中國數(shù)據(jù)中心需求及光模塊發(fā)展趨勢分析【圖】

    數(shù)據(jù)中心發(fā)展呈集中化大型化趨勢，預期2020年全球超級數(shù)據(jù)中心將達485個，中國擁有全球最大的數(shù)據(jù)中心增量需求，網(wǎng)絡基礎設施的新要求將拉動全球光模塊需求增長。

    中央經(jīng)濟工作會議指出加快5G商用，宏基站、小基站數(shù)量將迎來大幅增長，預計5G宏基站數(shù)約為394萬，小基站預計總數(shù)在500萬左右，光模塊國內(nèi)將達600億級市場。

2017-2021全球數(shù)據(jù)中心流量及預測（ZB）

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

    從供應份額來看，擁有幾十萬臺乃至上百萬臺服務器的超級數(shù)據(jù)中心供應占比增速遠高于其數(shù)量增速；從數(shù)量來看，超級數(shù)據(jù)中心從2015年的259個，快速增長至2017年底的346個，預計2018年底將有399個超級數(shù)據(jù)中心投入運營。

2015-2020年全球超級數(shù)據(jù)中心及預測情況

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    2012-2017年北美四大超級數(shù)據(jù)中心運營商資本開支從105.98億美元增長到381.04億美元，五年期CAGR為29.17%，同期國內(nèi)三大超級數(shù)據(jù)中心運營資本開支從15.77億美元增長到117.78億美元，五年期CAGR高達49.5%，遠高于北美地區(qū)，并且增速還在呈現(xiàn)進一步加快態(tài)勢。

2012-2017年GG、AMZ、MS和FB資本支出圖

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2012-2017年阿里、騰訊和百度資本支出圖

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    光芯片主要用于光電信號轉(zhuǎn)換，遵循“Chip-OSA-Transceiver”的封裝順序，激光器芯片通過傳統(tǒng)的TO封裝或新興的多模COB封裝形式制成光模塊。在光通信系統(tǒng)中，常用的核心光芯片主要包括DFB、EML、VCSEL三種類型，分別應用于不同傳輸距離和成本敏感度的應用場景。

    國外技術壟斷高端光芯片國產(chǎn)化率低，國內(nèi)能夠生產(chǎn)光通信芯片的企業(yè)約30余家，在高速率激光器和調(diào)制器芯片上，目前僅光迅科技、海信寬帶、華工正源等少數(shù)國內(nèi)廠商能量產(chǎn)10G以下速率芯片，對于應用于100G及以上高速光模塊的25Gbps/s芯高端芯片嚴重依于博通、三菱等美日公司，相干光模塊中應用的窄線寬可調(diào)諧激光器、MZ調(diào)制器等也都依賴進口。

2017年光芯片國產(chǎn)化率占比圖

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2017年全球光器件市場競爭格局

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    光芯片占光器件成本比率按照50%保守預估，國內(nèi)光芯片市場規(guī)模有望從2015年的8.1億美元增長到2020年的21.4億美元，CAGR達21.4%。隨著芯片速率的提升，制備難度增大，成本占比將進一步提升。

光芯片在光器件/光模塊中成本占比

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2015-2020年國內(nèi)光芯片市場規(guī)模圖

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    工信部頒布《光器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖》，將光芯片國產(chǎn)化上升為國家戰(zhàn)略。全面量化了核心光芯片的發(fā)展規(guī)劃，全面提速DFB、EML、VCSEL等核心芯片的國產(chǎn)化進程。規(guī)劃到2020年實現(xiàn)以下目標：（1）25G級以上VCSEL芯片及器件：國產(chǎn)化率將從目前的0%提升至10%—20%左右；（2）25G及以上的DFB芯片：國產(chǎn)化率將超過30%；（3）10G/25GEML芯片：國產(chǎn)化率將分別達到50%和30%?！豆馄骷a(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖》將光芯片的發(fā)展提升至國家戰(zhàn)略層面，未來幾年光芯片國產(chǎn)化率穩(wěn)步提升的確定性高。

    相關報告：智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國光模塊行業(yè)運營態(tài)勢及未來發(fā)展趨勢報告》