一、全球DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展環(huán)境
1966年,IBM公司托馬斯•沃森研究中心(Thomas Watson Research Center)的研究人員時(shí)年34歲的羅伯特•登納德(Robert Dennard)博士提出了用金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管,來(lái)制作存儲(chǔ)器芯片的設(shè)想,同年研發(fā)成功1T/1C結(jié)構(gòu)(一個(gè)晶體管加一個(gè)電容)的DRAM,并在1968年獲得專利。
自1966年至今已經(jīng)過(guò)去50余年,DRAM市場(chǎng)累計(jì)創(chuàng)造了超過(guò)1萬(wàn)億美元產(chǎn)值。企業(yè)間摻雜著你死我活的生死搏殺。美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣的企業(yè),懷揣巨額資金,高高興興地沖殺進(jìn)來(lái),卻大都丟盔棄甲黯然離開(kāi)。包括開(kāi)創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)的三大巨頭在內(nèi)的無(wú)數(shù)名震世界的產(chǎn)業(yè)巨頭轟然倒地;英特爾、德州儀器和IBM,也分別在1985年、1998年和1999年,凄慘地退出了DRAM市場(chǎng)。
2019年第二季度,全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到982億美元,較上一季度小幅增長(zhǎng)0.3%,但與去年第二季度相比下降16.8%。
2013-2019年上半年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額
資料來(lái)源:SIA
在2019年上半年,全球前十五大半導(dǎo)體公司銷售額合計(jì)同比下降18%,而全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總銷售額同比下降14%。其中,以DRAM、NAND閃存為主的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)波動(dòng)劇烈,三星、SK海力士和美光三大存儲(chǔ)器廠商2019年上半年業(yè)績(jī)驟降,同比至少衰退33%,而在2018年上半年,這三家業(yè)績(jī)同比增長(zhǎng)最小也有36%。
1996-2019年6月全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額及增速走勢(shì)圖
資料來(lái)源:SIA
2017年受全球存儲(chǔ)器價(jià)格上漲影響,全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)??焖偬嵘?,2018年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額下降0.3%至1645億美元,這是近三年來(lái)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)份額的首次負(fù)增長(zhǎng)。由于大數(shù)據(jù)和其他數(shù)據(jù)的使用,對(duì)內(nèi)存的需求正在上升,但由于多家大廠的瘋狂擴(kuò)產(chǎn),價(jià)格的持續(xù)上漲主要落在NAND型閃存中。
2013-2018年全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)圖
資料來(lái)源:SIA、智研咨詢整理
二、全球DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
2017年開(kāi)始,由于全球多家存儲(chǔ)器大廠調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、淘汰部分低端、小容量產(chǎn)品;與此同時(shí),市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)器的需求量有增無(wú)減和部分廠商有意控制產(chǎn)能、囤積居奇,共同促使全球缺貨,形成存儲(chǔ)器市場(chǎng)漲價(jià)的局面。
2018年全球DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模989億美元,同比增長(zhǎng)35.48%,高增速主要來(lái)自于近兩年全球市場(chǎng)價(jià)格大漲影響。
2013-2018年全球DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)圖
資料來(lái)源:IHS、智研咨詢整理
根據(jù)智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國(guó)DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)研究報(bào)告》數(shù)據(jù)顯示:2018年全球DRAM存儲(chǔ)器均價(jià)上升至0.93美元/Gb,比2016年增長(zhǎng)了97.87%。
