技術(shù)依舊保持競(jìng)爭(zhēng)力。12 英寸晶圓廠進(jìn)入門檻較高，對(duì)于環(huán)境和設(shè)備等要求較為苛刻，所以其產(chǎn)品主要為精密制程的電子產(chǎn)品。而在制程等要求較低或?qū)Τ杀据^為敏感的產(chǎn)品，一般使用 8 英寸或 6 英寸硅片進(jìn)行生產(chǎn)。但隨著 6 英寸產(chǎn)品逐步向 8英寸轉(zhuǎn)移，8 英寸晶圓廠將承接部分產(chǎn)品生產(chǎn)需求。此外，由于 8 英寸晶圓已具備成熟特種工藝，在小尺寸晶粒模擬內(nèi)容容量或高電壓支持具備優(yōu)勢(shì)，所以對(duì)于具備特殊要求的器件大部分仍以 8 英寸晶圓制造為主。根據(jù) 8 英寸硅片下游應(yīng)用數(shù)據(jù)，功率分立器件、MEMS、模擬、CIS、射頻等產(chǎn)品是主要應(yīng)用方向。

2018 年 8 英寸硅片下游應(yīng)用占比

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    隨著新能源汽車和工業(yè)智能裝備等快速普及，對(duì)于模擬和分立器件的需求在逐步加大，而這使得汽車電子和工業(yè)控制領(lǐng)域在相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)份額擴(kuò)大，下游景氣度提升也將傳導(dǎo)到上游產(chǎn)業(yè)。自 2018 年 7 月以來(lái)，全球增加了 7 個(gè) 200mm 新廠房。而在接下來(lái)的 2019 年到 2022 年間，全球預(yù)計(jì)總共將有 16 個(gè)廠房或產(chǎn)線，其中 14 個(gè)為批量 Fab 廠。預(yù)測(cè)，到 2022 年全球200mm 晶圓制造廠的總產(chǎn)能達(dá)到每月 650 萬(wàn)片晶圓。隨著電動(dòng)車、5G 等市場(chǎng)的發(fā)展，MEMS、感測(cè)、模擬與微控制元件等在物聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)裝置的應(yīng)用發(fā)展將持續(xù)延伸，帶動(dòng)8 英寸晶圓的市場(chǎng)需求。

    四、趨勢(shì)

    2019 年銷售額有所回落，但在終端市場(chǎng)持續(xù)向好推動(dòng)下，銷售額有望扭轉(zhuǎn)跌勢(shì)。從市場(chǎng)份額來(lái)看，2017 年全球五大硅晶圓供貨商為日本信越（市占率 27.58%）、日本勝高（市占率 24.33%），臺(tái)灣環(huán)球晶圓（市占率 16.28%）、德國(guó) Silitronic（市占率 14.22%）、韓國(guó) SK Siltron（市占率 10.16%），前五大公司市占率超過(guò) 90 %。由于硅片具有較高技術(shù)壁壘，所以導(dǎo)致硅片市場(chǎng)集中度較高且硅片尺寸越大，市場(chǎng)集中度越高。

2009-2019 年全球硅片銷售（單位：十億美元）

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2018 年全球硅片市場(chǎng)份額

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    我國(guó)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)入國(guó)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展。2016 年我國(guó)半導(dǎo)體銷售額為 1056.5 億美元，而 2019 年銷售額為 1436.7 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 10.79%。此外，我國(guó)在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模份額持續(xù)擴(kuò)大。目前，中國(guó)是全球最大的消費(fèi)電子產(chǎn)品生產(chǎn)國(guó)、出口國(guó)和消費(fèi)國(guó)，2018 年，中國(guó)手機(jī)、計(jì)算機(jī)和彩電產(chǎn)量占到全球總產(chǎn)量的 90%、90%和 70%以上，均穩(wěn)居全球首位。在生產(chǎn)過(guò)程中半導(dǎo)體產(chǎn)品需求較大。所以，基于產(chǎn)業(yè)鏈安全等因素考慮，無(wú)論是半導(dǎo)體產(chǎn)品，還是半導(dǎo)體材料均有國(guó)產(chǎn)替代需求。

