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2018年全球內(nèi)存接口芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析,預(yù)測DDR5內(nèi)存價格將高出DDR4內(nèi)存近50%[圖]

    內(nèi)存接口芯片是服務(wù)器內(nèi)存模組和CPU之間的存儲緩沖用核心關(guān)鍵部件,大約占內(nèi)存價值量近5%。內(nèi)存又稱為DRAM,是智能設(shè)備中直接和CPU交換資料的記憶單元,用于載入各類程序與資料供CPU直接執(zhí)行和運用。

    內(nèi)存接口芯片主要應(yīng)用在存儲器制造,故市場需求規(guī)模較大。2018年全球存儲器的銷售額達到1580億美元,同比增長27.42%,其中DRAM銷售額達到996.6億美元。DRAM市場的主要三大供應(yīng)商市占率合計超過90%,市場集中度較高。存儲芯片市場需求巨大且發(fā)展?jié)摿薮?,未來將進一步帶動內(nèi)存接口芯片行業(yè)發(fā)展。

2013-2018年全球存儲器銷售額及同比增長

數(shù)據(jù)來源:公共資料整理

    相關(guān)報告:智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國內(nèi)存接口芯片市場專項調(diào)查及投資前景預(yù)測報告

    2018年全球內(nèi)存接口芯片市場規(guī)模約5.8億美元,同比增長約53%。隨著服務(wù)器內(nèi)存條的數(shù)量快速增長,對應(yīng)的內(nèi)存接口芯片的需求也隨之增加。未來內(nèi)存接口芯片的市場規(guī)模也將保持快速增長態(tài)勢。

2016-2018年全球內(nèi)存接口芯片市場規(guī)模

數(shù)據(jù)來源:公共資料整理

    受益于AI/5G/IoT引領(lǐng)的新一輪信息技術(shù)革命,數(shù)據(jù)中心快速增長進而推動存儲產(chǎn)業(yè)鏈需求大幅增加。全球和中國數(shù)據(jù)存儲需求快速增長的背后,必然伴隨著產(chǎn)業(yè)鏈的繁榮。全球和中國數(shù)據(jù)中心快速增長:根據(jù)數(shù)據(jù),2010-2018年中國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模由102億元快速增加到1228億元,年復(fù)合增速36%。

    服務(wù)器占數(shù)據(jù)中心總投資額70%,出貨增量和技術(shù)進步,推動全球存儲芯片市場未來五年穩(wěn)定增長。服務(wù)器為數(shù)據(jù)中心的核心設(shè)備,占總投資額70-80%。至2018年,全球服務(wù)器出貨量為1290萬臺,2012-2018年復(fù)合增長率為6%。中國服務(wù)器市場2012-2018年復(fù)合增長率為13%。根據(jù)數(shù)據(jù),預(yù)計至2023年,全球存儲芯片市場為11.2千億,2019-2023年復(fù)合增速分別為5%。中國存儲芯片市場為6.49千億,2019-2023年復(fù)合增速分別為6%,中國占全球份額近60%。2018年全球存儲芯片產(chǎn)能擴張導(dǎo)致供過于求,2019-2020年呈現(xiàn)負增長,預(yù)計2021年庫存將消化完畢,市場可望恢復(fù)穩(wěn)步增長軌道。

2010-2018中國數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模(億元)

數(shù)據(jù)來源:公共資料整理

2012-2018全球服務(wù)器出貨量(萬臺)

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2012-2018中國服務(wù)器市場規(guī)模(億元)

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    全球內(nèi)存芯片不受摩爾定律影響,未來五年復(fù)合增速14%。內(nèi)存芯片在技術(shù)迭代下具有價量齊升的特性。第一、內(nèi)存屬于易失性存儲芯片中的主要應(yīng)用類型,在各類存儲芯片對比中具有隨時讀寫、讀寫速度快、功耗低等優(yōu)勢,目前無其他芯片可替代其功能,是服務(wù)器等存儲設(shè)備中必備的存儲部件。第二、根據(jù)數(shù)據(jù),內(nèi)存在存儲芯片中市場占比53%,在存儲芯片中市場價值占比最大。根據(jù)數(shù)據(jù),至2023年全球內(nèi)存市場規(guī)模為5.73千億元,2019-2023年復(fù)合增長率為14%,內(nèi)存芯片的市場增速高于服務(wù)器和存儲芯片市場。2019-2020市場負增長原因為2018年產(chǎn)能過剩所導(dǎo)致。2014-2023全球存儲芯片市場(千億元)

全球存儲芯片市場規(guī)模

數(shù)據(jù)來源:公共資料整理

2014-2023中國存儲芯片市場(千億元)

數(shù)據(jù)來源:公共資料整理

    DDR是內(nèi)存模塊中用于使輸出增加一倍的技術(shù)。從一方面來看,DDR技術(shù)升級,對內(nèi)存接口芯片的技術(shù)水平有著更高要求;另一方面,隨著云計算、大數(shù)據(jù)等新興技術(shù)的快速發(fā)展,服務(wù)器激增,從而提高市場對于內(nèi)存的需求。隨著DDR產(chǎn)品的不斷更新?lián)Q代,內(nèi)存接口芯片的技術(shù)也隨之不斷升級。

    新一代DDR5服務(wù)器將驅(qū)動內(nèi)存需求量和平均價格提升50%。隨著Intel持續(xù)推出支援更多通道數(shù)的服務(wù)器CPU,內(nèi)存條需求量將大幅提升。(1)內(nèi)存需求量將隨技術(shù)迭代增加:至2019年,DDR4服務(wù)器6通道(12個內(nèi)存條)和8通道(16個內(nèi)存條)已廣泛應(yīng)用。根據(jù)HIS數(shù)據(jù),2019-2022年DDR5服務(wù)器將逐漸市場化,其擁有12/16通道(24/32個內(nèi)存條)。(2)新款內(nèi)存價格將提升:根據(jù)數(shù)據(jù),DDR4內(nèi)存價格較DDR3高出近50%,預(yù)測DDR5內(nèi)存價格將高出DDR4內(nèi)存近50%。

2019-2021年DDR5市場份額將持續(xù)提升(%)

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2024-2030年中國內(nèi)存接口芯片行業(yè)市場研究分析及發(fā)展趨向研判報告
2024-2030年中國內(nèi)存接口芯片行業(yè)市場研究分析及發(fā)展趨向研判報告

《2024-2030年中國內(nèi)存接口芯片行業(yè)市場研究分析及發(fā)展趨向研判報告》共十四章,包含2024-2030年內(nèi)存接口芯片行業(yè)投資機會與風險,內(nèi)存接口芯片行業(yè)投資戰(zhàn)略研究,研究結(jié)論及投資建議等內(nèi)容。

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