技術(shù)的成熟以及規(guī)模效益正促使碳化硅單晶片價(jià)格下降【圖】

    近年來(lái)，半導(dǎo)體材料作為一種新興產(chǎn)業(yè)，在高新技術(shù)和國(guó)民經(jīng)濟(jì)中的地位越來(lái)越重要。碳化硅（SiC）作為其中最具代表性的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有寬帶隙、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低相對(duì)介電常數(shù)、耐高溫和抗輻射等特點(diǎn)，性能和可靠性遠(yuǎn)優(yōu)于 Si 器件和 GaAs 器件，在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應(yīng)用領(lǐng)域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應(yīng)用有著不可替代的優(yōu)勢(shì)。

    當(dāng)前，SiC 晶片在全球高端半導(dǎo)體市場(chǎng)已經(jīng)呈現(xiàn)出高速發(fā)展態(tài)勢(shì)，目前 SiC 單晶片已工業(yè)化應(yīng)用領(lǐng)域包括高亮度 LED，家用電器如空調(diào)、冰箱、微波爐等，風(fēng)力發(fā)電，混合動(dòng)力汽車。在美國(guó)，采用 SiC 晶片的射頻微波器件已經(jīng)在通訊基站、 軍用通訊市場(chǎng)大規(guī)模使用。盡管國(guó)內(nèi) SiC 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，但與國(guó)際龍頭企業(yè)相比仍存在一定差距。。與國(guó)際龍頭相比，國(guó)內(nèi) SiC 材料生產(chǎn)企業(yè)在技術(shù)水平等方面仍存在 3 年以上的差距，而企業(yè)資產(chǎn)規(guī)模、 收入規(guī)模、盈利水平等方面差距也較為明顯。

    盡管中國(guó)碳化硅行業(yè)規(guī)模大和產(chǎn)能充足,但碳化硅主要為低端初級(jí)產(chǎn)品。同時(shí)高附加值的深加工產(chǎn)品市場(chǎng)供應(yīng)匱乏。我國(guó)的碳化硅晶片產(chǎn)業(yè)起源于上個(gè)世紀(jì)九十年年代，最開始主要用于軍用，隨著技術(shù)的突破，產(chǎn)品生產(chǎn)能力逐漸提升，民用市場(chǎng)開始蓬勃發(fā)展。目前我國(guó)的已經(jīng)形成了以天富熱電公司、天岳晶體材料有限公司、河北同光晶體有限公司和瀚天天成電子科技（廈門）有限公司為主的的大型碳化硅晶體片生產(chǎn)廠家。

我國(guó)碳化硅單晶片市場(chǎng)部分領(lǐng)先企業(yè)

資料來(lái)源：智研咨詢整理

    2017年我國(guó)碳化硅單晶片行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了3.27億元，2016年為2.62億元，近幾年行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模高速增長(zhǎng)，國(guó)外企業(yè)占據(jù)的市場(chǎng)份額較大，行業(yè)近幾年投資規(guī)模走勢(shì)如下圖所示：

2013-2017年我國(guó)碳化硅行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模走勢(shì)

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    相關(guān)報(bào)告：智研咨詢發(fā)布的《2018-2024年中國(guó)碳化硅單晶片行業(yè)市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)態(tài)勢(shì)及發(fā)展前景預(yù)測(cè)報(bào)告》

    其中，電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模為2.71億元，占比為82.87%；LED及其他應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模為0.56億元，占比為17.13%，近年來(lái)LED及其他領(lǐng)域的應(yīng)用占比呈不斷增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

2017年碳化硅單晶片細(xì)分市場(chǎng)比例

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    隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)在技術(shù)水平、服務(wù)質(zhì)量的逐漸提升，將在碳化硅單晶片市場(chǎng)上展開更加激烈的競(jìng)爭(zhēng)，行業(yè)需求高速上升，技術(shù)成熟帶來(lái)產(chǎn)能產(chǎn)量的快速擴(kuò)張，行業(yè)內(nèi)企業(yè)規(guī)模逐漸擴(kuò)大帶來(lái)的規(guī)模效益將會(huì)促使行業(yè)的產(chǎn)品價(jià)格逐漸下降。

2013-2017年我國(guó)碳化硅單晶片價(jià)格走勢(shì)

資料來(lái)源：智研咨詢整理

    目前，中國(guó)碳化硅單晶片產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)快速發(fā)展的黃金時(shí)期，但并不能排除在某個(gè)階段，受經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)大幅放緩或國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策調(diào)整的影響，碳化硅單晶片消費(fèi)量出現(xiàn)增長(zhǎng)速度放緩甚至階段性下滑的可能性，從而導(dǎo)致碳化硅單晶片企業(yè)的發(fā)展速度和發(fā)展質(zhì)量受到不利影響。