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模（單位：十億美元）及中國(guó)占比

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    硅片作為集成電路基石之一，其重要性不言而喻。但由于硅片市場(chǎng)目前被幾大巨頭所壟斷且我國(guó)在硅片產(chǎn)業(yè)起步較晚，使得我國(guó)硅片產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)發(fā)展不均的情況。在小尺寸硅片方面，我國(guó)能大規(guī)模生產(chǎn) 4-6 英寸硅片，基本滿足國(guó)內(nèi)需求。但大硅片（8、12 英寸）方面則存在較大缺口。雖然 8 英寸硅片我國(guó)能自主進(jìn)行生產(chǎn)，但仍不能滿足下游生產(chǎn)需求；而 12 英寸硅片則幾乎依賴于進(jìn)口。截至 2019 年 6 月，6 英寸國(guó)產(chǎn)化率超過(guò) 50%，8 英寸國(guó)產(chǎn)化率 10%，12 英寸國(guó)產(chǎn)化率小于1%，且國(guó)產(chǎn) 12 英寸硅片在國(guó)內(nèi)晶圓廠中大都為測(cè)控片，正片的銷售較少。隨著下游需求回暖，國(guó)內(nèi)硅片缺口將進(jìn)一步擴(kuò)大。參照日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑，為彌補(bǔ)硅片產(chǎn)業(yè)不足，在政府政策和資金扶持下，我國(guó)硅片企業(yè)已走上追趕之路。

2018 年中國(guó) 8 英寸和 12 英寸硅片產(chǎn)品市場(chǎng)供給（單位：萬(wàn)片/月）

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    國(guó)家為促進(jìn)集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，先后頒布了《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》、《集成電路產(chǎn)業(yè)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》等政策。在這些政策中，不乏對(duì)于硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提出指導(dǎo)意見(jiàn)。其中，《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》中提出要開發(fā)大尺寸硅片等關(guān)鍵材料，加強(qiáng)企業(yè)間合作；《“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》中明確提出要重點(diǎn)研發(fā) 300mm 硅片。在國(guó)家政策推動(dòng)下，硅片產(chǎn)業(yè)將會(huì)得到強(qiáng)有力支持。

    智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國(guó)半導(dǎo)體硅片行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展規(guī)劃及投資戰(zhàn)略分析報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示：對(duì)于半導(dǎo)體硅片新進(jìn)入者而言，半導(dǎo)體硅片在資本投入、生產(chǎn)技術(shù)和人才儲(chǔ)備等方面具有較高壁壘。此外，在硅片市場(chǎng)處于壟斷情況下，企業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)模效應(yīng)將面臨挑戰(zhàn)。由于我國(guó)具有較大內(nèi)需市場(chǎng)且國(guó)家對(duì)硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展有政策扶持，所以我國(guó)企業(yè)能更好應(yīng)對(duì)外部競(jìng)爭(zhēng)。目前，我國(guó)企業(yè)對(duì)于國(guó)產(chǎn)供需缺口較大的 8 英尺和 12 英尺硅片均有布局，多個(gè)項(xiàng)目正逐步實(shí)施，產(chǎn)能將會(huì)逐步落地。據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)硅片企業(yè)規(guī)劃產(chǎn)能大多集中在 12 英寸硅片，大硅片產(chǎn)線投資合計(jì)超過(guò) 1400億元。其中，若 12 英寸硅片產(chǎn)按規(guī)劃落地，其月產(chǎn)能將超過(guò) 650 萬(wàn)片。