2013-2018年全球DRAM存儲(chǔ)器平均價(jià)格走勢(shì)圖
資料來(lái)源:智研咨詢整理
DRAM產(chǎn)量及分布來(lái)看,目前全球DRAM產(chǎn)量在350-360萬(wàn)片/季度(等效12寸晶圓),其中三星產(chǎn)量約為130-140萬(wàn)片/季度,SK海力士產(chǎn)量約為95-97萬(wàn)片/季度,兩者產(chǎn)量之和占據(jù)全球份額近65%。
2018-2019年全球DRAM產(chǎn)能分布情況單位:千片等效12寸wafer/季度
企業(yè) | 2018Q1 | 2018Q2 | 2018Q3 | 2018Q4 | 2019Q1 | 2019Q2 | 2019Q3 | 2019Q4 |
三星 | 1218 | 1188 | 1253 | 1331 | 1320 | 1351 | 1394 | 1445 |
美光 | 710 | 715 | 735 | 724 | 726 | 719 | 743 | 749 |
SK海力士 | 874 | 936 | 953 | 943 | 919 | 951 | 968 | 962 |
華亞科 | 270 | 269 | 268 | 267 | 265 | 264 | 262 | 260 |
南亞 | 181 | 179 | 177 | 187 | 186 | 185 | 184 | 184 |
華邦 | 85 | 85 | 85 | 88 | 85 | 85 | 85 | 88 |
其他 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
總計(jì) | 3340 | 3374 | 3474 | 3543 | 3503 | 3556 | 3639 | 3690 |
資料來(lái)源:IHS
日韓貿(mào)易爭(zhēng)端下可能受到影響的是兩家龍頭廠商的所有產(chǎn)線,目前產(chǎn)業(yè)跟蹤來(lái)看如果再持續(xù)一個(gè)月,則2019年三季度產(chǎn)量預(yù)計(jì)會(huì)受到實(shí)質(zhì)性影響。DRAM和NAND領(lǐng)域的風(fēng)險(xiǎn)敞口分別高達(dá)65%/46%。一旦發(fā)生實(shí)質(zhì)性減產(chǎn),則DRAM與NAND將在短期內(nèi)結(jié)束下行周期。
近三年,全球DRAM存儲(chǔ)器出貨量呈現(xiàn)出穩(wěn)定增長(zhǎng)趨勢(shì)。2018年全球DRAM存儲(chǔ)器出貨量突破1000Gb,達(dá)到1063Gb,相比2017年增長(zhǎng)12.13%。
2013-2018年全球DRAM存儲(chǔ)器出貨量統(tǒng)計(jì)
資料來(lái)源:智研咨詢整理
三、全球DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)分析
目前DRAM制程基本在20nm與10nm工藝節(jié)點(diǎn),2x/2y/2z這類表示對(duì)應(yīng)不同技術(shù)節(jié)點(diǎn),2018年絕大部分工藝節(jié)點(diǎn)仍處于2z與1x節(jié)點(diǎn),同時(shí)1xnm出貨量近幾年快速增長(zhǎng),2018年全球1xnmDRAM出貨量占比升至60.5%,2018年全球2znm出貨量占比下降至20%。
2016-2018年全球DRAM不同制程節(jié)點(diǎn)出貨量占比
資料來(lái)源:智研咨詢整理
全球DRAM存儲(chǔ)容量正在快速提升,2015年全球DRAM存儲(chǔ)容量占比中4Gb占比將近80%,到2018年全球DRAM存儲(chǔ)容量占比中,8Gb占比達(dá)到83.7%,而大于8Gb容量密度逐步出貨,占比1.1%。
2016-2018年全球DRAM不同容量密度出貨量占比
資料來(lái)源:智研咨詢整理
四、全球DRAM存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
2019年半導(dǎo)體廠商已開(kāi)始減產(chǎn)和推遲設(shè)備投資,但價(jià)格仍持續(xù)低迷。在存儲(chǔ)器中,DRAM的大單優(yōu)惠價(jià)格比2018年10月下降近3成,促使全球DRAM存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模出現(xiàn)明顯下跌。
但從DRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用市場(chǎng)來(lái)看,超過(guò)50%以上的DRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用在移動(dòng)存儲(chǔ)領(lǐng)域,包括智能手機(jī)、平板電腦、智能穿戴設(shè)備,隨著5G應(yīng)用的影響,移動(dòng)消費(fèi)電子存量替代以及新產(chǎn)品推行,有望改善DRAM規(guī)模下降趨勢(shì)。