中國(guó) 8/12 英尺大硅片規(guī)劃產(chǎn)能情況（萬(wàn)片/月）

數(shù)據(jù)來(lái)源：公開資料整理

    由于新建產(chǎn)能投資較大且需要 2-3 年產(chǎn)能才能落地，所以我國(guó)實(shí)現(xiàn)大硅片自給自足仍需要時(shí)間。但隨著我國(guó)硅片產(chǎn)能逐步爬坡，大硅片進(jìn)口依賴有望逐步緩解。此外，減少對(duì)進(jìn)口依賴將有助于產(chǎn)業(yè)安全。2019 年 7 月，日本宣布限制對(duì)韓國(guó)出口半導(dǎo)體材料。由于日本是全球最大半導(dǎo)體材料生產(chǎn)國(guó)，在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域具有據(jù)對(duì)優(yōu)勢(shì)，且韓國(guó)在部分材料對(duì)日本較為依賴，出口限制對(duì)韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將產(chǎn)生影響。所以，產(chǎn)品進(jìn)口依賴高將降低產(chǎn)業(yè)安全邊際，特別在貿(mào)易爭(zhēng)端發(fā)生時(shí)將對(duì)相關(guān)行業(yè)造成較大沖擊。我國(guó)硅片產(chǎn)能逐步落地將有助于提升國(guó)產(chǎn)率，提升硅片供給安全。

    我國(guó)作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)入國(guó)，半導(dǎo)體銷售額在全球市場(chǎng)中占比在持續(xù)攀升。此外，我國(guó)是全球最大的消費(fèi)電子產(chǎn)品生產(chǎn)國(guó)、出口國(guó)和消費(fèi)國(guó)，對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)品需求較大。所以，國(guó)產(chǎn)化水平將對(duì)產(chǎn)業(yè)安全有較大影響。硅片作為晶圓制造材料市場(chǎng)中占比最大的且最基礎(chǔ)品種，我國(guó)在硅片領(lǐng)域存在短板且在大硅片方面更為突出。但在國(guó)家政策和資金的扶持下，我國(guó)眾多企業(yè)紛紛規(guī)劃產(chǎn)線，對(duì)半導(dǎo)體大硅片進(jìn)行布局。隨著產(chǎn)能逐步落地，能有效降低對(duì)進(jìn)口大硅片依賴程度，保障產(chǎn)業(yè)安全。

    目前，5G 通信在全球范圍內(nèi)掀起熱潮，韓國(guó)、美國(guó)、中國(guó)等國(guó)家已經(jīng)開通 5G 商用網(wǎng)絡(luò)。由于 5G 網(wǎng)絡(luò)需要相應(yīng)終端才能使用，在手機(jī)廠商逐步推出平價(jià) 5G 手機(jī)后，手機(jī)換機(jī)潮將有望出現(xiàn)。對(duì)于 To B 端而言，物聯(lián)網(wǎng)是 5G 下游應(yīng)用的重要一環(huán)，車聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等將成為焦點(diǎn)。此外，伴隨著數(shù)據(jù)流量爆發(fā)，對(duì)于數(shù)據(jù)中心等基礎(chǔ)設(shè)施需求在增加。長(zhǎng)期而言，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用向好，硅片作為上游材料之一，其需求將有望增加。

    目前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主流硅片尺寸為 8 英寸和 12 英寸，其中 12 英寸出貨量占比超過(guò) 70%。雖然需求端持續(xù)向好，但供給端受產(chǎn)能利用率、投資周期等因素影響，短期內(nèi)無(wú)法大量擴(kuò)產(chǎn)。所以，供給端短期內(nèi)或?qū)⒈３脂F(xiàn)有規(guī)模。

    由于我國(guó)在硅片產(chǎn)業(yè)起步較晚，硅片國(guó)產(chǎn)程度較低，其中大硅片基本依靠進(jìn)口。但在國(guó)家政策和資金扶持下，我國(guó)硅片企業(yè)走上追趕的道路，目前已有多家企業(yè)對(duì)大硅片進(jìn)行布局。隨著產(chǎn)能落地，有望緩解對(duì)大硅片進(jìn)口依賴，提高產(chǎn)業(yè)安全。